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241.
根据催化氧化原理,利用4A分子筛为载体,次氯酸钠(NaClO)为氧化剂,通过硫酸锰(MnSO4)在其表面的原位氧化来制备对环境无害的锰氧化物(MnOx)改性的分子筛(MnOx@MS)材料.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线衍射(XRD)对材料进行了表征.XRD分析表明:Mn元素是以MnOx形式存在,在pH为7.2时,反应得到的MnOx中Mn离子的价态最高.测试表明:Mn离子的价态越高对含酚废水的处理效果就越好.采用在最优条件下得到的MnOx@MS材料作为催化剂,对过氧化氢(H2O2)氧化降解含酚废水进行研究,考察了不同体系、温度、pH值和H2O2用量对苯酚降解的影响.结果表明:在优化的降解条件下,120 min内,未改性分子筛对苯酚的去除率仅为35%,而MnOx@MS改性材料对苯酚的去除率达到82%,说明通过MnOx改性后的分子筛,对苯酚的氧化降解能力大大提高. 相似文献
242.
利用拟群给出所需的带洞图设计,再结合一些小阶数的图设计的存在性,得到了关于图Gm=Km+2、Km的图设计的一些存在性结果.从而展示了拟群在解决图设计问题中的应用. 相似文献
243.
城市污水处理厂硫化氢恶臭气体的发生及源控制 总被引:2,自引:0,他引:2
城市污水处理厂散发的硫化氢,臭阅低,可与不饱和酮反应生成其它恶臭物质,不仅严重影响周围居民的生活质量,还会腐蚀污水厂的混凝土和金属构筑物,降低处理效率,并且对污水处理厂的工作人员具有毒害作用。随着公众环保意识的提高,控制与消除城市污水处理厂硫化氢的恶臭污染已成为各国环保科研人员的研究热点之一。控制污水处理厂恶臭污染的传统方法是末端治理,即在硫化氢生成之后进行消除,与末端治理相比,预防性控制法最突出的优点在于防患于未然,抑制硫化氢生成,从源头上解决了污水处理厂硫化氢的污染问题。本文重点介绍了预防生化硫化氢生成的措施,最后提出了一些尚待解决的问题,展望了未来技术的发展方向。 相似文献
244.
梁丽萍 《科技情报开发与经济》2008,18(10):30-31
对图书馆文献信息资源建设的意义、现状进行了阐述,探讨了图书馆文献信息资源建设中存在的一些问题,并提出了解决对策。 相似文献
245.
讨论了图书馆核心价值的概念及含义,阐明了对图书馆核心价值进行进一步研究的重要意义,提出了图书馆核心价值的实现途径。 相似文献
246.
在概述个人汽车贷款的市场定位及市场总体情况的基础上,分析了个人汽车消费信贷的风险,探讨了个人汽车消费信贷风险的防范与控制对策。 相似文献
247.
提出压电分流阻尼技术的虚拟实现方法,用主动控制的方法来真实地模拟被动压电分流阻尼器的效果。利用压电分流阻尼系统的动力学基本方程设计反馈控制器,建立相应于LR串联分支电路的反馈控制结构,整个闭环控制系统稳定或渐进稳定。虚拟实现方法避免了大电感的要求,可以在线调节电感和电阻的数值以适应环境的变化,克服了物理压电分流阻尼器的两大缺陷。数值仿真结果表明,虚拟实现方法能够有效地控制连续结构的振动。 相似文献
248.
【目的】为探讨北黄海獐子岛附近海域氮、磷的来源及其污染风险状况,对该海域表层沉积物中氮、磷的形态和分布特征进行分析。【方法】采用K2S2O8氧化法和HCl浸取法对獐子岛附近海域13个站位的表层沉积物中总氮(TN)、总磷(TP)及其无机和有机态的含量进行分析,并采用单因子标准指数法对氮、磷的污染水平进行评价。【结果】獐子岛附近海域沉积物中TN和TP的含量分别为0.192~1.357 mg/g和0.302~0.489mg/g,有机氮(ON)和无机磷(IP)是表层沉积物中氮和磷的主要存在形式,分别占TN与TP的90.93%和82.84%。沉积物中TN和TP在研究区域南部含量较高,这与沉积物粒度密切相关;而ON、有机磷(OP)两者都与有机碳(TOC)含量具有显著相关性,说明它们具有相似的来源。单因子标准指数法分析表明獐子岛附近海域沉积物中TP含量较低,标准指数均小于1;而TN含量相对较高,其标准指数为0.35~2.47。【结论】獐子岛附近海域沉积物中氮为陆源和自生混合来源,而磷主要是陆源输入;海域沉积物环境受到氮的污染。 相似文献
249.
灰渣组分对灰渣熔点影响的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用某医疗废物焚烧炉灰渣,研究添加不同组分物质对其熔点的影响。参考此灰渣比例,以SiO2、Al2O3、Fe2O3、Na2CO3、NaCl和CaO配成模拟灰渣,研究其组分含量变化时熔点的变化情况。结果表明:添加SiO2、Fe2O3、Na2CO3对焚烧炉灰渣和模拟灰渣均具有助熔作用,且前2种物质使熔点降低160℃以上;CaO在焚烧炉灰渣和模拟灰渣中均起到提高熔点的作用。 相似文献
250.
介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。 相似文献