谈期刊目录数据库的建设与期刊工作的发展

论述了期刊目录数据库建设的准备工作、建库时的注意事项以及建库后期刊部工作的发展方向。     

水族儿童科学素质调查与研究

通过对水族科学文化背景的调查和对水族儿童进行物理问题测查,取得了水族儿童所具有的科学素质的数据资料,通过定性和定量的分析,反应出儿童的生活文化背景对其科学素质的形成有着极其重要的作用。     

双寡头竞争环境下的碳配额分配策略研究

考虑碳配额分配策略对具有不同单位产品碳排放水平企业的生产决策影响,构建双寡头竞争环境下的差异化碳配额分配策略.通过建立基于差异化分配策略的古诺模型,研究了各种碳配额分配策略对具有不同单位产品碳排放水平企业的利润、价格、产量和碳排放的影响.分析结果表明,市场规模和单位产品碳排放水平对减排措施的实施效果具有显著影响;侧重低排企业的差异性配额分配策略优于其它配额分配策略,该策略能够在减少碳排放的基础上更好地保护低排企业,激励企业积极降低单位产品碳排放水平、更好地应对国际竞争;侧重高排企业或均等的碳配额分配策略虽能实现减排的目的,但会带来反向激励效用,从理论上验证我国当前策略的恰当和不足.     

低能电子与第二周期元素原子碰撞截面的理论计算

作者采用等效势方法讨论了电子被原子散射的物理模型.入射电子在原子有效势场中运动的势能可以表示成静电势能Vo(r)、极化势能Vp(r)和交换势能Ve(r)之和.作者考虑到入射电子波的畸变,利用修正的极化势截断函数得到了入射电子与靶原子相互作用的解析势能函数,并进一步编程计算了电子与第Ⅱ周期元素原子散射的总截面和动量转移截面,其结果与已有的实验和计算结果符合得较好,并得到了截面与原子序数的一些变化关系.     

基于 32 位 MCU 的 XLPE 生产线中 Modbus 的实现

为解决 32 位 MCU(Microcontroller Unit)与直流调速器的通讯问题,提出一种基于 Modbus 总线协议的通 讯方法以及实现过程。其中 32 位 MCU 选用 STM32F103 芯片并作为通讯主机,直流调速器选用 ETD DC790P 并作为通讯从机。该方法可以实现一主机多从机的通讯结构,实现一个 32 位 MCU 主机与多个直流调速器从 机通讯。主机通过协议发送指令给从机,从机接到指令做出动作并通过协议回应主机。实验证明,基于Modbus 协议的通讯方法能精准实现主机与多个从机的通讯以及 32 位 MCU 对电机转速转矩等控制,并且 Modbus 实现 方法具有稳定性高、抗干扰能力强、可移植性高等优点。     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

CH2(X3B1)和C2H(X2∑+g)分子的结构与解析势能函数

运用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-311 G**水平上,对基态CH2、C2H分子的结构进行了优化计算,得到CH2分子的稳定结构为C2υ构型,电子态为X3B1,平衡核间距RCH＝0.1079 nm、离解能De＝8.037 eV;C2H分子的稳定结构为C∞υ构型,电子态为X2∑g ,平衡核间距RCH＝0.1059 nm、R∞＝0.1211 nm、离解能De＝12.05 eV,用多体项展式理论推导了基态CH2和C2分子的解析势能函数,其等值势能图准确再现了基态CH2和C2H分子的结构特征及其势阱深度与位置.     

GaAs在外电场作用下的分子特性研究

用密度泛函B3LYP方法在6-311++g(3df,3pd)基组水平下对GaAs在不同强度外电场(-0.003～0.003 a.u.)下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响.结果表明,随着Ga→As方向外电场的增加,分子键长、偶极矩增大,原子电荷也递增,能隙、谐振频率及其红外强度递减,总能量降低;在外电场作用下,GaAs基态分子势能曲线也发生变化,离解能随之变化.     

DBr分子基态(X~1Σ~+)的结构与势能函数

用量子化学计算方法CCSD和QCISD,分别在基组6-311++G**和TZV下,优化计算了DBr分子基态的平衡结构和离解能,得到的平衡核间距与实验值基本吻合.采用标准Murrell—Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了DBr分子势能函数的解析表达式,并进一步计算出DBr分子的力常数及光谱常数.     

DF分子基态(X1∑+)的量子化学从头计算

用ab in itio计算方法:CCSD(T)/6-311++G**,CCSD(T)/cc-pvdz,QC ISD(T)/6-311++G**,QC ISD(T)/cc-pvdz,对DF分子的基态进行优化计算,优化的平衡间距分别为0.091 599 872nm,0.091 971495nm,0.091 623 623nm,0.091 978 183nm,与实验值0.091 694 000nm基本吻合,误差小于0.000 28。采用标准Murrell—Sorb ie函数用非线性最小二乘法拟合,得到了DF分子势能函数的解析表达式,通过De、a1、a2、a3计算出力常数及光谱常数,计算数据与实验数据吻合得相当好。