高性能钛酸锶钡PTC材料的研究

本文在大量实验的基础上,对材料的烧结机制、晶界势垒、微观结构与宏观性能之间的关系进行了研究,获得了合理控制掺杂,最佳烧成等工艺条件,采用国内生产的较低纯度的原料,制作出高性能的PTC产品。     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

SrO掺杂对Ba6-3xNd8+2xTi18O54陶瓷性能的影响

研究了SrO掺杂对Ba6-3xNd8 2xTi18O54晶体晶胞参数及陶瓷微波介电性能的影响 .研究表明 ,对于不同的x值 ,Sr取代Ba存在不同的极限值 ,当x =0 .5时 ,极限值为 0 .110 ;x =0 .6时 ,极限值为 0 .0 4 8;x =2 / 3时 ,极限值为 0 .2 0 0 .超过这一极限 ,Sr将取代Nd .正是由于Sr取代的离子不同 ,而使晶体的晶胞参数呈现不同的变化趋势 ,因而陶瓷的微波介电性能也会发生相应的变化 .     

BaTiO_3半导瓷耐压与晶界电结构关系的研究

实验发现BaTiO_3半导瓷的耐电压特性,即使在材料的组分、晶粒的平均尺寸、常温电阻率以及低电压下测得的阻温特性均相同的情况下,仍存在相当大的差别。这种现象用Daniels及Heywang模型均很难解释,本文提出的双势垒模型较圆满地解释了上述实验现象,为制备高耐电压,低常温电阻率的产品提供了理论依据。     

施主掺杂的（MgCoNi）O系材料的高温电导研究

研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释．     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

PTC片式元件注凝成型工艺的研究

研究了注凝成型工艺在制备BaTiO3基PTC片式元件方面的应用,成功制备了高固相含量低粘度的BaTiO3基陶瓷浆料,讨论了注凝成型过程中的影响因素,考察了注凝成型生坯和陶瓷元件的微观结构及陶瓷元件的PTC性能,制备出了室温电阻在3～5Ω、温度系数为18％～19％、升阻比大于5的PTC片式元件．注凝成型所得PTC片式元件的电性能稍优于轧膜成型所得样品的电性能．