川西拗陷雷四3亚段高频层序特征及控制因素

在川西拗陷中三叠统雷口坡组沉积背景研究基础上,通过岩心、薄片观察和测井、地震资料分析,运用层序地层学原理,研究雷四3亚段高频层序发育特征,对雷四3亚段进行精细层序地层对比,落实层序地层在研究区展布情况,探讨其发育控制因素及与储层发育的关系.雷口坡组可划分出2个Ⅲ级层序,雷四3亚段发育于第2个Ⅲ级旋回sQ2高水位体系域,进一步可识别出2个Ⅳ级层序和7个Ⅴ级层序.在高频层序划分的基础上,建立了雷四3亚段高频层序地层格架,以Ⅴ级层序为单元,对研究区雷四3亚段地层进行精细对比发现,层序地层横向具有较好的对比性,XS1井、DS1井、TS1井缺失顶部地层,分析认为与印支期地层剥蚀有关.川西拗陷雷四3亚段层序发育主要受海平面升降、构造运动及气候影响,Ⅴ级层序以向上变浅的旋回为主,溶蚀作用主要发育在Ⅴ级层序中上部,易形成优质溶蚀型储层.     

关于民营企业"原罪"的辩证分析

经济方面的“原罪”在历史的各个转折关头都存在,但它是一种不可用现行法律加以惩罚的“罪”,是一种能够推动历史进步的“非罪”之“罪”。中国民营企业的“原罪”,与历史上的“原罪”具有不同的表现形式,是特殊的国情导致的体制之“罪”。我们在舆论上不宜大张旗鼓地声讨和清算民营企业的“原罪”,在现实经济生活中要严格惩罚民营企业的“本罪”,同时要保护民营企业的进取心,优化民营企业的经营环境,宣传民营企业的经济功绩。     

两级SBR无外加碳源除磷脱氮的运行模式

在已有的两级SBR除磷脱氮工艺研究成果的基础上,分析了该工艺除磷与脱氮的优势和原运行模式存在的不足,提出了采用两级SBR工艺优化除磷与脱氮的改进运行模式,讨论了采用改进后的运行模式,在无需外加碳源条件下,实现对城市污水同步高效除磷与脱氮的可行性,分析了对该两级工艺实行实时过程控制的可行性。     

基于数学模型的居民家庭股票投资研究

本文在均值-方差框架下分析了居民家庭如何进行股票投资选择,以及如何在现金,债券和股票之间作出最优投资分配.并且,通过微观数据实证分析了北京市居民家庭股票投资选择的状况.     

喷射率对柴油机性能和排放影响数值模拟研究

为了以较低的成本降低中速大功率船用柴油机的NOx排放,开发了一种可实现靴型燃油喷射规律的调压孔武喷油泵.利用三维CFD软件AVL FIRE v8.5对某大功率中速船用柴油机的缸内流动、混合气形成和燃烧过程进行了模拟计算,分析了调压孔式喷油泵的靴型喷射规律在2种负荷、3种喷油定时下对柴油机性能和排放的影响.结果表明:所用...     

异化金属还原菌利用发酵制氢废液还原软锰矿

利用纯二氧化锰在微酸性条件下对异化金属还原菌进行驯化,二氧化锰的颜色由黑色逐渐变浅至白色,X射线衍射分析表明微生物可有效还原二氧化锰成为碳酸锰;以发酵制氢废液为还原底物,利用异化金属还原菌在不同酸性条件下直接浸出低品位软锰矿,通过单因素实验研究厌氧条件、pH值对锰浸出率的影响,并对制氢废液化学需氧量(COD)的去除率及浸出机理进行研究.结果表明,异化金属还原菌利用发酵制氢废液还原软锰矿,厌氧浸出优于好氧浸出,最佳pH值为3.0～3.5,浸出时间为3 d时,最大浸出率达到98%;用软锰矿对发酵制氢废液在微酸性条件下进行降解,COD质量浓度为2612 mg.L-1时最大去除率达到84%,COD去除率随软锰矿量的增加而增大.     

空间三维物体二维投影的一种新方法

计算机图形技术是随着计算机技术在图形领域中的应用而发展起来的一门新技术。它能够通过计算机将数据转化为图形,并在专门显示设备上显示。研究了空间中三维物体二维成像的一种新方法,即利用透视投影原理,在确定了参考位置后,通过矩阵旋转的方法在投影平面上确定坐标轴,最后用数值结果验证了这种算法的正确性。     

甲烷重整制合成气机理研究的进展

天然气工业技术中CH4的重整反应一直是科学研究的热点,实验发现CH-4有多种途径转化为合成气(CO,H2),但机理不相同.随着研究方法的不断更新,人们对重整反应机理的研究也逐步深入.主要阐述了机理研究的发展与现状,并结合催化剂积碳、反应条件、产率等方面比较了重整的各种途径,对现有的机理作了对比分析.     

An overview of resistive random access memory devices

With recent progress in material science, resistive random access memory (RRAM) devices have attracted interest for nonvolatile, low-power, nondestructive readout, and high-density memories. Relevant performance parameters of RRAM devices include operating voltage, operation speed, resistance ratio, endurance, retention time, device yield, and multilevel storage. Numerous resistive-switching mechanisms, such as conductive filament, space-charge-limited conduction, trap charging and discharging, Schottky Emission, and Pool-Frenkel emission, have been proposed to explain the resistive switching of RRAM devices. In addition to a discussion of these mechanisms, the effects of electrode materials, doped oxide materials, and different configuration devices on the resistive-switching characteristics in nonvolatile memory applications, are reviewed. Finally, suggestions for future research, as well as the challenges awaiting RRAM devices, are given.     

2010年7月8日英山特大暴雨过程的成因分析

利用GFS(0.5°×0.5°)6 h再分析资料、LAPS资料以及FY-2c卫星云图资料、武汉区域雷达拼图产品和自动站实时资料,对2010年7月8日发生在英山的特大暴雨过程进行了分析.结果表明:控制湖北地区的副高南退时,副高外围东移的短波槽引导北方冷空气下滑是此次过程的触发机制;低层切变、低空急流、露点锋和地面辐合线引起了低层辐合、中层辐散、低层θse锋生及中上层θse锋区下移,提供了有利的动力条件;750～1 000 hPa的高湿区是水汽条件;温度槽温度脊的配合、对流有效位能的持续增加和湿位涡上正下负的配置为此次过程提供了不稳定能量.