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31.
根据液相反应胶粒析出机理及实验原理,制备了Ba1-xSrxTiO3的前驱体(Ti(OH)4、SrCO3,BaCO3),然后经过焙烧,在较低温度(450℃)时是碳酸钡锶和二氧化钛分子状态的混合纳米晶,继续焙烧(900℃)成为发育完整的Ba1-xSrxTiO3纳米粉体,经TEM和XRD表征,平均粒径为100m,粒径分布较窄,分散性良好,XRD表明此纳米粉体为钛酸钡锶Ba1-xSrxTiO3。 相似文献
32.
采用简单的混合溶剂热、无模板剂的方法,以Eu(NO_3)_3·6H_2O为金属离子源、噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)为有机配体,成功制备了噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物(Eu-CP)纳米粒子.用不同手段对合成的产物进行了表征,并对其发光性能进行了研究.通过与聚甲基丙烯酸甲酯混合,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用旋涂法制备了系列不同原料配比的Eu-CP纳米粒子旋涂膜,并对比了它们的荧光强度.探讨了所得旋涂膜的光稳定性以及热稳定性. 相似文献
33.
源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析. 相似文献
34.
为了研究大兴安岭中段哈达陶勒盖组火山岩的形成时代和岩石成因,进行了锆石U-Pb同位素年龄测试和地球化学研究.LA-ICP-MS锆石U-Pb定年结果显示,哈达陶勒盖组火山岩形成于234~244Ma的中三叠世.岩石地球化学研究表明,哈达陶勒盖组火山岩具有低硅富碱、富钙镁的特征;稀土丰度总量w(∑RE)= 122.32×10-6~140.66×10-6,轻、重稀土分馏较明显,m(La)/m (Yb)N=11.99~18.68, 无明显Eu负异常(δ○Eu=0.84~0.98),微量元素以富集Rb,K,Ba,Th,亏损Nb,P,Ti为特征.哈达陶勒盖组火山岩岩浆源区为富集的岩石圈地幔, 并遭受了地壳物质的混染. 相似文献
35.
36.
城市环境规划是国民经济社会发展规划在环境保护方面的落实,污染物的主要控制指标是考核环境保护设施落实情况的重要抓手,为此依据主要社会经济指标对污染物排放水平进行预测,对于环境保护规划的合理编制具有重要意义。 相似文献
37.
正5月15日上午,一堂别开生面的微党课在浙江省科技宣传教育中心12楼举行。与普通党课不同的是,熟悉的会议室场景转换成了走廊——这是一条以红色为主色调的党建文化长廊。"我们新建的党建文化长廊,会不会让大家有‘江山一片红’的视觉感受?红色基因,承载着共产党员的理想信仰和优良作风,是共产党员的非凡特质和精神内核。应该在我们每一名共产党员身上生根发芽、赓续传承、发扬光大。"省科技宣传教育中心党总支书记费必胜,戴着耳麦,腰挎迷你音箱,以"讲解员"样貌出现在全体党员面前,"今天的党课,主要围绕我们的党建文化墙展开。" 相似文献
38.
本研究基于认知的视角,从理论上分析了企业战略变革过程中冲突的形成与影响,提出了战略变革知觉、战略变革响应与冲突关系假设模型,并开展了实证分析.研究表明,战略变革知觉与战略变革响应正相关,冲突在两者之间起到中介作用. 相似文献
39.
40.
控制器的性能通常表现为多个属性指标,综合涉及了随机性和确定性性能,为此,提出了一个相适应的评价方法。根据特定控制回路对于控制性能的不同要求,对各属性指标分配不同的权重;考虑到不同扰动对于控制性能评价基准的影响,提出了一个基于BP神经网络的过程扰动识别方法;基于历史数据建立评价基准,应用多属性决策方法得出控制器的综合属性评价值,数值实例仿真和TE过程实验证明了所提出方法的有效性。 相似文献