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在分析蓄热燃烧方法和现有蓄热式烤包器的基础上,结合莱钢炼钢厂钢包烘烤现状,研制开发了新的蓄热式空间燃烧烤包器。现场使用证明该烤包器具有节能、加热均匀和低污染排放等显著优点,具有广阔的应用前景。 相似文献
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Zhang P Tevaarwerk E Park BN Savage DE Celler GK Knezevic I Evans PG Eriksson MA Lagally MG 《Nature》2006,439(7077):703-706
The widely used 'silicon-on-insulator' (SOI) system consists of a layer of single-crystalline silicon supported on a silicon dioxide substrate. When this silicon layer (the template layer) is very thin, the assumption that an effectively infinite number of atoms contributes to its physical properties no longer applies, and new electronic, mechanical and thermodynamic phenomena arise, distinct from those of bulk silicon. The development of unusual electronic properties with decreasing layer thickness is particularly important for silicon microelectronic devices, in which (001)-oriented SOI is often used. Here we show--using scanning tunnelling microscopy, electronic transport measurements, and theory--that electronic conduction in thin SOI(001) is determined not by bulk dopants but by the interaction of surface or interface electronic energy levels with the 'bulk' band structure of the thin silicon template layer. This interaction enables high-mobility carrier conduction in nanometre-scale SOI; conduction in even the thinnest membranes or layers of Si(001) is therefore possible, independent of any considerations of bulk doping, provided that the proper surface or interface states are available to enable the thermal excitation of 'bulk' carriers in the silicon layer. 相似文献
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Steidl C Shah SP Woolcock BW Rui L Kawahara M Farinha P Johnson NA Zhao Y Telenius A Neriah SB McPherson A Meissner B Okoye UC Diepstra A van den Berg A Sun M Leung G Jones SJ Connors JM Huntsman DG Savage KJ Rimsza LM Horsman DE Staudt LM Steidl U Marra MA Gascoyne RD 《Nature》2011,471(7338):377-381
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