递推法推引j—j耦合谱项的研究

首次提出递法推引ｊ－ｊ耦合谱项,计算结果很好,该法能抓住关键通过手算快速求出组合组态（（ｊ）＾ｎ）的Ｊ值。最后,对计算结果进行了验证。     

Constrained Linear Systems over Semisimple Rings

令Ｒ是半单环,Ｓ＝ＥＲｎ是Ｒｎ是子模,假设Ａ∈Ｒｎ×ｎ关于Ｅ的Γ逆存在,则线性约束系统Ａｘ＝ｂ,ｘ∈Ｓ若有解,就必定是ｘ＝Ａ（１）Ｅｂ＋（Ｉ－Ａ（１）ＥＡ）Ｅｙ,ｙ∈Ｒｎ,这里Ａ是正则的,且Ａ（１）Ｅ∈Ａ｛１｝满足Ａ（１）Ｅ＝ＥＡ（１）Ｅ＝Ａ（１）ＥＥ,Ｅ是与子模Ｓ相应的幂等阵．     

测定草珊瑚中硒含量的方法研究

该文研究用萃取,荧光法、萃取－光度法、原子吸收光谱法分别测定草珊瑚中硒的含量。三种方法的测定结果较相近,均有较好的准确性和精密,方法简单易行。     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

基于PC总线的三维数控雕刻机CNC系统

详细介绍了基于ＰＣ总线的数控雕刻机ＣＮＣ系统,该系统在硬件上采用了ＰＣ总线工业控制机,在软件上采用了模块化结构化设计、中文图形菜单操作、图形编程、模拟仿真和加工轨迹在线显示等先进技术。整个转件系统采用Ｃ语言设计。该系统在文字图案雕刻和模具（如底上的图案）制造等实际中应用,取得了很好的效果。     

ZSM—5沸石膜合成中几个影响因素

采用水热合成法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷载体和ＳｉＯ２复合膜上成功地合成了ＺＳＭ－５沸石膜。考察了ＺＳＭ－５沸石膜合成中载体性质,合成溶液的碱度,水硅质量比,晶化时间等对成膜的影响,探讨了沸石膜的生成机理并对合成的沸石膜进行了ＸＲＤ及ＳＥＭ表征,表明当合成液水硅质量比为１００时,主要是液相晶化机制起艇,表面的Ｓｉ－Ｏ键或Ａｌ－Ｏ键参与晶化,使膜与载体紧密结合。     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

新型Ni－Cu－P／MoS_2固体润滑镀层优化试验研究

研制出一种新型Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２电刷镀固体润滑复合镀层。对影响镀层耐磨性的因素进行了正交设计;包括镀液中铜盐、次亚磷酸盐、二硫化钼及刷镀电压。对得到的９种镀层,进行了摩擦磨损试验,测量其磨损量及摩擦系数,最终优化出最佳的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２镀层及相应的镀液。还对镀层的相结构及成分进行了测试,讨论了它们对镀层耐磨性的影响。结果表明,镀层中一定量的铜及亚稳间隙相对改善镀层的耐磨性及减磨性具有重要作用。     

基于CSCW的中文超媒体技术的研究实现

讨论了基于ＣＳＣＷ的新一代中超媒体技术,主要介绍超媒体系统数据结构模型,分布与协作技术,超链自动链接技术,超媒体系统的中检索技术,超媒体系统的用户界面等,并介绍了一个基于工作组网络系统Ｗｉｎｄｏｗｓ ｆｏｒ Ｗｏｒｋｇｒｏｕｐｓ的超媒体原型的系统实现,该系统是一个面向大容量超媒体中档案的协作写作系统,适用皇大中型中电子图书和档资料库的光盘出版物的制作。