低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

NO2分子Faraday效应磁强计

采用Faraday光谱方法,系统研究了交流(Zeeman调制)、直流(光强调制)磁场下,NO2气体分子的光谱信号随外加磁场的变化关系.实验结果与理论分析表明,NO2分子的光谱信号与外加磁场呈线性关系,由此提出了一种NO2分子Faraday效应磁强计,预期可以测量5×10-3～100 mT,DC-1 MHz范围内的磁场,并具有良好的线性度.     

抗HBsAg单链抗体的等电点测定和结构模拟

应用实验生物学和计算生物学方法对重组人源抗HBsAg单链抗体(HBscFv)的部分理化性质和空间结构进行分析．首先应用蛋白质分析软件包Antheprot预测HBscFv等电点，然后等电聚焦测定HBscFv等电点，在此基础上，用神经网络法预测HBscFv二级结构，然后用同源建模的方法，获得HBscFv三级结构．结果发现，HBscFv等电点理论值为8．51，实验值为7．3～8．1；PHDsec结果表明，HBscFv是一种全β蛋白质；三级结构建模表明，HBscFv的VH结构域由9个片层组成，VL结构域由8个片层组成；由于单链抗体的特殊性，三级结构建模无法给出VH与VL结构域之间进一步折叠后形成的结构。     

基于PC 机的磁共振微成象系统研制

在常规核磁共振谱仪上自行设计和研制了一套磁共振微成象系统，改装谱仪的选择激发单元，制作梯度场放大器、梯度场线圈，改造探头。由基于IBMPC的主控计算机负责脉冲序列波形产生、软脉冲波形产生、数据处理、图像重建以及成象实验的协调和控制，配合谱仪进行了自旋回波脉冲序列的成象实验，获得了较高质量的质子密度图像，该成象系统制作成本低、实验参数改变方便，适合于在未带成象功能的磁共振谱仪上进行成象技术研究。     

传统民居的类设计模式建构

对传统民居的研究 ,其对象是千百年的文化积淀所形成的历史产物 .其目的在于探索“有中国特色的现代化建筑”的创新之路 .文中以吴良镛先生的“类四合院”为例子 ,论述传统民居“类设计”模式的提出 .以类型学理论为依据 ,分析传统民居“类设计”模式的设计方法与创新思维 .以张永和先生的“清溪坡地住宅群”,以及安藤忠雄先生的“住吉长屋”为实例 ,阐明传统民居“类设计”模式的丰富内涵与普遍意义     

粉末冶金成形过程实时质量监控研究

粉末冶金成形过程产品质量的实时监控是实现粉末冶金自动生产的关键技术，通过实验分析了粉末成形压制压过程中模具模架系统振动时序模型参数与压坯密度，质量之间的关系，验证了采用时序模型参数识别对压坯密度、质量的技术的实用性与有效性，为实现压制过程产品质量的实时监控提供了一条新的途径。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

热通道玻璃幕墙的热工计算

简述了热通道的节能原理，推导出了热通道玻璃幕墙的热工计算模型，确定了模型中各方程的系数，介绍了计算及测量结果。该模型可用来计算内外侧玻璃的壁面温度、热通道内空气的温度和流速，以及室内的得热速率等，为相关工程计算提供参考。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

Keggin结构过氧钛钨硅杂多配合物~(183)WNMR谱的研究

合成了Keggin结构一，三取代过氧铁钨硅杂多配合物，这两种化合物是：α－K6［SiW11（Tio2）O39］·12H2O和α－K9H［SiW9（TiO2）O39］·12H2O，并对183WNMR谱进行了指认，从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构．