深部高应力巷道的非对称大变形

针对深部巷道尤其是倾斜岩层中的巷道围岩大变形问题,根据和分解有限变形力学理论,采用深部工程软岩大变形力学设计与分析系统(LDEAS)对旗山-1000 m 水平北翼轨道联络大巷的开挖过程进行了数值模拟.结果表明,倾斜岩层中巷道出现底板臌起、两帮缩进,顶板出现大面积的下沉;底板臌起、两帮缩进量的最大值和顶板的最大下沉量均随着巷道底板下岩层弹性模量的降低而呈增大的趋势.和分解增量法分析模型下巷道顶板的最大下沉量要小于两帮的最大收缩量,但是极分解增量法分析模型下巷道顶板的最大下沉量却大于两帮的最大收缩量.     

孔隙结构表征陶粒滤料净水效能的方法

在分析陶粒的吸附性能和孔隙结构的基础上,采用浊度和UV254等动态实验方法研究了陶粒滤料的净水效能,建立了陶粒滤料过滤性能的表征方法.结果表明,陶粒的比表面积和碘吸附值、孔体积和单宁酸吸附值、最可几孔径与全部吸附值的相关系数分别是0.99、0.92和1.00.其表征方法所得的陶粒滤料评价结果与陶粒滤料净水效能的实验结果相符,为评价陶粒滤料的净水效能和针对不同水质选择陶粒滤料提供了标准.     

健脑益寿胶囊对衰老模型小鼠体内LPO的影响

观察健脑益寿胶囊的抗衰老作用,并初步探讨其作用机理.选用6月龄小鼠随机分为6组,分别为健脑益寿胶囊高、中、低剂量组、模型组、维生素E组、空白对照组.另取2月龄小鼠10只,作为青龄对照组.除空白对照组、青龄空白组外均颈背部sc给予D-半乳糖,剂量为120 mg/kg,造成衰老模型,并同时灌胃给予健脑益寿胶囊高、中、低3个剂量组健脑益寿胶囊,剂量分别为3.744、1.872、0.936 g/kg,维生素E组灌胃给予维生素E,剂量为20 mg/kg(模型组不给药),连续造模、给药6周,6周后处死小鼠,分别测定心、肝组织的脂质过氧化产物(LPO)含量.健脑益寿胶囊可不同程度降低D-半乳糖所致衰老小鼠心、肝组织的LPO含量.健脑益寿胶囊能降低体内脂质过氧化产物的含量,具有明显的延缓衰老作用,其抗衰老作用机理可能与其降低体内脂质过氧化产物的含量有关.     

Gauss波包的几何描述

改进了R.Penrose的方法,对自由粒子的Gauss波包波函数(概率幅度)赋予了更清楚的几何描述.并将波包中含有的每一个可能k值的平面波,解释为随机过程的一个可能的周期性样本函数,进而解释了“几率包的收缩“.     

SAR图像的特征提取与目标识别

针对已有的SAR图像自动目标识别方法效果不太好的问题，提出了SAR图像的自动目标识别三种方法，即采用灰度特征的目标识别，采用栅格特征的目标识别，和采用模版特征的目标识别.理论和实验表明，采用模版特征的目标识别效果比较好.     

西藏农村水环境恶化成因及治理对策

随着西藏经济建设的深入推进,西藏农村也得到了前所未有的发展,然而经济建设是把双刃剑,经济发展的同时伴随的是对生态的破坏。据调查研究和数据表明,西藏的农村水环境已开始慢慢变坏且有恶化的趋势,西藏的农村水环境污染防治正日益受到有关部门的关注。针对西藏农村社会经济发展水平相对较低,公共基础设施建设相对落后,农民收入相对较低,国家尚无法投入大量资金用于农村环保工作的现实情况,认清西藏农村水环境污染的成因,并采取当地实际的治理措施,对于维护当地居民身体健康和环境质量要求以及资源循环利用要求,维护国家生态源头的安全具有重要意义。     

复域Duffing系统的模糊模型及混沌控制

基于并行分布补偿(PDC)技术将周期强迫复域Duffing系统表达为T-S模糊模型,并利用Lyapunov稳定性理论和线性矩阵不等式(LMIs)方法,设计出一个新的状态反馈模糊控制器.仿真结果表明,所设计的控制器能有效地控制周期强迫复域Duffing系统的混沌时间轨迹到其零平衡点,且控制简单可靠.     

粘性炭素糊料的冲击压实试验研究

糊料扎固是铝电解槽修量的炭素糊料冲击扎固试验,研究了锤头类型、布料厚度、下落高度等对糊料压实质量的影响,得到了扎固过程中锤头加速度和糊料压实比的变化曲线,给出了布料厚度、扎固次数等的合理参数范围.试验结果表明:冲击能量的大小对糊料压实质量影响最大,其次是糊料的布料厚度;在布料厚度和冲击功一定时,糊料压实比随冲击次数的增加逐渐趋于定值;冲击对糊料的压实作用主要集中在锤头下方,对周围糊料影响较小.研究结果对糊料扎固施工和冲击压实机械设计具有指导意义.图5,表1,参9.     

LabWindows/CVI环境下散焦测距神经网络补偿器

应用矩不变原理的散焦测距方法,针对由于光学畸变等原因而存在的非线性误差,采用BP神经网络补偿器对检测结果进行了一定补偿.提出了一种在LabWindows/CVI环境下应用ActiveX技术与MATLAB混合编程的方法来实现BP神经网络补偿,并通过训练与学习证明了补偿器的有效性.     

Nd掺杂Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15陶瓷的电性能

Nd等价取代Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)的A位,形成SrBi_(8-x)Nd_xTi_7O_(27)(x=0.00～1.50)共生陶瓷.结果表明:Nd掺杂未改变晶体的共生结构,样品剩余极化(2P_r)在掺杂量x=0.50时取得极大值,为32.3×10~(-2) C·m~(-2),比未掺杂时增加了70%,而矫顽场则从未掺杂时的90.5×10~5 V·m~(-1)上升为103×10~5 V·m~(-1).Nd掺杂使得样品的居里温度(t_C)有所下降,x=0.50时的t_C为538℃.掺杂使得样品的压电性能明显改善,压电系数d_(33)从未掺杂时的6 pC·N~(-1)增加到x=0.50时的11 pC·N~(-1).