莱豆真空油炸工艺优化研究

研究莱豆真空油炸的工艺特性,包括:油炸温度、真空度、时间和冷冻速率等对特色营养成分大豆异黄酮的保存和产品感观品质的影响,提出将真空油炸技术应用于香酥莱豆产品的加工,采用正交试验筛选真空油炸工艺条件。所选出的最佳工艺条件为:真空度0.085Mpa,油炸温度110℃,油炸时间15min,冷冻速率-2.5℃/h。按此生产的产品品质明显优于常压油炸产品,并且大豆异黄酮保存率比常压油炸产品高3倍,产品理化和卫生指标符合食品卫生标准,保质期12个月。     

半群DOPD(n,r)的秩和相关秩

设自然数n≥3,DOPD_n是有限链[n]上的保序且保距部分一一奇异降序变换半群.对任意的r（0≤r≤n-1）,记DOPD（n,r）={α∈DOPD_n：|Im（α）|≤r}为半群DOPD_n的双边星理想.通过对秩为r的元素和星格林关系的分析,获得了半群DOPD（n,r）的极小生成集和秩.确定了当0≤l≤r时,半群DOPD（n,r）关于其星理想DOPD（n,l）的相关秩.     

唐古特大黄中新化学成分的鉴定

鉴定高原植物唐古特大黄(Rhewn tanguticum Maxim.ex Balf)的根茎中的大黄降脂素(Rhapontinum)。采用元素分析(EA)、核磁共振波谱(NMa)、质谱(MS)、红外光谱(FTIR)、紫外光谱(UV)等分析方法,测定其理化常数和波谱数据,鉴定其化学结构。确证从唐古特大黄中所得到的黄色针状结晶化合物为大黄降脂素,化学名3’3’5’-三羟基-4-甲氧基芪-3’-β-D-葡萄糖甙,其提取量8％左右。首次从藏药唐古特大黄中分离出高含量的上述化合物。     

半群PD(n,r)的秩和相关秩

设自然数n≥3, PDn是有限链［n］上的保距部分一一奇异变换半群。PD(n,r)={α∈PDn:|im(α)|≤r}(0≤r≤n-1)是半PDn的双边理想。通过对半群PDn的秩为r的元素的分析,获得了半群PD(n,r)的极小生成集和秩。进一步确定了当0≤l≤r时,半群PD(n,r)关于其理想PD(n,l)的相关秩。     

半群SPOn中理想的非群元秩和相关秩

设自然数n≥3,SPOn是有限链[n]上的严格部分保序奇异变换半群.对任意的r(0≤r≤n-2),记N(n,r)={α∈SPOn:|Imα|≤r}为半群SPOn的双边理想.通过对其非群元和格林关系的分析,分别获得了半群N(n,r)的极小非群元生成集、非群元秩和非幂等元秩.进一步确定了当0≤l≤r时,半群N(n,r)关于其理想N(n,l)的相关秩.     

基于IPv6的局域网通信系统的设计和实现

IPv6是未来Internet的基础。设计的局域网通信系统是建立在IPv6的基础之上的,系统中包括服务器端和客户端,客户之间能够自由地交换信息。软件代码全部使用VC＋＋开发,系统执行效率高,稳定性好。本系统具有可扩展性,能比较容易地扩展到广域网的应用中。给出了系统的实现情况。      

双参数地基模型下预应力闸室底板计算方法研究

闸室底板是闸室结构容易开裂的部位,目前国内外对预应力闸室底板计算方法的研究较少。为了更好的研究预应力闸室底板变形以及受力特征,该文在双参数地基模型下对闸室底板施加预应力,通过构造三次样条插值函数把预应力荷载转化为等效节点荷载,用计算普通弹性地基梁的方法计算预应力闸室底板。计算结果表明,给闸室底板布置合理的预应力形式能够达到减小地基不均匀沉降和闸室底板的内力的目的,对预应力闸室结构的设计具有指导意义。     

关于K_D(n,r)的极大逆子半群

设Xn={1,2,3,…,n}(n≥3)并赋予自然序,DOIn为Xn上的一切保序或保反序严格部分一一变换半群.设2≤r≤n-1,刻划了DOIn的理想KD(n,r)={α∈DOIn:|imα|≤r}(n≥3)的极大逆子半群的结构.     

Effect of 6H-SiC crystal growth shapes on thermo-elastic stress in the growing crystal

The effect of 6H-SiC crystal growth shapes on the thermo-elastic stress distribution in the growing crystal was systematically investigated by using a finite element method. The thermo-elastic stress distribution in the crystal with a flat growth shape was more homogeneous than that in the crystals with concave and convex growth shapes, and the value of thermo-elasticity in the crystal with a flat growth shape was also smaller than that in the two other types of crystals. The maximum values of thermo-elastic stress appeared at interfaces between the crystal and the graphite lid. If the lid was of the same properties as 6H-SiC, the thermo-elastic stress would decrease in two orders of magnitude. Thus, to grow 6H-SiC single crystals of high quality, a transition layer of SiC formed by deposition or reaction is suggested; meanwhile the thermal field in the growth chamber should be adjusted to maintain the crystals with flat growth shapes.