MgCoAl类水滑石的合成、表征及催化性能研究

采用共沉淀法合成了不同摩尔比的MgCoAl类水滑石,应用XRD、IR 手段进行表征,考察了它们在苯甲醛氧化成苯甲酸反应中的催化活性.研究表明,MgCoAl类水滑石具有很高的催化活性,在温度60℃时,当V(苯甲醛)∶V(乙酸)＝3∶9,催化剂n(Mg2+)∶n(Co2+)∶n(Al3+)=0.4∶1.6∶1.0的用量为0.1 g时,反应60 min,苯甲醛的转化率近100%,苯甲酸的选择性为100%.     

岩黄连离体细胞培养及生物碱成分分析

选取岩黄连不同组织部位作为外植体诱导愈伤组织，调整基本培养基和初始pH值，经多次继代培养，获得稳定生长的岩黄连离体细胞；采用薄层层析（TLC）、紫外扫描（UV）和高效液相色谱（HPLC）等方法对细胞和植株中生物碱成分进行分析测定。结果表明，叶片最适于诱导愈伤组织；最佳基本培养基为B5，初始pH值为6．0；岩黄连离体培养细胞的生长周期为20d左右，第15天生物量最高，达到15．3g／L（DW）；细胞和植株中生物碱成分有较大差别，但都舍有脱氢卡维丁，细胞中脱氢卡维丁的含量为0．58mg／g。     

论高校图书馆管理的人本化

围绕人本管理理念,分析和探讨了人本化管理的内容,提出了做好人本管理工作的相应措施。     

青山湖夏季浮游植物群落结构及水质评价

2013年7月份对黄石青山湖的浮游植物群落结构和水质状况进行了调查.共鉴定浮游植物90种,隶属7个门51个属,其中以绿藻门种类最多,有21属36种,占浮游植物种类总数的40％;蓝藻门种类数次之,有12属23种,占浮游植物种类总数的25.56％;硅藻门有8属14种,占浮游植物种类总数的15.56％;裸藻门5属9种,隐藻门有2属5种,黄藻门2属2种,甲藻门1属1种;浮游植物平均密度约为67.450×106个/L,以隐藻门数量最多,平均密度约为28.396×106个/L,占水体中浮游植物整体平均密度的42.10％,说明青山湖夏季浮游植物以隐藻为优势类群.基于浮游植物密度、优势种、污染指示种、Margalef多样性指数和国家地表水环境质量标准（GB 3832-2002）综合评价,青山湖水体污染严重,呈富营养状态.     

京张区域生态环境整体性研究

京张区域是中国首都圈的生态功能核心区域.通过分析认为,该区域生态环境具有区位特殊性、系统脆弱性、功能一体性、地域分割性、发展二元性等特征,存在干旱缺水、土地沙化、水土流失、风沙危害、环境污染等突出问题.北京作为特大城市发展所依赖的周边生态环境与上海、广州等城市有本质不同,必须作为特殊情况给予高度重视.     

表面活性剂对稀土荧光反应的影响——Ⅰ 离子型表面活性剂存在下 Ln~(3+)(Ln=Sm,Eu,Tb)-β-二酮、Ln~(3+)-β-二酮-有机碱及水溶性体系的荧光光谱

讨论了阴离子型表面活性剂(SDS)和阳离子型表面活性剂(CTMAB、Zeph 和 CPC)对 Ln~(3+)-β-二酮二元体系、Ln~(3+)-β-二酮-Phen(或 DPG)三元体系及 Tb~(3+)-AA-EDTA、Tb~(3+)-Tiron、Tb~(3+)-H_2Sal-EDTA 水溶性体系荧光光谱的影响,发现不同的表面活性剂对不同的反应体系影响不尽一致.增敏程度与表面活性剂和荧光配位体的结构有关。     

极小子群对有限群结构的影响

有限群G的一个子群H称为G的c^＊-正规子群,若存在G的正规子群K,使得G=HK且H∩K在G中S-拟正规可嵌入．利用极小子群的c^＊-正规性刻划群G的结构,得到了群G为p-幂零的若干充分条件．     

具负定周期系数矩阵的非线性微分方程的周期解

研究了一类具负定周期系数矩阵的非线性微分方程，利用李雅普诺夫第二方法、指数型二分性理论及稳定性有关理论证明了该系统一致渐进稳定的唯一的周期解的存在性。     

水-有机两相体系长链烯烃氢甲酰化反应研究--阳离子表面活性剂结构的影响

合成了四种季铵盐型阳离子表面活性剂C22H45N（CH3）2C2H5Br(二十二烷基乙基二甲基溴化铵)，C22H45N(CH3)2C4H9Br(二十二烷基丁基二甲基溴化铵)，C22H45N(CH3)2C8H17Br(二十二烷基辛基二甲基溴化铵)，C22H45N(CH3)2C12H25Br(二十二烷基十二烷基二甲基溴化铵)，并考察了其对Rh-TPPTS[TPPTS：P(m—C6H4SO3Na)3]催化的水—有机两相长链烯烃氢甲酰化反应性能的影响．研究结果表明，在该体系中添加含有疏水长链的阳离子表面活性剂后，反应性能得到明显改善．     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。