红霉素发酵生产后期的调控研究

采用FUS-50L（A）生物反应器对红霉素发酵生产过程进行调控，在后期按优化方案向发酵液中补入混合物X，可使最终发酵液的生物效价和红霉素A组分的相对百分含量分别由对照样品的6089u／mL、81．16％提高至条件样品的8316u／mL、89．78％．同时，通过多尺度参数分析，阐明了红霉素发酵生产后期优化控制的重要性．     

不对称合成4-氧代-2,4-二苯基-丁酸酯

手性醇衍生的α-重氮苯乙酸酯与N-(苯乙烯基)-吗啉在铜盐催化下的反应，能够以高度的化学产率制备手性的4-氧代-2，4-二苯基-丁酸酯，产物中两种非对映异构体的比例达到2：1．     

山西三个地区短额负蝗的RAPD分析

采用随机扩增多态性DNA(RAPD)技术对山西短额负蝗3个种群(繁峙、原平和太原)45个个体进行扩增，10条随机引物扩增共产生了125条带，多态性片段为121条，种间共有片段为5条．Nei’s基因多样性指数对RAPD数据的分析表明：种群间的遗传分化系数为0．2206，22．06％的遗传变异存在于种群间，用NJ法和UPGMA法对这三个种群的Nei’s遗传距离作聚类分析，结果显示：原平种群和繁峙种群遗传分化较小，太原种群与它们的遗传分化较大，由Nei’s遗传一致度和遗传距离可以看出，繁峙种群和原平种群的遗传距离最小为0．0852，它们与太原种群的遗传距离较远，结果表明短额负蝗不同种群的遗传分化程度与遗传距离和地理距离呈正相关。     

纳米科技的研究领域及前景展望

当物质小到纳米尺度时 ,就会出现新的现象 ,产生新的效应。纳米科技从三个方面进行研究 ,它的最终目的是以原子、分子为起点 ,制备具有特殊功能的产品 ,使这些产品的性能有明显的改善和提高。纳米科技的发展将引起一场几乎所有工业领域的革命。     

浅谈会计实务中的谨慎性原则

谨慎性原则作为会计操作中的基本原则之一，在日常工作中发挥着重要作用。文章从资产的定义、收益确认、财务分析等不同角度分析了谨慎原则在会计实务中的具体运用。     

关于发展山西煤机制造业之浅见

文章以国内外煤机装备制造业现状为切入点，分析了山西煤机产业的现状及存在问题，提出了发展优势与相应建议。     

压印光刻中高精度莫尔对准方法的研究

针对分步压印光刻工艺中多层套刻的高精度对准问题,提出一种应用斜纹结构光栅副实现x、y、θ三自由度自动对准的方法.光栅副分为4个区域,应用光电转换器阵列检测光栅副相对移动所引起的莫尔信号变化,通过电路系统处理可同时得到在平面x、y、θ三自由度的对准信号.驱动环节采用直线电机和压电驱动器作为宏微两级驱动,其分辨率分别为0.2μm和0.1nm,在激光干涉仪全程监测下,与控制系统一起构成闭环系统实现自动对准定位.实验结果表明,在多层压印光刻工艺中,实现了压印工作台步进精度小于10nm的高精度定位要求,使整个对准系统的套刻精度小于30nm.因此,应用这种莫尔对准方法可以获得较高的对准精度,同时能够满足压印100nm特征尺寸套刻精度的要求.     

自主车辆视觉系统的摄像机动态自标定算法

为了解决自主车辆视觉传感器在姿态变化后摄像机旋转外参数的在线自标定问题,提出了一种利用道路图像消失点相对不变量的摄像机旋转外参数的动态自标定算法.它首先从汽车采集到的道路视频序列中实时分析道路消失点,然后依据中心极限定理并使用相应的统计量,动态地估计主消失点与消失线参数,最后利用小孔成像模型下的消失线与消失点方程,解析地求得对应于当前统计特征的摄像机外部参数动态解.实验结果表明,在摄像机进行姿态调整后,实验系统使用本算法可在不超过90帧有效图像样本的基础上,能对摄像机旋转外参数进行精确标定,使旋转外参数的绝对误差值收敛于0.001 rad的误差带之内.     

一种适用于并行文件系统的高可用机制

针对并行文件系统文件数据分布存储的特性所带来的系统可靠性和可用性降低的问题,提出了一种提高并行文件系统可靠性与可用性的机制.该机制采用数据镜像技术,应用逻辑镜像环来指定存储节点间的镜像关系,使得一个存储节点既存储自身的数据,也作为其他节点的数据备份节点.该机制还可以通过调整镜像深度,以满足用户对文件系统不同级别的可靠性和可用性要求.同时,建立了马尔可夫链模型,以评估所提机制的可靠性和可用性.数学求解表明,在镜像深度为2时,应用该机制的并行文件系统发生数据丢失的平均时间大大提高,约为原系统的32倍.     

β-SiC非线性导电特性影响因素及机理的研究

研究了-βSiC非线性导电特性的影响因素及其机理,提出了利用-βSiC作为电机线棒防电晕材料的新方法.在-βSiC微粉合成的过程中,向其中掺杂V、Al等非4价金属,与-βSiC形成固溶体,可有效地改变β-SiC的非线性导电特性;-βSiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属杂质,随其含量的提高,-βSiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量提高,-βSiC微粉电阻率提高,非线性系数增大;随晶体中x(C)/x(Si)的增大,-βSiC微粉电阻率降低,非线性系数减小.随着-βSiC微粉表面SiO2含量的增加,其防电晕涂层表面电阻率Sρ和起晕电压随之提高,最高可达55 kV,-βSiC完全可单独用作电机线棒的防电晕材料.