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901.
升压变换器的电流环预测控制算法 总被引:1,自引:0,他引:1
通过数学分析建立了升压变换器的电压控制外环、电流控制内环的系统模型,提出了一种电流预测控制算法,将电压控制器产生的电流指令作为电流预测值使用,以提高变换器的动静态特性.建立了基于SaberDesigner平台的系统控制仿真模型,在相同的实验条件下,对系统电流内环分别采用预测控制算法与普通PI控制算法进行仿真研究.仿真结果表明:电流预测控制算法能有效地改善系统的动态特性. 相似文献
902.
针对风力机在旋转过程中产生的叶尖涡影响风力机本身以及下游风力机气动性能的问题,提出了一种控制叶尖涡的策略,以减小叶尖涡对风力机本身及下游风力机气动性能的影响.以PhaseⅥ叶片的1/8模型为原始模型,在叶尖处和轮毂处同时开洞,用管道将洞连接的模型称作新模型.采用数值模拟的方法对来流风速从6m/s到20 m/s的15个工... 相似文献
903.
根据芽孢杆菌β-1,4-内切葡聚糖酶基因序列设计引物,以pHBM102为模板,扩增得到β-1,4-内切葡聚糖酶GluD基因片段,克隆至毕赤酵母(Pichia pastoris)表达载体pHBM905上,获得重组毕赤酵母表达载体pHBM905D,将此质粒分别转化毕赤酵母GS115,KM71和SMD1168菌株,筛选获得GS115(pHBM905D),KM71(pHBM905D),和SMD1168(pHBM905D),平板诱导培养表明,GS115(pHBM905D)所产生的水解圈最大,酶活力最高.摇瓶诱导培养,表达β-1,4-内切葡聚糖酶,此酶的最适反应温度为65℃,最适反应pH值6.4,在诱导8 d后酶活力达到最高为0.185 8 U/mL. 相似文献
904.
根据毕赤酵母(Pichia pastoris)密码子使用偏爱性,对Escherichia coli来源的高比活植酸酶基因(appA)全面地进行密码子优化,人工合成了植酸酶基因(appA-P),并将该基因克隆到毕赤酵母诱导型分泌表达载体pHBM905A上,获得重组质粒pHBM905A-appA-P,通过PEG1000转化法将线性化的重组质粒转化毕赤酵母GS115菌株,筛选得到一个高效表达植酸酶的重组菌株GS115-appA-P,在25℃摇瓶培养168 h后酶活力达到422 U/mL,该植酸酶最适反应温度为60℃,最适反应pH为4.5,在20~50℃、pH1.0~6.0范围内较稳定. 相似文献
905.
创新教育模式下的模拟实践教学内容体系研究 总被引:1,自引:0,他引:1
祃海霞 《河北经贸大学学报(综合版)》2007,7(4):99-102
创新教育模式是一种适应性的教育模式.它注重培养学生的创新意识、创新思维和创新技能.而创新并不是"闭门造车",它离不开实践活动.应将实践教学的内容与各种模式的实践教学环节相结合,全面构建完整的实践教育内容体系. 相似文献
906.
选取1997年至今国内有关大学物理教学的238篇论文进行定量和定性分析,从教学改革、教学目标和原则、教学内容、教学方法、多媒体应用、学生能力培养、国外教学、教学评价等8个方面对研究成果进行了归纳.并对目前的研究现状及今后的研究方向提出了看法. 相似文献
907.
以甲基橙溶液模拟有机染料废水,研究了δ-MnO2吸附剂对有机染料的吸附特性及影响吸附效果的主要因素.结果表明:在0.05 mol/L的NaNO3介质中,δ-MnO2-甲基橙体系的吸附-pH曲线呈"反S型",去除率随pH值的降低而增大.甲基橙在δ-MnO2/水界面上的吸附可用Langmuir吸附等温方程进行描述,温度对吸附等温线影响很小.吸附剂投加量对吸附等温线影响显著,随吸附剂投加量的增大而下移.在25 ℃,pH6.0、吸附剂投加量为200 mg/L的条件下,甲基橙的饱和吸附量为263 mg/g.甲基橙在δ-MnO2/水界面上的吸附为不可逆过程. 相似文献
908.
事务处理是重要的数据库完整性保证技术,本文结合煤矿安全信息管理系统的研制,介绍了事务概念、MS SQL Server事务处理语句、ASP事务处理及编程实现.将事务处理技术用于网络数据库系统的开发,将有效地保证系统数据的完整性. 相似文献
909.
油气井生产过程中,受地质环境、生产阶段、矿物成分等多种因素综合影响,井筒上易产生垢物堵塞,影响正常生产;而解堵和工艺措施的有效性由能否精准取样井下垢物直接决定.针对高含硫气井井下垢物样本取样需要,设计研制了 一套智能井下取垢系统,介绍了智能井下取垢器的体系结构及工作原理;详细论述了电路板减震结构、取垢弹爪、容垢篮装置以... 相似文献
910.
为提高氧化锆陶瓷零件微细加工过程中的加工表面质量,改善氧化锆陶瓷零件的使用寿命,采用0.9 mm磨头直径、500#磨粒的微磨棒对氧化锆陶瓷进行微尺度磨削三因素五水平正交试验.首先通过极差和方差分析,研究了磨削参数影响氧化锆陶瓷表面质量主次因素;其次优化出获得较低表面粗糙度值的工艺参数组合;最后通过单因素试验研究氧化锆陶瓷磨削表面粗糙度随磨削参数的变化规律.结果表明,磨削参数对表面粗糙度影响顺序依次为:磨削深度、进给速度、主轴转速;当主轴转速vs=40 000 r/min,进给速度vw=20μm/s,磨削深度ap=3μm时,表面粗糙度最小;表面粗糙度随主轴转速增大呈先下降后上升的趋势,随进给速度和磨削深度的增大而增大. 相似文献