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391.
投标作为施工企业经营活动的起点,对企业效益起着决定性的影响。在激烈的市场竞争环境下,投标的风险越来越大,对投标风险的认识显得更加重要,对投标过程风险的防范和控制尤为重要。施工企业只有在投标过程中加强风险管理,才能有效规避风险,降低风险损失,提高企业效益。  相似文献   
392.
给出了改进的Morlet小波变换像空间的再生核函数的具体表达式及等距恒等式,并利用再生核函数的结构对改进的Morlet小波变换的像空间作出了具体的描述,并将对小波与再生核的关系得出一个新的发现,为一般小波变换像空间的讨论提供了基础.  相似文献   
393.
分子印迹电化学法测定微囊藻毒素   总被引:1,自引:0,他引:1  
以微囊藻毒素(MCLR)为研究对象,采用电聚合方式,用等摩尔(0.01 mol/L)间苯二酚和邻苯二胺的混合溶液作为单体,铁氰化钾为印迹电极和底液间的探针,构建了具有选择性检测微囊藻毒素(MCLR)方法.该传感器对微囊藻毒素(MCLR)具有良好的敏感度.通过示差脉冲法进行检测,线性范围为0.01~1.5 μg/mL.该方法的相对误差为9.1%;加标回收率为77.5%~110.0%;检出限0.008 4 μg/mL.  相似文献   
394.
用磁控溅射法在加热到400℃的MgO(001)单晶基片上沉积了总厚度为25 nm 的[Fe(0.6 nm)/Fe30.5Pt69.5(1.9 nm)]10 多层连续薄膜, 总成分配比为Fe50Pt50. 然后对其在[500, 900]℃温度范围进行真空热处理, 分析了热处理温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及磁特性的影响. 结果表明, 在加热基片上生长的FePt 薄膜, 层间已经发生扩散, 形成无序的A1 相. 经过700℃以上的高温热处理, 薄膜转变为具有(001)织构的L10相FePt 合金, 易磁化轴沿垂直于膜面的方向, 有序度大于0.85, 单轴磁晶各向异性能约2.7×107 erg/cc. 利用扩散后残存的周期性微弱成分起伏, 可以使薄膜在800℃以下保持形貌连续. 用原子力显微镜对薄膜表面进行观察证实, 在780℃进行热处理, 薄膜的表面最平整. 这种优质的连续薄膜可以应用于微加工制作超高密度垂直磁记录阵列介质.  相似文献   
395.
从实现自动抽取法律术语的目的出发,立足于法律术语具有术语部件的特点,建立了由579条部件组成的法律术语部件库,并针对各种属性的术语部件做出统计分析,完成了每个法律术语部件"生成能力"和"贡献度"两个属性的详细描述。  相似文献   
396.
Wu H  D'Alessio AC  Ito S  Xia K  Wang Z  Cui K  Zhao K  Sun YE  Zhang Y 《Nature》2011,473(7347):389-393
  相似文献   
397.
High-frequency, scaled graphene transistors on diamond-like carbon   总被引:2,自引:0,他引:2  
Wu Y  Lin YM  Bol AA  Jenkins KA  Xia F  Farmer DB  Zhu Y  Avouris P 《Nature》2011,472(7341):74-78
Owing to its high carrier mobility and saturation velocity, graphene has attracted enormous attention in recent years. In particular, high-performance graphene transistors for radio-frequency (r.f.) applications are of great interest. Synthesis of large-scale graphene sheets of high quality and at low cost has been demonstrated using chemical vapour deposition (CVD) methods. However, very few studies have been performed on the scaling behaviour of transistors made from CVD graphene for r.f. applications, which hold great potential for commercialization. Here we report the systematic study of top-gated CVD-graphene r.f. transistors with gate lengths scaled down to 40 nm, the shortest gate length demonstrated on graphene r.f. devices. The CVD graphene was grown on copper film and transferred to a wafer of diamond-like carbon. Cut-off frequencies as high as 155 GHz have been obtained for the 40-nm transistors, and the cut-off frequency was found to scale as 1/(gate length). Furthermore, we studied graphene r.f. transistors at cryogenic temperatures. Unlike conventional semiconductor devices where low-temperature performance is hampered by carrier freeze-out effects, the r.f. performance of our graphene devices exhibits little temperature dependence down to 4.3 K, providing a much larger operation window than is available for conventional devices.  相似文献   
398.
399.
本文研究了一类广义系统的有限时间终端滑模控制问题.通过非奇异的线性变换把广义系统变换成受限等价形式,利用Lyapunov函数的方法,提出一种有限时间终端滑模控制策略,给出了相应的终端滑模超曲面和控制器,使得闭环系统能渐近稳定,实现滑模运动,同时使得系统状态变量在滑模面上于有限时间内到达平衡点.最后,给出了数值算例,说明...  相似文献   
400.
2009年12月调查了314例四川凉山彝族中学生的7项不对称行为特征(扣手、利手、叠臂、叠腿、利足、起步和优势眼).研究结果显示:1)彝族7项不对称行为特征的出现率右型均高于左型;2)彝族7项不对称行为特征的出现率利手、叠臂、叠腿、起步有显著的性别差异,其余3项指标的出现率均没有性别间差异;3)彝族与国内11个民族出现率的比较显示,彝族与汉族、朝鲜族、回族、布依族、苗族有显著差异,彝族7项不对称行为右型率在我国族群中属中等水平;4)分析了彝族7项指标间的相关性,发现利手与利足这对特征相关极显著,起步与利足这对特征相关显著.  相似文献   
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