哈密顿量显含时间的玻色系统时间演变及厄密不变量

本文研究含时耦合玻色系统的时间演化，并且发现用适当选取的厄密不变量，不仅可得到系统量子态的时间演化封闭解，而且可得到时间演化正算符．本文利用时间演化算符讨论了含时耦合光场的相干性．     

Synthesis and Characterization of Poly（methylsilane） as Ceramic Precursor

Polysilanes are novel polymers with Si-Si catenation chain. They can be used as precursors for SiC ceramic, have important applications in anti-oxidation of C/C composites. Poly（methylsilane） （PMS）, which is an ideal precursor to stoichiometric SiC, is synthesized by the sodium polycondensation reaction of monomer CH3SiHCl2. During the reaction, there is an initiation period. In this period there is no obvious exothermic reaction after dropping of monomer, then suddenly eruptive reaction arise and temperature goes up quickly, After the eruption, the polymerization can proceed smoothly. This phenomenon is harmful to scale-up.     

RCN-1反射宇宙中子仪的研制

文章详细论述了RCN-1反射宇宙中子仪及测量装置的研制和宇宙中子、反射宇宙中子的形成过程。初步进行了宇宙中子流的测量,结果表明:在不同的气象条件下,宇宙中子流呈现有规律的变化。该文还对宇宙中子在工程地质、大气环境、自然灾害等方面的应用作了初步探讨。     

一类具扩散的两种群相互作用的传染病模型

针对具扩散的两种群相互作用的传染病模型,利用线性化方法及构造适当的Lyapunov泛函探讨在有界区域上的一类半线性耦合抛物型方程组的动力学行为.结果表明,只要易感食饵的内部竞争率足够小、染病率足够大,且染病食饵的死亡率足够小,捕食者对易感食饵的捕获率足够小,则正平衡点E*全局渐近稳定.     

热固性丙烯酸酯乳胶固化行为的研究

本文用动态力学扭辫分析法,研究了丙烯酸酯共聚乳胶与六甲氧基甲基三聚氰胺的热固化动态力学行为。结果表明,热固化丙烯酸酯仅含羧基的共聚乳胶固化是一步完成,既含羧基又含羟基的乳胶固化分两步进行,第一阶段羧基参与固化反应,第二阶段是羟基反应。     

30CrNi3MoV钢变形区的X射线衍射分析

对３０ＣｒＮｉ３ＭｏＶ低合金钢切削速度为４．９７５ｍ／ｓ的正交切削试验所得切屑上大应变区进行Ｘ射线衍射分析，结果表明，在高速切削变形中少量素氏体转变奥氏体；衍射线明显宽化。通过测量衍射线的宽化度，利用谢乐公式Ｄ＝Ｋλｍｃｏｓθ，可得位错胞直径，位错密度和微观应力，从而确定变形区的应变。     

二环[2.2.2]辛—2—烯—2—羧酸的合成

该文报道利用环己二烯和丙烯酸乙酯为原料经由Ｄｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反应加成物和中间体合成二五［２．２．２］辛－２－烯－２－羧酸的方法。     

磷钒钼和磷钒杂多化合物的合成和分析

本文报导磷钒钼和磷钒杂多化合物的合成和元素分析法。对合成磷钒钼杂多酸的传统方法——乙醚萃取法作了改进,合成了传统法未能合成的 H_8PV_5M_(07)O_(40),其中三种杂多酸(n=1～3)的产量和文献值相比分别提高了185.7%、42.9%、483%,并通过元素分析,确证得到了较纯的产品。对磷钒杂多酸盐,在 pH=1～4、原料中磷、钒的摩尔比为1:11.8的条件下,制得了 Na_(12)PV_(13)O_(41)和Na_3PV_(14)O_(42),在酸度更高的条件下,合成了尚未见报导的 Na_6H_3PV_(14)O_(42)。同时,将磷钒钼黄分光光度法应用到杂多化合物体系,分析了磷和钒的含量,确定了它们的组成。     

光学实验中CCD光强仪的应用

介绍了ＣＣＤ光强仪在普物光学实验中计数和定位两种应用，这不但使光学现象更易于观察，理解，并能提高测量的准确度。     

单晶α-Al2O3镜面加工工艺研究

通过对单晶α－Al2O3磨削，研磨，抛光工艺中的设备，工具，辅料，清洗，环境等方面的研究，优化了加工工艺，使晶片表面粗糙度降低到0.4nm以下，成品率由94％提高到99．5％，加工成本降低了30％。