联图的消圈数

设图G=（V,E）,对于V中任何一个点集S,若G-S是一个无圈图,则称S是图G的一个消圈集,且称min{|S||S是图G的消圈集}为图G的消圈数,记为Φ（G）.本文考虑联图的消圈问题,得到了几类联图消圈数的精确值.设G_m和G_n分别表示阶数为m和n的简单连通图,则联图G_m∨G_n的消圈数满足:min{m,n}≤Φ（G_m∨G_n）≤min{m+Φ（G_n）,n+Φ（G_m）}.本文中几类联图的消圈数证实了上述不等式的上界是紧的.特别地,当G_m和G_n都为树时,可由不等式直接得到Φ（G_m∨G_n）的精确值.     

钛合金磨削加工研究的进展

对国内外在钛合金磨削方面的研究现状进行了概述,分析了国内在此研究领域的发展方向,指出待解决的主要问题.对钛合金磨削加工的进一步研究很有参考价值.     

四棱柱状Sb_2S_3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠(NaBH4)作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒.所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UV-Vis进行了表征.结果表明,在180℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215nm、厚为50~110 nm,长度达2~5μm.经计算,其晶胞参数a=1.126 nm,b=1.128 nm,c=0.382 5 nm.UV-Vis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为1.80 eV.     

半单、余半单及其性质

根据单子和余单子的一些基本知识及半单单子的定义,给出了余半单余单子的定义.得到了与余半单余单子定义等价的2个命题,并给予证明.     

教学实践过程中的信息技术

信息技术课的主旨在于培养学生对信息技术的兴趣和意识,让学生了解和掌握信息技术的基本知识和技能,为适应信息社会的学习、工作和生活奠定必要的基础.     

哈尔滨市城市水资源与可持续利用

本文在分析市区水资源的基础上,着探讨了水资源开发利用存在的问题及解决途径。     

多处理器自适应干扰抑制系统

本文描述了一个采用多处理器的自适应干扰抑制系统，讨论了系统的拓扑结构、组成框图及测试环境、自适应处理算法，给出了用于雷达数字波束形成系统自适应干扰抑制的实验结果。     

一种数字式多路换向阀及其PLC控制

介绍了一种多路换向阀的数字化改造原理,在原手动多路换向阀上添加步进电机和传动环节,给出了其传递函数,提出了对步进电机进行控制的PLC控制方法,并对其PLC控制软件设计进行研究,给出PLC控制的程序流程图,分析了其控制特性。     

荧光法测定Ce^3＋与tRNA的结合常数

与其它稀土离子的自身荧光相比,稀土Ｃｅ３＋水合离子的荧光要强得多,并且在很宽的浓度范围内与其浓度成很好的正比关系,因此可以用来确定Ｃｅ３＋离子的浓度．ｔＲＮＡ非常强烈地猝灭Ｃｅ３＋水合离子的荧光．采用荧光滴定的方法研究了Ｃｅ３＋－ｔＲＮＡ体系,并用Ｓｃａｔｃｈａｒｄ方法测量了Ｃｅ３＋离子和ｔＲＮＡ的结合数和结合常数,结果发现：ｔＲＮＡ中有２组Ｃｅ３＋结合位置,其结合常数分别为约１０８ｍｏｌ／Ｌ和１０５ｍｏｌ／Ｌ．向体系中加入精胺可使结合数和结合常数稍微降低．