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51.
研究了Drazin可逆算子在0点的特征投影,得到了两个结果:设A是Drazin可逆的,则Q=Aπ的充要条件是Q2=Q,AQ=QA,σ(AQ)={0}且A Q是可逆的;设E是与A可交换的幂等算子,A是Drazin可逆的且i(A)=k,那么下列条件是等价的:E是A在0点的特征投影;对所有的λ≠0,A λE是可逆的;AkE=0且对某个ξ≠0,A ξE是可逆的. 相似文献
52.
P2P网络中保证瓶颈带宽公平性的路由队列管理 总被引:1,自引:0,他引:1
在基于域结构的P2P计算网络环境下,针对RED(Random Early Detection)队列管理机制不能完全保证各流量公平共享瓶颈带宽进行改进,运用窗口滑动技术,根据网络流量状态,动态地设置阈值参数mint,maxt和maxp,使队列变化随网络流量变化动态调整,实现了一种Optimized-RED队列管理机制.仿真分析表明:Optimized_RED队列管理机制能有效地保证各连接流量公平共享网络瓶颈带宽,平滑网络瓶颈的阵发流. 相似文献
53.
一类不确定非线性离散时滞系统的鲁棒镇定问题 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了不确定非线性离散系统的鲁棒镇定问题,把不确定非线性离散系统的鲁棒镇定问题转化为严格的线性矩阵不等式,给出了可设计系统无记忆状态反馈控制律的充分条件;当条件满足时设计出无记忆状态反馈控制律使闭环系统渐近稳定,同时得到有界非线性扰动项的最大界值.然后把结果推广到非线性时滞系统,得到了相应的结果. 相似文献
54.
对不同镉离子浓度胁迫下绿豆幼苗生长状况进行了的比较分析,结果表明:不同镉离子浓度对绿豆幼苗的影响是显著的,对叶器官的毒害作用最大,其次是根,对茎的毒害作用最小;对株离生长的抑制影响高于根长的生长;镉离子浓度为0.5mg/L对绿豆全株生物量生长产生显著的抑制,随着浓度的增加对其生长的抑制作用也在增加;但0.5mg/L镉离子浓度对叶、根生物量积累没有显著影响,而10mg/L对两者的生长均产生显著影响。但在10-100mg/L范围内对两者的影响差异不大;从镉离子对株高的影响基本与对全株生物量一致,而不同镉离子浓度对根长的生长作用较为复杂.绿豆幼苗地上部分脯氨酸含量均随着镉离子浓度的增大而增大,到100mg/L时脯氨酸含量反而下降. 相似文献
55.
56.
利用特定的覆盖性质,借助序列覆盖映射,建立局部紧Lindelöf空间和cs覆盖、sn覆盖、cs*覆盖之间的联系,以及局部紧Lindelöf空间的序列覆盖映象特征,得到并深化局部紧Lindelöf空间的一些相应结果,完善了局部紧Lindelöf空间的映射理论. 相似文献
57.
以N-(苄氧羰基)-L-天冬氨酸和亚硫酰氯反应制备了N-苄氧基天冬氨酸酐,然后将其与不同链长的二醇(Diol:乙二醇、二缩三乙二醇、聚乙二醇200和600)缩聚,合成含端羟基的天冬氨酸-二醇交替预聚物[ASP—Diol];分别以它们为大分子引发剂,辛酸亚锡为催化剂进行丙交酯/乙交酯(LA/GA:75/25)开环共聚,合成系列含侧氨基的天冬氨酸-二醇-聚乙丙交酯[PLGA-(ASP—Diol)一PLGA]多元三嵌段共聚物。利用FTIR、1HNMR、EA、DSC和GPC对共聚物结构进行了表征。结果表明,影响预聚物分子量的主要因素不是二醇的分子量,而是其端羟基的活性。但随着二醇链段长度增加,多元共聚物中氨基含量降低,玻璃化温度也明显下降。因此,通过改变二醇链段的长度(或分子量)可以有效控制PLGA-(ASP—Diol)-PLGA中侧氨基的密度及分布。 相似文献
58.
重楼属植物愈伤组织的诱导和培养 总被引:6,自引:0,他引:6
以MS培养基为基本培养基,附加不同种类和浓度的生长调节物质,对不同器官,不同取材时期的重楼外植体进行愈伤组织的诱导培养研究.结果表明,BA和IAA有利于愈伤组织的诱导;生长期的幼芽组织是较适宜的培养器官,其愈伤组织的诱导频率达26.7%.该研究为进一步离体快繁完整植株打下了坚实的基础, 相似文献
59.
计及电动斥力效应的低压塑壳断路器机构动力学仿真 总被引:3,自引:0,他引:3
采用基于多体动力学原理的软件包ADAMS,建立了低压塑壳断路器操作机构的动力学模型,并通过实验测试了该型号断路器的机械性能.结果表明,所建模型的输出特性与实验结果吻合很好,证明了仿真模型的正确性.该模型的建立对于研究断路器的瞬态特性具有重要意义,为研究电动斥力对断路器机械特性的影响及机构的优化设计提供了良好的平台.利用霍尔姆公式和三维有限元分析软件ANSYS,计算短路开断过程的电动斥力,分析了短路情况下电动斥力对低压断路器开断过程的影响,实现了机电耦合.由于电动斥力的作用,机构短路情况下的动作时间比手动脱扣缩短了约2ms. 相似文献
60.
针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降. 相似文献