激光显示中的散斑抑制技术

针对半导体激光器作为背光源的液晶显示器背光模组, 应用TN型E7液晶构建抑制散斑装置, 并分析频率与电压对散斑抑制效应的影响. 结果表明, 散斑对比度由6.52%降为2.80%, 使人眼无法察觉散斑.     

药食同源植物醛糖还原酶抑制剂的筛选

选取50余种药食同源植物, 根据糖尿病并发症的病发机理, 筛选含有有效醛糖还原酶抑制剂（ARI）的天然成分, 利用测定的IC₅₀值作为参考, 比对各已知有抑制活性的样本植物的醛糖还原酶（AR）抑制效率. 结果表明： 柠檬、 苦瓜、 李子和石榴的ARI活性较强, 其IC₅₀值分别为0.74,0.64,0.25,0.027 mg/mL.     

CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能

在室温条件下, 用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长CdSe纳米棒阵列, 并利用X射线衍射(XRD)、 能量色散X射线(EDX)、 场发射扫描电子显微镜(
FESEM)和紫外 可见吸收光谱(UV Vis)表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌, 考察其光电化学性能; 在标准三电极体系下, 测试CdSe纳米棒阵列电极的光电化学性能. 结果表明： 样品沿\[001\]方向择优生长, 并具有明显的光响应特性; 在光强为100 mW/cm² 的模拟太阳光照射下, 该电极光电流密度     

三异丙醇胺硼酸酯的合成与表征

以三异丙醇胺和硼酸为原料, 经酯化反应合成三异丙醇胺硼酸酯, 并用重结晶方法纯化, 制得高纯度的终产物, 产物结构通过质谱(MS)、 核磁共振氢谱(¹H NMR)、 红外光谱(FTIR)等方法表征. 研究反应物物质的量比、 反应温度、 反应时间和共沸溶剂对合成反应的影响以及重结晶溶剂和溶剂比例对纯化效果的影响. 结果表明, 最优条件下合成的三异丙醇胺硼酸酯的质量分数为99.8%, 收率为87.1%.     

中国南海红树内生真菌Microsphaeropsis sp.二氢异香豆素类化合物研究

 首次研究了一株南海红树内生真菌Microsphaeropsis sp.的次级代谢产物。从该菌的培养液的乙酸乙酯相中分离获得8个二氢异香豆素单体化合物,运用现代波谱技术鉴定其结构分别为4 hydroxy 8 O methylmellein (1),mellein (2), 4 hydroxymellein (3), 5 hydroxymellein (4), 4 hydroxy 3,5 dimethylmellein (5), 5 methylmellein (6), 7 hydroxymellein (7), 5 carboxymellein (8)。其中,化合物1为从自然界发现的新天然产物,化合物 4,5,6,7,8 为首次从海洋真菌Microsphaeropsis sp.中分离得到的化合物。     

基于MA的PBNM系统架构

提出一种基于移动代理(MA)的网络管理系统架构与网络管理方法——PBNMBMA（Policy Based Network Management Based on Mobile Agent), 并对PBNMBMA系统在多域环境下的工作过程及各个模块的功能需求进行了设计与探讨.     

乙二醇与乙酸酯化反应的双反应段反应精馏塔设计

将一种具有新型反应精馏结构的双反应段反应精馏塔应用于乙二醇与乙酸连续两步酯化反应,详细分析了精馏塔的稳态性能并探讨其节能效果。以最小化总的年度费用(TAC)为目标,优化双反应段反应精馏塔结构,并将此优化结构与单反应段反应精馏塔优化结构进行比较。结果表明在双反应段反应精馏塔中,设计变量的增加能够有效协调两步反应之间的关系,提高反应效率和分离效果,使双反应段反应精馏塔TAC减少了23.58%,实现节能效果。     

Asp分子手性对映体转变机理及水的催化作用

用色散校正密度泛函WB97X D方法、 微扰理论的MP2方法和自洽反应场的SMD模型方法, 研究两种天冬氨酸(Asp)分子在优势反应通道的手性对映体转变、 水分子催化及溶剂效应. 结果表明： Asp分子经α 羧羟基、 β 羧羟基、 β 羧基和R 基旋转及质子从α 碳向氨基氮、 质子从氨基氮向α 碳和羧基内质子迁移的一系列过渡态, 实现了手性对映体转变, 并得到几种不同构型的旋光异构产物； 具有2条较强单氢键和2条中等强度单氢键的Asp分子在优势通道旋光异构的内禀能垒分别为258.5,253.8 kJ/mol, 均来自α 氢向氨基氮迁移的过渡态； 2个水分子簇的催化使其能垒分别降至133.3,134.3 kJ/mol, 水溶剂环境下分别降至106.3,107.8 kJ/mol. 表明水分子簇的催化可使Asp分子缓慢实现手性对映体转变, 水溶剂化效应可加快反应速度.     

二维函数光子晶体的点缺陷及本征场分布

用COMSOL Multiphysics仿真软件研究含点缺陷二维函数光子晶体的带隙结构、 缺陷模式及缺陷模式的本征场分布. 介质柱介电常数的线性函数形式： ε(r)=k·r+b, 由电光效应和Kerr效应, 通过对介质柱施加外电场和光场改变其折射率.  计算结果表明, 改变点缺陷介质柱介电常数的参数和点缺陷个数, 均可调节二维函数光子晶体的带隙结构和位置, 以及缺陷模式及缺陷模式的本征场分布.