全文获取类型
收费全文 | 18514篇 |
免费 | 695篇 |
国内免费 | 1276篇 |
专业分类
系统科学 | 1138篇 |
丛书文集 | 574篇 |
教育与普及 | 287篇 |
理论与方法论 | 102篇 |
现状及发展 | 109篇 |
研究方法 | 34篇 |
综合类 | 18240篇 |
自然研究 | 1篇 |
出版年
2024年 | 55篇 |
2023年 | 158篇 |
2022年 | 279篇 |
2021年 | 351篇 |
2020年 | 311篇 |
2019年 | 194篇 |
2018年 | 221篇 |
2017年 | 278篇 |
2016年 | 312篇 |
2015年 | 549篇 |
2014年 | 779篇 |
2013年 | 830篇 |
2012年 | 1012篇 |
2011年 | 1148篇 |
2010年 | 1045篇 |
2009年 | 1169篇 |
2008年 | 1312篇 |
2007年 | 1252篇 |
2006年 | 1125篇 |
2005年 | 907篇 |
2004年 | 826篇 |
2003年 | 671篇 |
2002年 | 839篇 |
2001年 | 831篇 |
2000年 | 640篇 |
1999年 | 599篇 |
1998年 | 351篇 |
1997年 | 344篇 |
1996年 | 327篇 |
1995年 | 271篇 |
1994年 | 267篇 |
1993年 | 251篇 |
1992年 | 196篇 |
1991年 | 183篇 |
1990年 | 161篇 |
1989年 | 143篇 |
1988年 | 137篇 |
1987年 | 83篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 3篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1956年 | 3篇 |
1955年 | 3篇 |
1948年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 250 毫秒
861.
道路多项式P_k(λ)是上,下对角线元素为1,其余位置元素为0的k阶方阵的特征多项式,k≥1和P_0(λ)=1。若P_k(A)≥0,k=0,1,2,…,则说n阶方阵A是道路正矩阵。当图的邻接矩阵是道路正矩阵时,则称这个图是道路正图。该文给出了圈C_n的邻接矩阵的道路多项式计算公式。证明它是道路正图。 相似文献
862.
在H_2O_2溶液中.通过活性粉状白钨酸的解聚制备了二个O_2~(2-):W为2:2型的新的过氧钨酸盐:K_2W_2O_s(O_2)_2·4H_2O(1)和(E_(t4)N~-)_2W_2O_5(O_2)_2·2H_2O(2).用IR、UV和XRD对二个过氧化物进行了表征,并推断了过氧钨酸阴离子的可能结构. 相似文献
863.
合金热裂倾向性测试分析 总被引:2,自引:0,他引:2
时胜利 《西安理工大学学报》1994,10(4):274-277
用ZXD合金铸造性能多功能测试仪,对4种铁合金的热裂倾向性进行了测试分析。结果表明,在铸造条件下,合金凝固过程中抵抗热过纹形成的能力取决于已凝固表面层的强度、跨越断面技晶的总强度和断面上枝晶间液体的结合力。 相似文献
864.
高分子材料老化的可靠性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据高分子材料老化的一般规律,用随机过程的方法,得到了描述老化过程的数学模型,并且求出老化过程的寿命分布函数。进一步,对高分子材料由于老化而引起的失效,进行可靠性分析。 相似文献
865.
866.
本文探讨了庆大霉素生产菌棘孢小单孢茼F-212的一级和二级种子的不同生长阶段的菌丝形态及其控制方法,以作为提高庆大霉素发酵单位的工艺手段。 相似文献
867.
本文研究了向列相液晶在交变电场作用下引起的Fredericks转变,测量了交变电场和直流电场作用下5CB和MBBA的阈值电场。文中还论述了MBBA在交变电场(450Hz)作用下产生的非线性衍射束的增强效应。 相似文献
868.
本文讨论了激光深度图象感测器的原理.基于该原理,文中提出了一种计算时间省、抗干扰能力较强的提取图象边界的新方法.文中还提出了一种获取三维数据的变换方法和一种从表面到物体的识别方法.将上述方法和技术用于导引机器人焊接,提高了机器人适应外界环境的能力. 相似文献
869.
本文研究了汉-Ⅰ型智能机器人的语声输出系统.该系统分为两部分:一部分由TMS5220和MCS-51为核心构成语音合成器,实现单词、词组和歌曲的合成;另一部分是一台由计算机控制的录音机,作为语声输出的辅助装置.文中还提出了歌曲合成的初步解决办法. 相似文献
870.
一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n~+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n~-扩散区用来连接两个沟道,相当于一沟道的漏极,二沟道的源极。在一般电路中,源极接地,漏极接电源,信号由一栅输入,二栅作为自动增益控制电极。这样,随漏压V和两个栅压V_(G1)、V_(G2)的不同,MOS场效应管有四种不同的工作状态。如果用“S”和“L”分别表示沟道工作在饱和区及线性区,用“1”和“2”分别表示一沟和二沟道,那么,四种工作状态可表示为 相似文献