磁场退火对无取向硅钢再结晶织构和组织的影响

为了研究磁场退火对金属材料的再结晶织构和晶粒尺寸的影响,对冷轧无取向硅钢薄板进行了普通退火以及0.1,6和12 T下的磁场退火,磁场沿轧向施加.研究表明,磁场退火显著影响再结晶织构的取向密度和晶粒尺寸,且与磁感应强度成非线性关系.磁场退火增强有利的η(〈001〉∥RD)和{100}织构,减弱不利的γ(〈111〉∥ND)织构,该效应在6 T磁场下较显著;再结晶晶粒尺寸在6 T磁场退火时较大,普通及12T磁场退火时居中,0.1 T磁场退火时较小.从磁场降低晶界可动性和提供与取向相关的附加晶界迁移驱动力的角度,分析了磁场作用机制.     

用电荷检测离子阱质谱技术测量聚苯乙烯球粒子的质量

采用高速电荷检测离子阱质谱技术(CDIT-MS)测量了聚苯乙烯球的质荷比和所带电荷数,得到了聚苯乙烯球粒子的质量;通过对数百次测量结果的统计,给出了粒子的质量分布图,并用Gaussian线型对质量分布图进行了拟合,得到聚苯乙烯球的平均质量为1.93×10-13kg,与理论质量(~2.03×10-13kg)接近.结果表明,电荷检测离子阱质谱技术能有效测量微米离子的质量,且测量时间短、准确性高.     

免疫响应系统的全局稳定性

研究了免疫响应系统无病平衡点和正平衡点的全局稳定性问题.通过构造合适的Lyapunov函数,得到了该系统各个平衡点的全局稳定性条件.结果表明,该系统当只有一个平衡点—无病平衡点时,其必然是全局稳定的;当参数变化导致出现新的平衡点—地方病平衡点时,它也必然是全局稳定的.理论和数值结果非常吻合,表明推导的结果是正确的.该结果的生理意义非常清楚,表明了治疗对此系统的动力学影响是关键性的,对患者的康复是非常重要的.     

预应力混凝土薄壁管桩断桩的处理方法

介绍了预应力混凝土薄壁管桩断桩的处理方法。根据预应力混凝土薄壁管桩断桩的不同成因，分别制定了科学可行的处理方案，处理效果较好。     

猝冷骨架Ni催化剂的表征及不饱和有机官能团加氢行为研究

研究了采用猝冷法制备的Ni50Al50合金经碱溶液抽提铝后形成和多孔滑架Ni催化剂和催化行为，并与工业上广泛应用的Raney Ni催化剂进行了对比，用电感耦合等离子光谱（ICP）、X－射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、比表面测定（BET）、X－射线光电子能谱（XPS）及氢吸附对催化剂进行了表征，活笥测试结果表明，猝冷合金催化剂（RQ Ni)对包括碳碳双键、硝基、羰基和腈青在内的不饱和有机官能团有较Raney Ni为高的加氢活性，这可以部分归结RQ Ni催化剂更大的活性比表积及两者由于制备方法不同而导致的结构差异。     

走近"习性"、"资本"和"场"--读《布尔迪厄访谈录》

布尔迪厄以访谈的形式,阐述了在他的理论体系中起核心组织作用的三个概念"习性"、"资本"和"场".习性是一个构筑在实践层面上的后天获得的性情系统,是在实践中形成的即兴创作的能力.资本是以同一的形式和扩大的形式获取利润的潜在能力,它实质上是权力的一种形式.场涉及的是对人们的关系、地位的分析,对行动者占据的位置的多维空间的阐述;每个场都是斗争的场所.     

属性添加情况下的概念格重构算法

研究在给定的形式背景下,通过逐步添加属性建造概念格的方法.一般地,初始概念格可由部分属性生成.当添加属性时,得到了新节点与它在原概念格中的直接父节点是一一对应的结论.证明了所有新节点在原概念格中的直接父节点,只可能在某个节点和它的子节点中.基于上述性质,给出了添加属性情况下的重建概念格算法.此算法的优点是生成新节点的范围小,构建概念格的速度快.     

水分胁迫条件下化控物质浸种对小麦根苗生长的影响

采用水培溶液添加PEG6000模拟干旱胁迫的方式，研究了化学调控物质浸种对不同程度水分胁迫下小麦根系及幼苗生长影响。结果表明，水分胁迫不同程度地降低了小麦幼苗的株高、叶面积、地上部及根的干重、根系活力、SOD、POD活性等，并明显增加了根系MDA含量水平。化学调控物质浸种处理可以增加各种条件下小麦的总根长、叶面积、根活力及SOD与POD活性，且表现出在干旱胁迫下增加幅度高于正常处理的现象。化学调控物质浸种有利于缓解干旱胁迫带来的不良影响。利用FA、GA、MET及稀土等化学调控物质浸种具有促进根系生长、培育小麦壮苗的突出作用。图3，表2，参14。     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.