基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

一类超线性Dirichlet问题无穷多个径向对称解的存在性

应用常微分方程的能量分析法和相平面分析法证明了球上一类超线性Dirichlet问题存在无穷多个径向对称解.首先将所研究的问题转化为常微分方程,进而利用压缩映射原理证明常微分方程问题存在解,从而得到原问题存在无穷多个径向对称解.这一结果对某些不满足PS序列紧性条件和超出Sobolev嵌入定理临界指数的非线性增长条件仍然成立,并给出具体实例,说明了采用这种方法研究问题的优势.     

水体及沉积物中碱性磷酸酶的研究进展

阐明了碱性磷酸酶在水体和沉积物生态系统中的作用，重点综述我国海湾和淡水湖泊水体及沉积物中碱性磷酸酶的研究状况。     

单一反应体系曝气量与污泥质量浓度对同步硝化反硝化的影响

利用自培养硝化污泥与实验室筛选的1株反硝化细茵共培养形成共生污泥,构建膜生物反应器(MBR)单一反应体系同步硝化反硝化系统,得到系统良好同步硝化反硝化曝气量和污泥浓度的最优条件.由试验结果可知:在混合污泥质量浓度(MLSS)6.0～10.0g/L时,调节曝气量,可以使单污泥同步硝化反硝化总氮(TN)去除率达到85%以上.不同MLSS下,达到最高TN去除率的最佳曝气量随着MLSS增高而向高曝气量偏移.随着MLSS增高,响应因子F变小,由曝气量的变化而引起的TN去除率变化明显变缓,表示MLSS对O2传递的缓冲能力越强.在MLSS为8g/L条件下,低负荷比较容易达到较高的TN去除率,而高负荷下需要更高的曝气量以获得高的TN去除率,系统适合的NH4+-N负荷范围0～0.30 kg/(m3·d).MLSS≥3.0g/L,出水化学需氧量(COD)低于50 mg/L,COD大部分贡献于反硝化所需C源.单一反应体系同步硝化反硝化系统能对负荷的改变作出及时的回应,整体上运行比较稳定.     

皇甫川流域两种优势藓类光合特性的比较研究

对皇甫川流域两种优势藓类光合特性进行了比较研究.结果表明:褶叶青藓(Brachythecium salebrosum)的叶绿素a、叶绿素b及类胡萝卜素含量均高于直叶灰藓(Hyp-num vaucheri)的这些光合色素含量,其叶绿素a与叶绿素b比值为1.78,而直叶灰藓的叶绿素a与叶绿素b比值为1.93;褶叶青藓净光合速率日程变化呈单峰曲线形,而直叶灰藓净光合速率日程变化呈双峰曲线形,有"午休现象";两种藓类光饱和点和光补偿点均较低,具有阴生植物光合特点;在自然脱水情况下,在90min内直叶灰藓和褶叶青藓水分含量降到20.69%和15.56%,但仍保持32.96%和38.78%的光合速率;复水90min后其水分含量基本恢复到正常水平,光合速率也分别恢复到较正常水平的98.61%和96.96%,具有明显的复苏植物特性.     

温度和脂肪醇对N一脂肪酰基谷氨酸钠表面活性的影响

用滴体积法研究了温度和一些酯肪醇对阴离子表面活性剂Ｎ一脂肪酰基谷氨酸钠（ＦＡＧ－Ｎａ）表面活性的影响，实验表明：温度或脂肪醇均使ＦＡＧ－Ｎａ的表面张力和临界胶束浓度发生变化。     

一个矩阵方程的特征条件

给出了满足ＡＡ＾＊－Ａ＾２Ｂ的特征条件，这里矩阵ＡＡ＾＊与Ｂ可交换且Ｂ是非奇异的正规矩阵。     

Sr2SiO4∶Eu2+发光材料的燃烧法制备及其光谱特性

采用燃烧法制备Sr2SiO4∶Eu2+发光材料.采用X线衍射仪、扫描电镜和荧光光度计对样品的晶体结构、微观形貌和光谱特性进行表征.研究结果表明:退火后样品的晶体结构属于正交晶系的α'-Sr2SiO4,掺杂Eu+对晶体结构没有影响.荧光光谱测试表明:Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射光谱均为宽带谱,激发和发射主峰分别为335 nm和493 nm,分别对应于Eu2+的4f7→4f65d1和4f65d1→4f7跃迁.随着点火温度的增加,激发和发射光谱强度均呈先增后降的变化.点火温度750℃时材料的激发和发射峰强度最大.随着Eu2+掺杂量的增加,Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射强度均先增大,在掺杂0.01 mol Eu2+时达到最高值,而后随着Eu2+掺杂量的增大,激发和发射峰强度减小.制备的Sr2SiO4∶Eu2发光材料有望用于白光LED领域.     

弦支穹顶结构的风振响应分析

在考虑了风向角和水平脉动风速谱对结构响应计算结果影响的前提下,采用完全二次型组合法(CQC法)对实际大跨弦支穹顶屋盖结构进行了风振响应的频域分析,得到了不同风向角下该弦支穹顶屋盖结构的风振系数,分析了参振模态数目对结构响应计算结果的影响,并将其他4种脉动风速谱与常用的Daveport谱的风振响应计算结果进行了对比.分析结果表明:结构不同区域的最敏感风向角不同,结构中心部位对45°风向角最为敏感,除中心和悬挑部位以外的其他部位对0°风向角最为敏感;所有区域对90°风向角最不敏感;结构的内力风振系数总体上较位移风振系数分布均匀;参振模态数对该实际结构响应计算结果的影响较为明显,因此建议选取的参振模态数不小于100.另外,Harris谱不适合用于该结构风振响应的频域分析.