信用转移矩阵预测模型的比较分析

对当前国际上几种主要的信用转移矩阵估计方法中所采用的预测模型进行了系统的分析,指出这些方法在模型构建中存在的一些共性问题,并通过进一步讨论,发现传统的结构建模方法是导致这些问题的关键·为此,提出了将动态建模理论引入转移矩阵预测模型的建模框架,并从理论上说明了这种建模途径能使所构建的转移矩阵预测模型具有更为可靠的理论依据,从而改善预测模型的有效性·     

阴离子聚电解质保护的金纳米粒子的制备及表征

采用NaBH4作为还原剂还原HAuCl4的方法,将阴离子聚电解质即聚丙烯酸(PAA)作为保护剂,成功制备了稳定性非常好的小粒径金纳米粒子．分别采用紫外-可见-近红外光谱仪(UV-vis-NIR)、透射电子显微镜(TEM)、光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和电化学等实验方法对所制备样品进行表征．实验结果表明,合成体系的pH和所用阴离子聚电解质聚合物链的空间位阻对金纳米粒子的稳定性起着非常重要的作用．     

高速公路声环境影响评价中预测与实测的对比--以沪宁高速公路江苏段扩建工程为例

以沪宁高速公路扩建工程声环境影响预测的实践为例,利用环境现状监测数据,分为噪声影响叠加和衰减分别对交通部公路噪声预测模型和美国FHWA模型进行了验证和对比分析．并就实测数据与预测数据的偏差进行了分析．最终综合考虑选用交通部公路噪声模型进行预测．     

杀真菌剂甲基托布津对菌根营养植物生长繁殖的影响

甲基托布津是一种广泛应用的杀真菌剂 .开展甲基托布津对植物生长繁殖的影响研究是评价农药的安全性和生态系统稳定性的重要依据 .实验以未施用甲基托布津为对照 ,研究在甲基托布津的有效施用剂量每15d为 1g·m-2 的条件下 ,通过测定不同密度条件下野艾蒿的总生物量、种子生物量、叶生物量、茎生物量、根系生物量、新生分蘖数、株高、菌根侵染率等数据 ,采用SPSS统计软件对其进行方差分析 ,结果表明甲基托布津对野艾蒿部分生长指标影响显著 ;而对所有繁殖指标 ,包括有性生殖和无性生殖 ,均没有显著性影响 ,分析其主要原因是由于甲基托布津对野艾蒿的菌根侵染率没有显著性影响所致 .实验结果表明甲基托布津施用于农田生态系统中是安全可靠的 .     

应用无性繁殖单亲遗传算法实现精馏分离序列优化综合

由于精馏分离序列与二叉树之间具有同构性,在数据结构上精馏分离序列可以抽象为二叉树,直接采用二叉树结构编码方案可以同时表达个体的基因型和表现型．借鉴生物界单亲父本可以经过无性繁殖得到子代的现象,对进化和遗传等重组算子进行设计．应用图论方法建立有效的二叉树结构演化重组机制,从而形成无性繁殖单亲交叉和变异算子．实例表明无性繁殖单亲遗传算法能够成功解算大规模精馏分离序列优化综合问题．     

压电执行器位移自感知方法研究

在压电执行器闭环控制系统中,需要位移传感器提供位移反馈量．为了省略位移传感器,提出一种利用电子电路使压电执行器自感知其自身位移的方法．根据压电电荷几乎与位移成正比的特点,用电子电路获得驱动电荷,从电荷换算位移．提出了对压电执行器采取电压驱动和获取电荷为一体的复合驱动方法,高压运放输出作为高压驱动电源,电流积分器获得压电电荷．实验测量了带载和空载下压电双晶片和压电叠堆的自由位移,通过涡流位移传感器标定得到,双晶片位移自感知误差小于3．61％,叠堆位移自感知误差小于1．81％,实验测量了压电叠堆带载情况下的输出位移,结果表明可以用于带载位移自感知。     

电子操动可靠性分析及其在新型直流断路器中应用

针对断路器的操动机构及其可靠性问题,提出了一种电子操动机构,它是典型的智能化操作系统．对其进行了操动精度分析、操动可靠性设计等;同时提出了一种新型结构的直流断路器,它采用单一操动机构来实现电流转移原理．应用电子操动结台新型直流断路器进行实验表明,基于电子操动的新型直流断路器能够成功地分断故障电流．     

含轴对称抛物线曲裂纹平面弹性问题的解析解

研究含轴对称抛物线曲裂纹平面弹性问题.采用了传统的复变函数保角映射法,给出了一个新的保角变换公式,从而将抛物线曲裂纹外的区域映射到一个复平面的单位圆内.得到了含轴对称抛物线曲裂纹平面弹性问题的曲裂纹尖端Ⅰ型应力强度因子的解析表达式.本解在特殊极限条件下可解析地退化到穿透型直线裂纹的经典解.参数分析表明轴对称抛物线曲裂纹尖端的应力强度因子与抛物线曲裂纹的尺寸和形状有关.     

反射面变形对天线辐射特性的影响

研究在冲击波作用下,赋形双弯曲反射面变形对天线辐射特性的影响.利用物理光学法对双弯曲反射面雷达天线的辐射方向性进行了建模和分析,将反射面完好时的计算结果与测试结果进行比较,其结果较为一致.在此基础上,重点研究了天线反射面变形后天线辐射特性随变形量、变形位置和变形面积的变化.计算结果表明,反射面的变形对水平面方向图影响较大,对垂直面方向图的影响很小.     

He-LiH势能面的ab initio计算

采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系在冻结LiH键长情况下的全程势能面.该势能面存在2个势阱,较深的势阱对应于线性He-LiH构型,其中Rm为4.25a0,阱深为177.53cm-1 ,较浅的势阱对应于线性He-HLi构型,其中Rm为9.875a0,阱深仅为9.90cm-1,整个势能面表现强的各向异性.