FD-TRT耐热逆转录酶的特性分析

从嗜热细菌ＦＤ３００９中克隆并分离纯化得到的耐热逆转录酶（ＦＤ－ＴＲＴ）,逆转录反应在６５℃高温下进行,可克服常温逆转录酶的许多缺点,以酵母核糖体ｒＲＮＡ为模板,以与２５５和１８Ｓ ｒＲＮＡ匹配的寡聚脱氧核苷酸为引物,探明了ＦＤ－ＴＲＴ的最适反应条件： ２５ｍｍｏｌ／Ｌ Ｔｒｉｓ－ＨＣｌ（ｐＨ ８．５,２５℃）,２５ ｍｍｏｌ／Ｌ（ＮＨ４）２ＳＯ４,２ ｍｍｏｌ／Ｌ ＭｎＣｌ２,１００ μｇ／ｍｌ明胶．５ ｕｎｉｔ ＲＮａｓｉｎ,２５０ ｍｍｏｌ／Ｌ ４种 ｄＮＴＰ, １μＣｉ３ Ｈ－ｄＣＴＰ, １２ｕｇ ＲＮＡ,２５ ｐｍｏｌ引物,并在此条件下测得 ＦＤ－ＴＲＴ和 Ｔａｑ ＤＮＡ 聚合酶逆转录活力与聚合酶活力的相对比值分别为０．０５６,０．００４５．     

纳米级二氧化硅玻璃粉的制备及其特性

采用正硅酸乙脂为前驱物,用溶胶－凝胶法制备纳米级二氧化硅（ＳｉＯ２）粉,分别用Ｘ射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪、差热扫描量热分析仪和白度测试仪对凝胶粉随温度变化的特征进行了分析测试．结果表明干凝胶在１２００℃热处理１ｈ仍是无定型的ＳｉＯ２粉,其粒度大小为４０ｎｍ左右,白度为９２．１％．     

衰减激励条件下确定性系统多新息辨识的收敛性分析

在衰减激励条件下,分析了确定性系统多新息辨识算法的收敛性。得到了如下结果：１）当信息向量φ（ｔ）有界时：（ｉ）衰减指数ε＞１２时,估计误差θ（ｔ）有界,即‖θ（ｔ）‖＝Ｏ（１）或‖θ（ｔ）‖≤Ｍ＜∞;（ｉ）ε＝１２时,θ（ｔ）以１ｔｃ（ｃ＞０）速度收敛于零,即‖θ（ｔ）‖＝Ｏ１ｔｃ;（ｉｉ）０＜ε＜１２时,θ（ｔ）以指数ｅｘｐ（－ｃｔ１－２ε）（ｃ＞０）速度收敛于零,即‖θ（ｔ）‖＝Ｏ（ｅｘｐ（－ｃｔ１－２ε））。２）当φ（ｔ）以ｔμ速度增加（μ＞０）,即φ（ｔ）＝Ｏ（ｔμ）或‖φ（ｔ）‖≤ｃｔμ,ｃ＞０,（ｉ）μ＋ε＞１２时,θ（ｔ）＝Ｏ（１）;（ｉ）μ＋ε＝１２时,θ（ｔ）＝Ｏ１ｔｃ,ｃ＞０;（ｉｉ）μ＋ε＜１２时,θ（ｔ）＝Ｏ（ｅｘｐ（－ｃｔ１－２（μ＋ε）））,ｃ＞０。     

异步DS—CDMA系统中传输时延估计

在异步ＤＳ＿ＣＤＭＡ系统中,由于“远－近”问题的影响,给系统参数（传播时延、幅度变化、相位变化）的估计带来很大的不利．本研究探讨了存在“远－近”问题情况下,异步ＤＳ＿ＣＤＭＡ系统中的参数估计问题,并提出了一种有效算法．     

热电联产热力系统参数与结构方案同步综合

将复杂非线性蒸汽动力系统参数优化扩展到热电联产流程结构和蒸汽参数的联合优化,提出的混合整数非线性规划（ＭＩＮＬＰ）模型包含非凸非线性费用目标函数、复杂非线性过程约束及多方案选择的组合优化０－１变量逻辑约束．应用算例表明,所采用的模型和改进的遗传算法解决热力系统组合方案优化问题是可行的．     

ZSM—5沸石膜合成中几个影响因素

采用水热合成法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷载体和ＳｉＯ２复合膜上成功地合成了ＺＳＭ－５沸石膜。考察了ＺＳＭ－５沸石膜合成中载体性质,合成溶液的碱度,水硅质量比,晶化时间等对成膜的影响,探讨了沸石膜的生成机理并对合成的沸石膜进行了ＸＲＤ及ＳＥＭ表征,表明当合成液水硅质量比为１００时,主要是液相晶化机制起艇,表面的Ｓｉ－Ｏ键或Ａｌ－Ｏ键参与晶化,使膜与载体紧密结合。     

高压电场干燥技术在中药材干燥中的应用

在中药材、中药饮片及制药中间产品的传统干燥技术工艺中,存在着物料升温过高致使有效成分损失严重、生产时间长、能源消耗高、卫生不合格等问题.利用高压电场干燥技术对化橘红果和化橘红片进行了干燥试验及热风、真空干燥的对比试验,并对干燥后样品的有效成分作了实际检测.结果表明:高压电场干燥技术能够提高化橘红果和化橘红片的干燥速度,并且对有效成分可最大限度的保留.说明高压电场干燥技术是中药材加工领域里一项实用、有效的新型技术.     

Linux设备驱动开发方法及应用实例

介绍了基于LKM(linuxkernelmodel)的Linux设备驱动开发方法,完成了THIPC-7462测控模板的驱动程序,并讲述了其在THMR-V视觉临场感遥控系统上的具体应用.     

基于Excel的信息管理系统开发

Excel具有强大的数据处理功能，这使它在开发有些信息管理系统时比其它开发平台更加容易．以盐城师范学院综合素质测评系统开发为例，介绍了Excel开发信息管理系统的全过程．     

交错波纹板原表面换热器通道内对流换热的数值研究

对具有正弦波形通道交叉排列的原表面换热器多通道单元内三维稳态层流流动与换热特性进行了分析，利用数值模拟方法探讨了上下波纹板交错角θ、波纹相对节距P／H(波长／波高)及雷诺数RP对流动与换热性能的影响．结果表明：在入口段流动与换热性能的变化较大，此变化在沿主流方向第4个单元后基本消失；在水力直径基本相同的前提下，阻力系数厂及平均努谢尔特数Nu随θ的增大而增大；f及Nu在P／H为1．5～3．1的范围内随P／H的增大而增大，在RP大于900及P／H为3．1～4．0时随P／H的增大却开始减小；壁面局部Nu的最大值发生在主流尾部以及与流体出口邻近的2个入口处附近，最小值在上下波纹板的接触点上产生。