钢模拟爆炸成形弹丸(EFP)飞行特性及对大间隔靶的侵彻实验

为考察现有设计水平下，爆炸成形弹丸EFP（Explosively Formed Projectiles)的飞行特性及侵彻威力，用37火炮发射长径比为1．5的钢EFP的模拟弹丸，其着靶速度在1．3km左右，对大间隔的多层A3薄钢靶板进行侵彻，弹丸贯穿了5层靶，质量损失较小。利用高速摄影考察了EFP在靶间的飞行姿态变化，分析了EFP对多层大间隔靶侵彻的作用过程及其机理。实验结果和分析表明，所设计的EFP具有较为理想的飞行稳定性，对多层间隔侵彻能力强 ，为设计攻击舰艇等装甲目标的战斗部装药结构提供了较重要的参数。     

基于小波变换的高空风估计

随着雷达技术的快速发展及对探测要求的逐步提高，用常规方法计算层风将造成信息的浪费，且结果也不能真正代表所测层的风速，在分析了高空探测常规计算层风不足之处的基础上，提出了采用小波变换计算层风的新方法，通过计算机仿真及实际数据的对比分析。证实了所提方法的有效性和可靠性。     

可降解Hr-BMP复合胶原膜修复腭部骨缺损的实验研究

目的：观察腭部扁平骨引导性骨再生现象（GBR），探讨利用GBR修复腭裂骨缺损的可能性。方法：建立幼犬腭部骨缺损实验动物模型，应用常规组织学检查术、免疫荧光显微法、X线及扫描电子显微术在实验过程的不同阶段进行观察研究。结果：1）借助复合人重组骨形成蛋白（Hr-BMP）胶原膜GBR，腭部骨缺损可以完全修复；2）胶原膜可提供成骨所需的密闭空间；3）复合Hr-BMP胶原膜具有良好的组织相容性和安全性；4）复合Hr-BMP胶原膜GBR所致骨形成的量及速度均高于其它对照。结论：1）复合Hr-BMP胶原GBR具有确实有效的骨引导和骨诱导性，在骨缺损修复的早期阶段即可产生大量的新骨；2）复合Hr-BMP胶原膜植入后4周内的成骨活动最活跃，胶原膜和复合Hr-BMP胶原膜在其降解吸收过程中，不干扰后续的成骨活动；3）仍有必要构建具有适合的吸收降 解性和一定力学强度的隔膜材料。     

体温过低对大鼠脑干听觉诱发电位快慢成分的影响

目的：探讨体温过低对大鼠脑干听觉诱发电位快慢成分的影响。方法：计算机平均叠加技术颅表记录大鼠脑干听觉诱发电位（BAEP）快慢成分，体表物理降温法逐渐降低大鼠体温，传感探头式数字体温计监测大鼠直肠温度，体温每降低1℃测试1次BAEP快慢成分，观察波峰潜伏期（PL）、波峰间潜伏期（IPL）和波幅的变化。结果：随体温逐渐降低（36－25℃），BAEP快慢成分PL逐渐延长，快成分I－Ⅲ、Ⅱ-Ⅳ和I－Ⅳ IPL也逐渐延长，但两者波幅未随体温降低而发生规律性显著变化。结论：体温过低对大鼠BAEP的快慢成分均有显著影响。     

一次江淮大暴雨嵌套数值模拟试验

利用MM5非静力平衡模式，设计了未嵌套、两生和三重嵌套模式方案，对1999年6月23日一次江淮大暴雨过程进行了实际资料的降水个例试验，重点讨论了嵌套对数值模拟结果的影响。结果表明：嵌套后，随着水平分辩率的提高，模拟的降水量越来越大；三重嵌套的中间层细网格已经可以把雨区范围、降水中心位置、降水强度比较接近实况地模拟出来，最内层累网格中模拟出若干个β中等尺度降水中心；嵌套后内层细网格信息的外传会使外层粗网格的模拟结果有所改善。     

拟线性双曲方程的两种Blowup机制

对于一般的初值，拟线性双曲方程不一定存在整体经典解，若不存在整体经典解，则解在有限时间内blowup。主要考虑几种特殊的Burgers方程，讨论其经典解的存在区间以及解发生blowup时，几何blowup与常微blowup之间的先后顺序。     

锁相频率合成功率源与晶体介质谐振腔匹配网络

论述了锁模激光的调制器晶体谐振腔与锁相频率合成功率源匹配网络的实现，笔者经过深入研究，提出锁模激光的调制器晶体谐振腔非线性特性，并根据定一论断选择新的器件、网络电路，精心调制完成了难于实现的匹配，给出了实际运用的匹配波形图。     

哺乳动物胚胎冷冻技术研究进展

报道了胚胎冷冻技术的发展及现状。根据它的发展分别介绍了慢冻慢解法、常规快速解冻法、玻璃化冷冻、1步细管法冷冻、1步冷冻和半胚冷冻，并且就胚胎冷冻保护剂、冷冻方法、解冷方法、冷冻保护剂的脱除及胚胎发育时期等对胚胎冷冻效果的影响进行了探讨。     

一类混合概率型算子的任意阶矩

利用Γ函数在区间[0, ∞]上给出了一类加权积分型算子并得到其各阶矩，推广了关于SzaszDurrmeyer算子及Baskakov-Durrmeyer算子的相应结果，同时指出了它在研究随机过程中的意义。     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.