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11.
馆员科研能力的培养有利于馆员做好服务工作,提升其职业地位以及促进其专业化发展.从馆员科研意识淡薄、缺乏科研实践、缺少科研评价机制等方面论述了制约馆员科研能力提升的因素,提出了提高馆员科研意识、开展科研实践、完善科研评价机制等措施,以提升馆员的科研能力.  相似文献   
12.
针对应用于音频设备中的∑-ΔADC,提出一款改进的∑-ΔADC调制器.该调制器结构改进传统调制器的结构并对调制器系数进行优化,克服传统∑-ΔADC调制器结构的缺点,同时对调制器中的两个关键电路即OTA放大器和比较器也进行优化,极大改善了OTA放大器和比较器性能.改进后的调制器具有低电压、低功耗、高精度和较好的鲁棒性的特点.该调制器采用1.2 V低电压供电,过采样比(OSR)为128,采样频率为6.144 MHz,信号带宽为20 kHz.基于SMIC0.11μm的工艺下,完成了∑-ΔADC调制器的版图设计,并最终流片成功.芯片流片后的成测结果表明,调制器的信噪比达到102.4 dB,有效位达到16.7 bit,调制器的整体功耗仅1.17 mW左右,整个调制器的版图的面积仅为0.122 mm2左右.调制器的成测性能指标表明,该调制器是音频芯片中∑-ΔADC电路的良好选择.  相似文献   
13.
Ti2AlNb(O-Ti2AlNb)具有优异的力学性能,在航空发动机方面有远大应用前景.激光冲击强化(Laser Shock Peening,LSP)是一种先进的表面改性技术,能够在材料表面诱导产生高幅值、大深度的残余压应力,改善材料微观组织,提高材料抗疲劳、高温氧化等性能.本文采用激光冲击强化对Ti2AlNb合金进行表面改性,并研究其组织演变、残余应力以及高温环境对性能的影响.结果表明:激光冲击强化能够显著减小Ti2AlNb合金近表面的晶粒尺寸.显微硬度由冲击前的350 HV提升到395 HV;在冲击区域近表面产生了约-377 MPa的残余压应力;而在高温环境中,由激光冲击强化所诱导的材料近表面残余应力随时间逐渐释放,在600℃条件下,残余应力释放较为缓慢;而在720℃条件下,残余应力迅速释放.  相似文献   
14.
SV模型参数估计的经验特征函数方法   总被引:5,自引:0,他引:5  
孟利锋  张世英  何信 《系统工程》2004,22(12):92-95
计算基本SV模型和杠杆效应SV模型的联合特征函数,借助经验特征函数方法估计这两个SV模型。使用上海和深圳股票指数收益数据进行实证研究,结果表明经验特征函数方法是一种简单易行的估计SV模型的方法。  相似文献   
15.
IntroductionThe conventional process for surface water treatment,which consists of flocculation, sedimentation and filtrationcurrently, had been applied inproducingdrinkingwater formany years. Although this process can remove turbidityand bacteria in surface water effectively, only about from20% to 30% of natural organic matter ( NOM) can beeliminated. When the purified water is disinfected bychlorination, these NOMs may react with chlorine. As aresult some dis…  相似文献   
16.
现代成人教育是社会发展的必然,成人学校的教育工作有一定的难度,特别是辅导员工作更是存在着高校和中学之间的衔接问题。本文以实际工作的经验教训为契机,探讨成人高校辅导员工作方法。  相似文献   
17.
陈寅恪的史互证研究是中国人研究史上的一座丰碑。其“贴近现实、逆向思维、融贯古今、史笔诗心、突破前人”等方面均精湛独到,创造了一个学术研完的新时代。  相似文献   
18.
介绍了AWM720P1新型气体流量传感器的工作原理、性能、特点.针对呼吸机的工作特点,分析了IPPV的流速模型、流速的测量方法、传感器的校正数据处理方法.  相似文献   
19.
对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统,其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究;该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明:由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系,通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。  相似文献   
20.
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。  相似文献   
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