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对多级雾化法制取的Cu-Cr-Zr-Mg合金粉末热挤压成形及时效处理后的组织及性能的研究表明:合金粉末经真空封装后,在420℃按10:1的挤压比成形后,合金密度达理论密度值的98%以上,并且组织中存在着与母相保持共格关系的Cr相和Cu5Zr。经500℃时效1h后,硬度和导电率分别达HV170及81%IACS。 相似文献
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分析了时效与冷变形对Cu-1.ONi-0.25Si-0.10Zn合金的硬度与导电率的影响规律,结果表明合金经850℃固溶处理后在450℃时效时,第二相呈现弥散分布,表现出较大的稳定性,在525℃时效时第二相的析出速度较快,时效后可获得较高的导电率;时效前的冷变形可以加速时效析出过程,在时效的初期尤为明显.合金采用分能时效工艺处理后,可得到高的硬度(HV171)和较高的导电率(59.5%LACS). 相似文献
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采用大电流交流脉冲快速加热Fe78B13Si9非晶合金条带,研究了脉冲加热工艺参数对加热速率、应力释放率、退火脆化和软磁性能的影响规律.结果表明,脉冲电流加热时,加热速率比常规退火高3~4个数量级,内应力释放率可达85%,退火脆化受到抑制.和淬态相比,矫顽力He降低仅为其1/4,饱和磁感B.提高30%以上,软激性能得到明显改善. 相似文献
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通过冷烧结工艺,实现了NaCl、Li_2MoO_4、AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl陶瓷材料的烧结过程,研究了冷烧结材料的微波介电性能。研究结果表明:冷烧结制备Li_2MoO_4材料的微波介电性能为εr=5.6,Q×f=24866 GHz,τf=-160×10~(-6)/℃,其εr值与传统烧结的样品相似,Q×f值也比较好。在冷烧结过程中,AlN-NaCl、Zn_2SiO_4-NaCl材料没有第二相的生成,AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl材料的相对密度分别随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低。在微波频率下,εr符合考虑气孔的Lichtenecker方程模型,Q×f值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低,τf值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的变化规律符合混合法则。 相似文献
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高职图书馆的定位分析 总被引:1,自引:0,他引:1
黄金亮 《科技情报开发与经济》2008,18(4):60-61
阐述了高职图书馆借阅结构,分析了高职图书馆借阅结构的原因,提出了改善高职图书馆借阅结构的措施. 相似文献
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以熔盐法合成的各向异性的棒状铌酸锶钡陶瓷粉体为模板粉体,采用流延成型工艺,制备出织构化的铌酸锶钡陶瓷,研究了模板添加量及烧结温度与织构化陶瓷微观组织结构间的关系。实验结果表明:使用流延成型工艺可以制备晶粒定向排列的铌酸锶钡陶瓷,随着模板添加量的增加,陶瓷的织构化程度变大。在本实验的条件下,在1375℃烧结3h,模板加入量为30%时,铌酸锶钡陶瓷的织构化程度达到57%。 相似文献
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对快淬NdFeB磁粉表面进行有机硅烷(KH550)包覆处理,研究了包覆处理对快淬NdFeB磁粉抗氧化性的影响,并初步研究了包覆处理对快淬NdFeB粘结磁体的密度,抗压强度及磁性能的影响规律,利用SEM观察了磁粉表面状态及磁体的断口形貌.结果表明:有机硅烷(KH550)包覆处理可明显提高磁粉的抗氧化性,而相应粘结磁体的密度,抗压强度及磁性能也得到了不同程度的提高或改善. 相似文献
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探讨了时效及形变对集成电路引线框架用Cu3 .2 %Ni0 .75 %Si0 .3%Zn合金显微硬度和导电率的影响规律 ,在此基础上将优化的时效 -形变工艺应用于铜合金引线框架薄带的加工工艺流程中 ,以期使材料获得高的强度和较高的导电率。 相似文献
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针对可用于冷烧结的中间液相十分有限的问题,利用氯化胆碱/丙二酸制备的低共熔溶剂作为中间液相,在不同压力和温度下,对CuO陶瓷粉体进行了冷烧结。结果表明:在400℃,540 MPa,w(低共熔溶剂)=10%的条件下,可获得相对密度为88.2%的CuO陶瓷。加入低共熔溶剂可以使CuO的相对密度相较于干压后提升19.4%,低共熔溶剂可以作为冷烧结CuO的中间液相。 相似文献
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应用5kw—CO2激光器在45钢基材上进行镍基合金激光熔敷处理.观察并测定了激光熔敷层的组织及显微硬度分布,着重探讨了该合金激光熔敷层在不同条件下的腐蚀磨损行为.试验结果表明,在酸性介质中,激光溶敷层的腐蚀磨损速率随介质浓度及冲击速度的提高而线性增加,其中冲击速度影响较为显著.激光熔敷层的腐蚀磨损失效是以磨料磨损为主,失效机制是显微切削并伴随着凿削磨损。 相似文献