蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

基于Pro／E的颚式破碎机齿板参数化建模

介绍了Pro／E软件的主要特点及参数化设计,阐述了基于Pro／E的颚式破碎机齿板参数化模型的建立过程。     

三棱镜最小偏向角法测波长实验研究

根据三棱镜对光的色散原理,提出了用分光计观测原子光谱并用最小偏向角对各谱线进行标记,比较光谱的位置,从而用内插法测得了未知谱线的波长。实验结果表明：使用三棱镜最小偏向角尺度分析法测定波长有其可操作性和一定的应用意义。     

努力实践"三个代表"永远坚持党的性质

在新的历史条件下,如何使中国共产党保持其革命性、先进性和代表性,江泽民同志提出的“三个代表”的重要思想,对这一严肃课题作出了根本性的回答。文章分别从先进生产力的发展要求、先进文化的前进方向、广大人民群众的根本利益这三个方面进行了论述。     

固溶处理对Mg-6Al-5Pb-1Zn-0.3Mn阳极组织和性能的影响

为了改善铸态Mg-6Al-5Pb-1Zn-0.3Mn(质量分数,%)阳极的加工性能,对其进行固溶退火处理。采用浸泡法、恒电流和动电位极化扫描法及电化学阻抗法,研究不同固溶时间对其在3.5%(质量分数)NaCl中自腐蚀和电化学行为的影响;采用光学显微镜、扫描电镜对其显微组织和腐蚀形貌进行观察。研究结果表明:经400℃固溶24h,粗大的β-Mg17Al12相完全回溶于基体中,枝晶偏析基本消除;与铸态合金相比,晶界附近富Al区的消失使得固溶态合金耐蚀性能降低,晶体缺陷的减少使得放电性能变差;随着固溶时间延长,阴极β-Mg17Al12相的减少使得合金耐蚀性能提高,合金元素固溶度的增大使得合金放电性能提高;在放电过程中,放电产物层不断脱落,维持了镁合金阳极的放电活性。     

一体化管理模式的成本利益分析

不同的管理模式直接决定着企业资源要素的配置方式 ,从而最终影响企业能否以高质量、低成本的产品和服务快速及时地满足市场需求。本文通过对横向一体化与纵向一体化两种管理模式在成本、利益方面的对比分析 ,指出横向一体化管理模式是符合 2 1世纪全球经济一体化变化趋势的新型模式。在供应链管理环境下积极培育企业核心竞争力 ,实施企业业务外包策略是架构横向一体化管理模式的战略选择。     

一种基于无线射频3D光闸眼镜同步系统的设计

对3D显示系统的原理和光闸眼镜控制原理进行了研究.借鉴红外线发射器同步协议,设计了无线射频同步的方法,并给出了系统的硬件框图和软件流程.系统解决了时间同步和左右眼帧同步的问题,并给出了具体的延时补偿计算方法,采用2.4 GHz频段的nRF24L01无线射频芯片实现同步信号传输.最后对眼镜实际工作效果进行了测试,实际工作效果图表明此系统的有效性.     

德江沙溪楠木群落结构及物种多样性研究

利用样方调查法对德江沙溪楠木Phoebe zhennan群落的种类组成、结构及物种多样性进行了研究。结果表明：在1 200 m^2的样地中,共有维管植物27科32属35种,其中优势科为樟科、壳斗科、蔷薇科等;群落中以楠木和杉木为优势种;群落结构简单,分为乔木层、灌木层和草本层;物种多样性分析显示该群落多样性指数偏低,其多样性复杂程度由高到低的顺序为灌木层、乔木层、草本层。     

SIS及其MAH接枝物改性PS/纳米CaCO3复合材料的力学性能

将苯乙烯与异戊二烯嵌段共聚物(SIS)改性PS/纳米CACO3复合材料,材料冲击强度随着SIS用量的增加而提高。PS/纳米CACO3/SIS(质量百分比为100/5/8)复合材料的缺口和无缺口冲击强度分别由PS的1.61和6.35 KJ/M2提高到2.21和7.59 KJ/M2。熔融接枝马来酸酐MAH后,材料冲击强度进一步提高。MAH接枝率为3.08%的PS/纳米CACO3/SIS-MAH(100/5/6)复合材料的无缺口冲击强度由SIS改性材料的7.69 KJ/M2提高到11.69 KJ/M2。随着SIS及SIS-MAH的用量的增加,复合材料的拉伸强度下降,断裂伸长率明显提高。动态力学性能表明纳米CACO3对PS/SIS具有一定的增强作用。     

衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响

采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86 eV逐渐增大到2.26 eV.