量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著．     

系列硫氮环分子的量子化学从头算研究

本文用从头算方法,采用 STO—3G 基组,对系列硫氮环分子(包括未知分子)的基态几何构型进行了全优化,在优化的结果基础上,比较了硫氮环分子的稳定性,得出了硫氮环分子的稳定构型,本文还讨论了硫氮环分子的芳香性问题,说明在硫氮环系列分子中,只有一部分具有“多电子芳香性”。同时预测了 S_2N_3~+和 S_5N_~(2+)合成的可能性。     

C~3I系统工程可靠性评估技术研究

针对Ｃ￣３Ｉ系统分层管理拓扑结构模式，文章重点对系统可靠性度量指标及其相互关系、系统可靠性模型设计与可靠度计算等重要技术进行了研究。本文可对Ｃ￣３Ｉ系统工程总体技术设计可行性论证，以及系统验收评审提供参考。     

CNC系统中任意三维椭圆弧的高速插补新方法

本文根据两步递归插补的思想,导出了任意三维椭圆弧高速插补的公式和算法.它是空间圆弧高速插补方法在三维椭圆弧的情况下进一步推广应用.本文最后还对插补算法进行了稳定性分析和误差分析.     

试论新南非语言政策的演变及其对教育的影响

文章以语言政策最近的发展为背景,讨论了与语言使用现实和执行相关的问题;以全南非语言委员会(PANSALB)遭遇的一些问题、公共场所语言使用情况、家庭使用语的分类以及学校里的教学指导语为案例进行阐释。这些案例表明了在执行语言政策和形成包容性的民族认同方面,南非依然困难重重。     

僧帽牡蛎碱性磷酸酶功能基团的研究

采用化学修饰法研究僧帽牡蛎碱性磷酸酶活性功能基团性质.酶经0.4mmol·L-1PCMB修饰30min后活力仍然保持不变,提示巯基与酶的活力无关;用二巯基苏糖醇(DTT)对酶进行修饰,当DTT浓度达到2.5mmol·L-1时,酶活力丧失98%,表明硫 硫键与酶活力有密切的关系;以N 溴代琥珀酰亚胺(NBS)修饰酶的色氨酸残基,酶的修饰失活呈一级反应,当NBS浓度达到0.65mmol·L-1时,酶活力丧失100%,并辅以紫外吸收光谱的变化分析,表明色氨酸残基是酶催化活力所必需的;醋酸酐、马来酸酐、甲醛等氨基试剂对酶的修饰作用显示氨基是酶的必需基团.     

用GC/MS、GC分析中药前胡中白花前胡丙素、丁素和紫花前胡苷元

为快速鉴别中药白花前胡（Peucedanum praeruptorum Dunn.）和紫花前胡（Peucedanum decursinum Maxim.），用气相色谱/质谱（GC/MS），气相色谱法（GC）分别定性，定量分析白花前胡丙素（Pd-1a），丁素（Pd-Ⅱ）和紫花前胡苷元（Nodakenetin），在白花前胡中检出白花前胡丙素（M/Z 386）和丁素（M/Z 426)，但未检出紫花前胡苷元，在紫花前胡中检出紫花前胡苷元（M/Z 246），但未检出白花前胡丙素和丁素，线性关系：YPd-1a=1.111XPd-1a 0.021(n=6 r=0.9995)，线性范围：0.175～1.919μg，YPd-Ⅱ=1.189XPd-Ⅱ-0.013(n=6 r=0.9996),线性范围：0.086～0.950μg。YNodakenetin=0.901XNodkenetin-0.024（n=6 r=0.9999），线性范围：0.089～1.062μg，回收率：白花前胡丙素97.29%，白花前胡丁素98.81%，紫花前胡苷元96.34%，分析结果表明，不同产地药材样品中各自特征成分含量不同，分析中未能找到白花前胡和紫花前胡苷元共有的相同的有效成分或指标性成分。表明可用GC/MS区分白花前胡和紫花前胡苷元，但未能用统一的化学对照品进行质量控制。     

健康的个性与数学教育的相互作用

本文探讨了健康的个性对数学教育的积极作用,同时又论述了数学教育对培养学生健康的个性的重要意义.     

Titius—Bode定则的发展,天体量子论和泛量子理论

太阳系的Titius-Bode定则可以发展为r_n=an~2,令α_1=0.042,n=3,4,5,6是类地行星;令α_2=1.2,n=2,3,4,5,6是类木行星。此时海王星、冥王星都是规则的,且适用于大多数卫星。由此可以完全类比于玻尔原子模型,并得出太阳系量子常数H=(αGM_⊙)~(1/2)和天体薛定谔方程。这样距离规则是行星演化时统计性的结果,宇宙中应普遍存在波粒二象性和形式相似而量子常数各不相同的泛量子理论。     

亚油酸盐在45钢电极界面的吸附行为

探讨了亚油酸盐在４５钢电极界面的吸附行为．用充电曲线三点法和交流阻抗法测定体系的腐蚀电阻；用动电位扫描法测定极化曲线；用ＡＥＳ和ＸＰＳ对吸附层进行分析．结果表明。亚油酸在电极界面首先形成一单层化学吸附层；以胶团吸附形式存在于化学吸附层之上的物理吸附层对抑制点蚀起了重要作用．