开管扩Ga模型的初步建立

依照二次离子质谱（SIMS）、扩散电阻（SRP）和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型。     

热壁CVD法GaN微晶粒的制备

用热壁CVD法在Si（lll）衬底上生长GaA薄膜,用扫描电镜（SEM）观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。用扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线衍射谱（XRD）、傅里叶红外透射谱（FTIR）、光致荧光谱（PL）对样品进行了结构、组分及发光特性分析。结果表明：这些微晶粒为GaN六方铅锌矿。     

网络计划的实施和监控

运用网络技术的基本原理，对网络计划的实施提出了具体的方法和措施，并结合实例网络计划的检测，调整技术探讨了一般原则和具体的淙示过程。     

氢还原竖炉的模拟分析

利用一组物料、热量守衡式及其他有关约束关系,建立了氢还原竖炉模拟模型,可定量考察消耗量、生成量和氮气、CO兑入成分、DRI金属化率、入炉煤气温度等的关系。模拟结果表明:兑入CO可使入炉煤气量从纯氢还原的1 650N·m3左右下降到1 200N·m3左右;当CO和H2的体积之比V(CO)/V(H2)约为0.6时,氮气兑入量约为0,竖炉能量利用最佳;当V(CO)/V(H2)体积比为0.3时,最佳氮气兑入成分约为11%;纯氢还原最佳氮气兑入成分约为25%;兑入氮气可以减少入炉氢气的量,但不能减少入炉气体的总量。对氢还原竖炉模拟结果可为其工艺设计、操作和节能等提供参考信息。     

在（111）Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜

用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳粒结构的碳化硅薄膜,在N2气氛下经3h1100℃退火,用X射线衍射（XRD）、付里叶红外吸收谱（FTIR）、X光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析,并在室温条件下观察薄膜的光致发光现象。     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

用单片微机实现对低频非正弦电压的测量

本文说明了对非正弦电压的测量原理,并介绍了程序软件和硬件电路的基本结构、工作原理及采用的抗干扰措施。     

并联电容器投入瞬态过程及限制方法

对于电力系统并联电容器投入暂态过程进行了仿真计算与分析,着重研究电容器投入电网时所引起的瞬态过电压、低压电容器处的电压放大现象,以及追加投入电容器时的高频涌流及解决办法．计算结果表明,采用同步合闸、预插阻抗、以及在每组电容器串联小值电感,均是减轻瞬态现象的有效方法．     

一种寻找正确相关不稳定平衡点的基准方法

在电力系统暂态稳定性分析的能量函数方法中，求解正确的相关不稳定平衡点是这类方法中十分关键的一步。为此，提出一种方法作为评价不同Ｃｏｎｒｔｒｏｌｌｉｎｇ ＵＥＰ求解方法可靠性的工具，可在能量函数方法的发展过程中发挥作用。     

用预调制全息干板对黑白图片进行等密度假彩色化

本文依据全息干板的H-D曲线的特性给出了用预调制干板对黑白图象进行等密度假彩色化的方法。此方法操作简便,实验结果与理论分析一致。