数字积分插补法的改进及在点阵屏中的应用

通过对几种数字插补算法的分析和比较,提出一种更适合于在点阵显示屏中画线的插补算法,利用此方法画出的直线更加理想和平整给出了有关的逻辑关系、公式和软件流程图．     

纳米Al2O3薄膜的结构与性能

本工作用直流叠加方波脉冲电流，对铝合金进行阳极氧化，制得了纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜；用透射电镜、介电场强和显微硬度测定以及荧光光谱等手段研究了它的显微结构和有关物理性质。结果表明纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜具有较高的介电强度、硬度和相对强度为６８．２％的兰绿色荧光发光谱等优异性能。     

线性回归分位数的相依样本估计的强相合性

在误差为平稳强φ混合随机序列的条件下,证明了线性模型中的回归分位数的估计的强相合性     

湿法磷酸中的杂质对二水硫酸钙结晶影响的研究

用模拟湿法磷酸进行了Ｆｅ２Ｏ３离子、Ａｌ２Ｏ３、Ｈ２ＳｉＦ６和Ｈ２ＳＯ４五种杂质及ＮＨ离子对二硫酸钙结晶影响的实验研究。并以过滤时间表征结晶质量进行了杂质对石膏结晶过程影响的分析。对于ＮＨ离子的影响进行了单因素实验。实验得出，当磷酸杂质含量在平均水平附近时，随湿法磷酸中Ｆｅ、Ａｌ、Ｍｇ杂质含量的增高，都会使二水硫酸钙的过滤性能变坏，其中尤以Ａｌ２Ｏ３的影响最大。但ＮＨ能促使二水硫酸钙生成聚晶，对石膏的过滤性能有改良作用，通过实验可确定出一个最佳ＮＨ浓度。对不同杂质含量的磷酸，其最佳ＮＨ浓度值并不相同。     

微晶硅膜MIS结构光位敏探测器的研制

采用快速退火工艺，促使非晶硅膜固相晶化，获得具备器件质量的微晶硅膜，以此晶化膜作基本材料，采取侧向光伏效应的工作模式，以金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光位敏探测器，实验结果表明，该器件具有非晶硅器件与晶体硅器件互补兼容特色。     

一种基于 SNMP 实现 MIB 库多变量访问的方法

提出了一种基于ＳＮＭＰ的客户机端软件中实现ＭＩＢ库多变量访问的方法,据此方法在ＨＰ９０００／７１５工作站ＨＰＵＸ上开发的相应网络管理系统软件中的基模块ＮＭＳＳ实现了对ＭＩＢ数据库中多变量的访问,即可根据网络管理用户的要求,动态地收集各异种网络设备ＭＩＢ库中的多变量统计数据,以掌握网络当前的各层状态,从而进一步实施网络管理的各项功能．     

局部凸拓扑向量空间中半可微K-Φ-压缩映象的不动点定理

本文在局部凸拓扑向量空间中对 K-Φ-压缩映象引入了半可微的概念,利用 K-Φ-压缩映象的不动点指数,得到了一个不动点定理.它推广了 Petryshen 在1988年的结果,也推广了李伟钢、丁协平、郭大钩和 Amann 等人的相应结果.     

流体饱和多孔介质中的声强

根据Biot多孔介质声学理论中的应力-应变关系、能量关系、声波方程,采用与在均匀固体介质中平行的方法,推导了流体饱和多孔介质中的声强表达式,进一步完善了多孔介质声学理论。运用该公式导出了多孔介质界面声学边界条件,并可作为研究多孔介质中声波能量的一个基本方程。     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

Si_3N_4结合的SiC质砖衬的蚀损行为

系统地研究了 Si_2N_4 结合的 SiC 质砖衬在高炉冶炼环境中的氧化特征及其碱蚀行为,初步探讨了高炉用 SiC 砖衬的蚀损机理。结果表明;氧化→碱蚀→剥落或熔蚀是高炉用 SiC 砖蚀损的基本过程。传中杂质将使砖衬产生“溶洞”现象,热应力将导致砖衬工作面形成龟裂。“熔洞”和龟裂直接破坏了砖衬工作面的完整性,结果将诱发和加速 SiC 砖衬的蚀损。