首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10093篇
  免费   455篇
  国内免费   633篇
系统科学   695篇
丛书文集   301篇
教育与普及   333篇
理论与方法论   52篇
现状及发展   74篇
研究方法   30篇
综合类   9696篇
  2024年   60篇
  2023年   94篇
  2022年   212篇
  2021年   264篇
  2020年   173篇
  2019年   111篇
  2018年   120篇
  2017年   154篇
  2016年   181篇
  2015年   316篇
  2014年   456篇
  2013年   454篇
  2012年   568篇
  2011年   598篇
  2010年   631篇
  2009年   624篇
  2008年   678篇
  2007年   672篇
  2006年   522篇
  2005年   430篇
  2004年   322篇
  2003年   259篇
  2002年   290篇
  2001年   268篇
  2000年   249篇
  1999年   302篇
  1998年   286篇
  1997年   283篇
  1996年   253篇
  1995年   247篇
  1994年   213篇
  1993年   195篇
  1992年   141篇
  1991年   136篇
  1990年   107篇
  1989年   96篇
  1988年   99篇
  1987年   52篇
  1986年   36篇
  1985年   20篇
  1984年   3篇
  1980年   5篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
均匀试验设计在遗传算法中的应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了在遗传算法中运用均匀设计产生初始种群的方法,指出由于遗传算法的交叉机制是完全依赖于初始种群的,所以初始种群的多样性对于遗传算法的收敛性是至关重要的.同时通过算例采用De Jong提出的验证方法验证了运用均匀设计产生初始种群能够增强遗传算法的收敛性.  相似文献   
52.
报道在3种溶剂中硫氨酸钠(V)配合物的生成情况,并以石油亚砜为萃取剂对其进行萃取研究,讨论了萃取剂的影响和有关萃取机理.  相似文献   
53.
本文应用构象分析讨论消除反应的立体化学,并给出满意的解释。  相似文献   
54.
蒸馏水润滑下Si3N4—白口铸铁摩擦面上表面膜的分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
在环-块磨损试验机上考察了蒸馏水润滑下Si3N4分别与白口铸铁和碳钢(作对比用)配副的摩擦磨损特性.在SEM下观察了白口铸铁磨面表面膜的形成过程,用XPS、FTIR和XRD分析了表面膜的成分、组成与结构,并对其形成机理进行了探讨.结果表明,Si3N4在水润滑下摩擦时磨面上发生了氧化和水解反应:当Si3N4与白口铸铁配副时,由于铸铁中碳化物的剥落而形成剥落坑,Si3N4磨屑嵌入剥落坑并氧化和水解,其反应产物富集于剥落坑中,脱水聚合后形成硅胶,从而在磨面形成具有一定厚度和面积的含硅胶的表面膜,表面膜的形成保护了陶瓷和铸铁磨面,使其变得很光滑,从而使摩擦系数降至0.02,并使系统磨损率几乎接近于零;当Si3N4与碳纲配副时,由于碳钢没有能力富集Si3N4的氧化和水解产物,故磨面不能形成有效的表面膜,所以其摩擦系数仍然较高,且系统磨损率亦较大  相似文献   
55.
本文根据桩土之间的相互作用 ,采用邓肯 -张模型对土、基岩进行非线性有限元分析 ,计算出桩、土的内力、变形以及承载力 ,理论计算结果与实测情况比较接近。同时据实测结果 ,对照规范提出建议。图 3,表 2 ,参 3。  相似文献   
56.
为研究低煤化度煤含氧官能团的化学活性及其改性机理,通过对低温热解方法条件的确定,建立了实验室规模低温热解脱氧方法,进一步考察了该方法的效果。结果表明,在实验室采用此法研究低煤化度煤低温热解脱氧是可行的。  相似文献   
57.
58.
59.
60.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号