高微量元素豆芽研究

以豆芽作为载体,通过其发芽过程使无机铁、锌转换为有机铁、锌.在发芽以前通过控制添加剂量可以形成高铁和高锌豆芽.此种豆芽可以作为铁源和锌源,更易被人们所接受,并且为治疗和预防锌、铁微量元素缺乏症开辟了一条更可行的途径.     

两级SBR无外加碳源除磷脱氮的运行模式

在已有的两级SBR除磷脱氮工艺研究成果的基础上,分析了该工艺除磷与脱氮的优势和原运行模式存在的不足,提出了采用两级SBR工艺优化除磷与脱氮的改进运行模式,讨论了采用改进后的运行模式,在无需外加碳源条件下,实现对城市污水同步高效除磷与脱氮的可行性,分析了对该两级工艺实行实时过程控制的可行性。     

苏通大桥基础工程的挑战与创新

介绍了苏通大桥超大深水群桩基础利用工程钢护筒搭设施工平台、５０００t承台钢吊箱整体同步沉放 及其与防船撞结构相结合构成永久防船撞设施、永久冲刷防护等三项技术创新;提出了特大型桥梁基础工程经 济合理的设计方案和安全可靠的施工法;阐明了理念创新和技术集成对大型复杂工程建设的重要性。     

基于数学模型的居民家庭股票投资研究

本文在均值-方差框架下分析了居民家庭如何进行股票投资选择,以及如何在现金,债券和股票之间作出最优投资分配.并且,通过微观数据实证分析了北京市居民家庭股票投资选择的状况.     

喷射率对柴油机性能和排放影响数值模拟研究

为了以较低的成本降低中速大功率船用柴油机的NOx排放,开发了一种可实现靴型燃油喷射规律的调压孔武喷油泵.利用三维CFD软件AVL FIRE v8.5对某大功率中速船用柴油机的缸内流动、混合气形成和燃烧过程进行了模拟计算,分析了调压孔式喷油泵的靴型喷射规律在2种负荷、3种喷油定时下对柴油机性能和排放的影响.结果表明:所用...     

基于差分进化的模糊PID复合控制在汽轮机转速调节系统中的应用

为了改善汽轮机调速系统的动态响应特性以及稳定性,采用模糊PID复合控制,首先建立对象的数学模型,并通过差分进化算法对控制器参数离线寻优,最后基于Matlab平台对方法进行了验证.仿真结果表明:该方法在处理负载突变情况时,相比传统的PID控制器有更好的响应,稳定时间和超调率均有较大改进;当模型参数发生改变时,模糊PID复...     

空间三维物体二维投影的一种新方法

计算机图形技术是随着计算机技术在图形领域中的应用而发展起来的一门新技术。它能够通过计算机将数据转化为图形,并在专门显示设备上显示。研究了空间中三维物体二维成像的一种新方法,即利用透视投影原理,在确定了参考位置后,通过矩阵旋转的方法在投影平面上确定坐标轴,最后用数值结果验证了这种算法的正确性。     

超弹性膜的等轴拉伸试验方法及仿真

提出了一种针对超弹性膜材料的等轴对称拉伸试验装置,介绍了等轴拉伸试验的原理和方法,并对等轴拉伸试验条件及数据处理进行了分析,最后运用有限元软件ABAQUS对等轴理想拉伸、边角拉伸点不固定的自由拉伸、边角点固定的等轴拉伸3种等轴拉伸方法进行仿真.结果表明,边角点固定的等轴拉伸方法在较大拉伸试验范围内的误差较小,可以满足材...     

甲烷重整制合成气机理研究的进展

天然气工业技术中CH4的重整反应一直是科学研究的热点,实验发现CH-4有多种途径转化为合成气(CO,H2),但机理不相同.随着研究方法的不断更新,人们对重整反应机理的研究也逐步深入.主要阐述了机理研究的发展与现状,并结合催化剂积碳、反应条件、产率等方面比较了重整的各种途径,对现有的机理作了对比分析.     

An overview of resistive random access memory devices

With recent progress in material science, resistive random access memory (RRAM) devices have attracted interest for nonvolatile, low-power, nondestructive readout, and high-density memories. Relevant performance parameters of RRAM devices include operating voltage, operation speed, resistance ratio, endurance, retention time, device yield, and multilevel storage. Numerous resistive-switching mechanisms, such as conductive filament, space-charge-limited conduction, trap charging and discharging, Schottky Emission, and Pool-Frenkel emission, have been proposed to explain the resistive switching of RRAM devices. In addition to a discussion of these mechanisms, the effects of electrode materials, doped oxide materials, and different configuration devices on the resistive-switching characteristics in nonvolatile memory applications, are reviewed. Finally, suggestions for future research, as well as the challenges awaiting RRAM devices, are given.