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251.
以N,N’-邻羟亚苄基-4,5-二甲基邻苯二胺为配体合成一个新型Schiff-base Mn(Ⅱ)配合物,通过红外、单晶衍射对其进行了结构表征.用琼脂扩散法测定Mn(Ⅱ)配合物对临床分离耐药真菌的抑菌圈大小,微量稀释法测定配合物对上述菌株的最低抑菌浓度[minimum inhibitory concentration(MIC)]、最低杀细菌浓度[minimum bactericidal concentration(MBC)].抑菌试验结果表明,Mn(Ⅱ)金属配合物对一般临床分离真菌白念592、白念103和耐氟康唑临床分离真菌白念Z2901、白念Z2503和白念649具有良好的抑菌效果,其与氟康唑联合对抑制白念649和白念Z2901具有有协同杀菌作用. 相似文献
252.
欧阳劲进 《湖南理工学院学报:自然科学版》2008,21(2)
从岳阳市环境信息网络系统层次结构的角度展开,通过网络运行,分析网络各个层次可能存在的安全漏洞和安全风险,并分析其解决方法,研究结果对我国各城市进行环境信息系统的安全运行具有借鉴作用. 相似文献
253.
254.
该文对于未知非线性离散单输入单输出(SISO)系统提出了一种基于支持向量机的内模控制方法。整个控制律包括标称控制器与鲁棒控制器2部分,标称控制器是基于支持向量机-非线性自回归滑动平均(SVM-NARMA)模型用二次型最优性能指标推导出来的,而鲁棒控制器可以减少不确定性对系统性能的影响。利用Lyapunov方法证明了闭环系统的稳定性和鲁棒性。结果表明:该方法不仅适用于不具有严格相对阶的系统,也适用于具有不稳定零动态的系统。大量仿真结果验证了该方法的有效性。 相似文献
255.
兰州重离子加速器装置HIRFL是目前我国规模最大、加速离子种类最多、能量最高的重离子研究装置,主要技术指标达到国际先进水平,是世界上几个重要的核物理研究设施之一.HIRFL由ECR离子源、扇聚焦回旋加速器SFC、分离扇回旋加速器SSC、放射性束流分离线RIBLL1和RIBLL2、冷却储存环主环CSRm和实验环CSRe等主要设施组成.HIRFL具有加速全离子的能力,可提供多种类、宽能量范围、高品质的稳定核束和放射性核束,用以开展重离子物理及交叉学科研究.本文重点介绍了兰州重离子加速器装置HIRFL的发展现状以及取得的系列成果,同时对国内外重离子加速器装置的发展现状做了简要介绍. 相似文献
256.
焉耆盆地侏罗系煤中微量元素地球化学特征及意义 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对焉耆盆地侏罗系煤层的微量元素研究,分别探讨了微量元素的含量、分布、赋存特征及其成煤环境意义。研究表明,焉耆盆地煤中微量元素总体含量较低,但P、V、Ti等元素则明显富集,属于内陆湖泊盆地;微量元素在盆地边缘和煤层的顶底板及夹矸中明显富集;P元素具有明显的有机亲和性,Cu、Ti等元素主要赋存于粘土矿物中;元素的地球化学特征和沉积物的颜色,以及西山窑组粗碎屑的出现表明,焉耆盆地侏罗系水体由淡水向微咸水逐渐过渡,古气候由潮湿向干旱转变。 相似文献
257.
本文根据数理统计原理和多元分析方法。结合模糊数学的实际应用,对国家在两河-湖(长江-湘江-洞庭湖)区域水环境的断面设置与监控进行了系统性分析,并通过一年的实测验证,进一步确证了我国在这一区域水质监控的设置要求,为国家在这一区域水环境的每天二十四小时自动应急监控给出了技术保证。 相似文献
258.
【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法,对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明,Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长,膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。Al原子逐步上移,Si原子逐步下移,在结构演变的过程中逐步实现Al/Si异质膜层的翻转。【结论】Al原子引起Si原子之间成键状态的变化,Al原子的库仑屏蔽作用使得Si—Si键的强度减弱,Al原子扩散进入Si层具有能量优势,降低了Si的晶化能垒,有利于Si原子的迁移并结晶。 相似文献
259.
蒋有进 《华中师范大学学报(自然科学版)》2016,50(5):0-0
网络具有互动性强、超越时空以及开放性等优点,在信息的传播中具有高效便捷的优点,因此受到了青少年的广泛欢迎.在网络环境下,教师和学生在获得相关信息时往往是同步的,能够使教师和学生站在同一起跑线上,学生可以通过网络大胆地发表自己的见解.网络作为一把双刃剑,通过合理地应用对于青少年的健康成长,对于高中历史教学的创新具有重要的帮助.网络技术逐步改变了传统高中历史教学的模式,对于提高高中历史教学的质量和效率具有重要的帮助,因此应当加强对网络环境下历史课堂创新的研究. 相似文献
260.
采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了约200 nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压U_s和氩气流量F_(Ar))对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙度的影响.采用原子力显微镜(AFM)对PZT薄膜的表面微观形貌和表面粗糙度值R_q(均方根值)和R_a(算术平均值)进行测试和分析,通过探针式表面轮廓分析仪测量刻蚀深度d并计算出刻蚀速率V_(etc).结果表明:刻蚀速率V_(etc)严重依赖于离子束入射角θ,在0~75°的θ范围内呈类抛物线关系;当θ为45°时,刻蚀速率达到最大值.随着F_(Ar)和U_s的增加,V_(etc)与两者分别呈成正相关关系,且越来越大.表面粗糙度值R_q和R_a随F_(Ar)和θ的改变而变化,在7 sccm、45°时会有最优值出现;而随屏级电压U_s的增加,在800 V处表面粗糙度值最低. 相似文献