活动断层对地震的响应

活动断层是地壳最易破坏的地方，也是发生形变和位移最大的地方．通过对活动断层的观察，对于预测地震的发展趋势、减轻地震灾害具有重大的现实意义．本文通过对临汾、洪洞两个剖面的观察研究，揭示活动断层和地震的关系，为山西的地震预报提供服务．     

实时识别数字和英文字母快速算法的现场可编程门阵列设计

在分析阿拉伯数字以及大写英文字母的形状特征后,提出了一种适于现场可编程门阵列(FPGA)实现的图像实时识别算法.该算法能够充分描述数字和字母图像的特征向量,然后经过预处理和定位后提取出各特征向量,最后计算出各特征向量间的距离并比较大小就能对图像进行实时识别.算法对图像平移和小角度旋转具有不变性,并且具有简单、识别准确率高、计算复杂度低、存储量小的优点.FPGA仿真结果表明,该算法只需要8 000逻辑门就能实时识别出50×75像素大小的数字和字母图像,证明了算法具有较高的可行性和高效性.     

错位翅片油冷器结构优化分析

在Muzychka经验公式的基础上,开发了采用错位翅片的机油冷却器的性能计算软件.利用该程序可进行错位翅片的优化设计,得出几何参数对换热量和压降影响的规律.实验及计算结果表明:该软件的计算误差较小;边界层对压降的影响很大.     

烷基苯气相色谱保留指数的预测

通过对43种烷基苯类化合物在不同柱温下的129个样本集的气相色谱保留指数值(R I)与其部分参数关系的研究,发现R I与拓扑指数(mQ)、摩尔折射度(M R)结构参数及柱温(T)之间的关系可表示为:RI=-35.689-149.4350Q-5.0471Q 116.541MR 2.538T-1.4600Q1Q 0.2941QMR(R=0.980 0)此式不仅在一定程度上阐明了烷基苯类化合物RI与其分子结构及柱温间的关系,同时也提供了一种计算烷基苯类化合物于不同温度下RI的新方法.继以留一法(Leave-one-out,LOO)进行交互检验,相关系数RCV=0.978 3,说明所建模型具有良好的稳定性和预测能力,较好地揭示了烷基苯类化合物在不同温度下气相色谱保留指数的变化规律.     

离散混沌系统的Matlab仿真

基于M atlab研究了离散混沌系统的数值解法和图形仿真,同时针对离散时滞混沌系统给出了数值仿真的Matlab程序.对于高阶离散混沌系统也可以采用上面的变换将系统降阶,变成一阶差分方程组进行求解,从而离散混沌系统都可以通过简单的编程实现数值仿真.从数值仿真角度来说,所得方法对于离散混沌系统的混沌同步和控制器仿真及误差描述都有积极的意义.     

相控线阵声波辐射器阵元个数对充液井孔中各种模式波的影响

利用有限元数值模拟研究了由点源组成的相控线阵声波测井辐射器对充液井孔中各种波动模式波的影响，重点分析了阵元个数对各种波动模式波响应幅度的影响。结果表明，随着阵元间延迟时间的增加，声束偏转角逐渐增加。控制声束偏转角分别满足相控线阵辐射声束在纵、横波临界角位置入射时，随相控线阵阵元个数增加，折射纵、横波响应幅度呈正比增加；在非临界角入射时，阵元个数的增加对折射纵、横波能量的增强效果不明显。当阵元个数不变时，随声束偏转角的增加，纵、横波声压值也开始逐渐增加，且在偏转角分别等于第一或第二临界角时达到最大；若偏转角再继续增加，声压值又会逐渐减弱。     

用碱处理的ZSM-5沸石合成MCM-41型结构复合分子筛的研究

以现有的工业ZSM-5作为原料，采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源，与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛，并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征，考察了主要合成条件对分子筛性能的影响。结果表明，根据ZSM-5碱处理程度的不同，采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒，但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长，ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少，而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒。     

珠江三角洲场地震害分析与评判

通过对珠江三角洲地区活动断裂、砂土液化、软土震陷、塌陷地震、滑坡、崩塌和孤立地形和不均匀地基等场地震害分析,预测了珠江三角洲地区未来场地震害的主要形式是砂土液化和软土震陷,同时不可忽视其他震害的影响.利用砂土、软粘土层大量吸收地震能量来防止强震中建筑物的倒塌和破坏将成为场地震害分析的一个新趋势.     

修改的Ishikawa迭代序列弱收敛到渐近非扩张映像的不动点

在满足Opial条件或具有Frechet可微范数的一致凸Banach空间中，运用分析的方法，建立了修改的Ishikawa迭代序列弱收敛到渐近非扩张映像的不动点定理。     

Microstructure and properties of indium tin oxide thin films deposited by RF-magnetron sputtering

Tin-doped indium oxide （ITO） thin films were prepared using conventional radio frequency （RF） planar magnetron sputtering equipped with IR irradiation using a ceramic target of In2O3/SnO2 with a mass ratio of 1：1 at various IR irradiation temperatures T1 （from room temperature to 400 ℃ ）. The refractive index, deposited ratio, and resistivity are functions of the sputtering Ar gas pressure. The microstructure of ITO thin films is related to IR T are amorphous at the temperature ranging from 1, the crystalline seeds appear at T1 = 300℃, and the films 27 ℃ to 400 ℃.