高职复合式人才培养改革的必要性与实施路径--以深圳职业技术学院印刷包装类专业为例

适应社会需要是衡量教育质量的根本标准。对深圳职业技术学院印刷包装类高职毕业生就业状况四年的调查数据分析表明,此类高职毕业生还无法全面适应岗位需求,其中重要的启示是复合式人才的缺失。在高职院校推行复合式人才培养改革势在必行,实施"主干+拓展"模式是实现复合式人才培养的路径之一。     

工程实践中的体系与系统

 介绍了国际上通行的体系概念，通过实例阐述了常见的体系类型，从多个维度描述了系统与体系的区别，根据实践总结，提出体系与系统的核心界定准则，并结合工程实践进行了详细描述。     

高校图书馆员科研能力培养探析

馆员科研能力的培养有利于馆员做好服务工作,提升其职业地位以及促进其专业化发展.从馆员科研意识淡薄、缺乏科研实践、缺少科研评价机制等方面论述了制约馆员科研能力提升的因素,提出了提高馆员科研意识、开展科研实践、完善科研评价机制等措施,以提升馆员的科研能力.     

低电压低功耗音频Σ-Δ ADC调制器设计

针对应用于音频设备中的∑-ΔADC,提出一款改进的∑-ΔADC调制器.该调制器结构改进传统调制器的结构并对调制器系数进行优化,克服传统∑-ΔADC调制器结构的缺点,同时对调制器中的两个关键电路即OTA放大器和比较器也进行优化,极大改善了OTA放大器和比较器性能.改进后的调制器具有低电压、低功耗、高精度和较好的鲁棒性的特点.该调制器采用1.2 V低电压供电,过采样比(OSR)为128,采样频率为6.144 MHz,信号带宽为20 kHz.基于SMIC0.11μm的工艺下,完成了∑-ΔADC调制器的版图设计,并最终流片成功.芯片流片后的成测结果表明,调制器的信噪比达到102.4 dB,有效位达到16.7 bit,调制器的整体功耗仅1.17 mW左右,整个调制器的版图的面积仅为0.122 mm2左右.调制器的成测性能指标表明,该调制器是音频芯片中∑-ΔADC电路的良好选择.     

SV模型参数估计的经验特征函数方法

计算基本SV模型和杠杆效应SV模型的联合特征函数，借助经验特征函数方法估计这两个SV模型。使用上海和深圳股票指数收益数据进行实证研究，结果表明经验特征函数方法是一种简单易行的估计SV模型的方法。     

Pilot Study on Nanofiltration Combined with Ozonation and GAC for Advanced Drinking Water Treatment

IntroductionThe conventional process for surface water treatment,which consists of flocculation, sedimentation and filtrationcurrently, had been applied inproducingdrinkingwater formany years. Although this process can remove turbidityand bacteria in surface water effectively, only about from20% to 30% of natural organic matter ( NOM) can beeliminated. When the purified water is disinfected bychlorination, these NOMs may react with chlorine. As aresult some dis…     

成人高校辅导员工作方法初探

现代成人教育是社会发展的必然，成人学校的教育工作有一定的难度，特别是辅导员工作更是存在着高校和中学之间的衔接问题。本文以实际工作的经验教训为契机，探讨成人高校辅导员工作方法。     

多媒体网络环境下数学建模过程探讨

在社会高度信息化的今天 ,多媒体网络为学生的数学建模提供了一个应用现代信息技术的机会 .在多媒体网络环境下开展数学建模可以按照查阅资料 ,模型准备、模拟实验 ,建立模型、数学模型的解、实际问题的解、撰写论文 ,展示成果这样的步骤进行     

含量子点的A-B环中的持续电流(PC)与环尺寸的关系

对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统，其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究；该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明：由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系，通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。