分数阶耦合电感的无源性

分数阶耦合电感的提出进一步丰富和完善了已有的电路元件体系,开展该类分数阶元件的无源性研究将促进相关的电路分析和综合理论的发展.从频域角度入手,使用耗散矩阵的概念推导了分数阶耦合电感的无源性条件,并通过几个实例进行了说明.可以看到,整数阶耦合电感仅为分数阶耦合电感中较为特殊的一类;两者的无源性条件存在较大差异,前者无源时...     

一种加速的广义交替方向乘子法

针对一类特殊的凸优化问题,原始交替方向乘子法收敛较慢,为改善算法的收敛速度,一种加速交替方向乘子法被提出,但是该算法可能会使对偶变量更新步长变得很小,影响算法效果.基于此,本文提出一种加速的广义交替方向乘子法,通过应用Chambolle和Pock提出的惩罚参数更新规则,证明了所提算法在一定假设条件下的全局收敛性以及建立起了在遍历情况下的最坏Ο(1/n~2)收敛率.     

绘平面控制网图和误差椭圆图程序

本程序采用ＢＡＳＩＣ语言编制，用于ＰＣ－Ｅ５００袖珍计算机和ＮＦ－ＰＰ４０精密四色绘图仪。该程序适用于绘制各种平面控制网图和各点上的误差椭圆图。本程序使用键盘输入语句和置数语句、读数语句，计算机根据输入的数据，逐一打印，以便查对，然后绘出平面控制网图。根据使用者的需要，是否绘出各未知点上的误差椭圆图。最后打印出绘图比例尺。     

废水生物处理中基质亲和性常数的测定方法探讨

介绍了废水生物处理中基质亲和性常数(Ks值)的测定方法：间歇进水法、连续流恒化器法、无限稀释法和间歇进水改进法,并对这4种方法的测定原理、方法以及优缺点进行了比较．讨论了各自的适用范围。分别采用4种方法对生物处理含酚废水的Ks值进行了测定。结果表明：经过长期驯化的活性污泥具有较好的苯酚亲和性,其Ks值约为0．06mg／L。间歇进水法不适用于测定低Ks值的情况,连续进水法的测定时间较长,对于混合培养体系也不适用,无限稀释法和间歇进水改进法均能快速准确地测定Ks值,后者操作更为简便。     

铜含量对Al-Li-Cu系合金组织和性能的影响

系统研究了含锂2.5％的Al-Li-Cu合金中,Cu含量从0到6％时,合金组织、密度、强度及塑性的变化。随Cu含量的增加,合金强度增高、塑性下降、密度增加。通过微观组织观察,分析和讨论了Cu含量对该合金析出和破断特征的影响。     

基于人皮瓣核酸内切酶抗癌策略的研究进展

人皮瓣内切酶1(human flap endonuclease 1,FEN1)作为一种结构特异型的5′-核酸酶,在DNA复制和修复系统中起着重要的作用.FEN1在多种癌细胞中高表达,与癌症的发生和发展密切相关.癌细胞中某些DNA修复元素的上调是对放化疗策略产生抵抗和耐药的重要原因之一,是癌症治疗的瓶颈.近年来,FEN1的作用机制被逐渐揭示,其在抗肿瘤策略开发中的意义也逐步受到重视.本文综述了FEN1的生物学功能和作用机制以及FEN1在癌症中的作用,从合成致死角度探索FEN1抑制剂抗癌的可能以及FEN1抑制剂的研究进展.     

低成本小型无线自动太阳敏感器设计与实现

针对微小卫星姿态确定与控制系统的需求,西北工业大学与荷兰代尔夫特理工大学共同研发了低成本小型无线自动太阳敏感器(Micro Wireless Automatic Sun Sensor, μWASS)。该敏感器采用四象限探测器作为感光部件,使用集成ZigBee通信协议的低功耗51单片机内核作为处理器,利用三结砷化镓太阳能电池片产生电能为系统供电。在能量储存方面,创造性地使用了超级电容作为储能部件。同时,在系统设计中考虑了空间环境辐射与高低温变化,增加了额外保护电路。μWASS视场角为120°×120°,在整个视场范围内精度小于0.5°(1σ), 平均功耗为30 mW。与目前现有的模拟式太阳敏感器相比,μWASS的测量数据通过无线通信方式传输,不需要专门接插件以及外部模拟/数字转换电路,可以实现即插即用,降低了太阳敏感器在卫星上的安装难度,提高了系统可靠性。μWASS实现了太阳敏感器的低成本、微型化和无线化,未来可以广泛用于各种微小卫星。     

改进型广义预测控制

基于Clarke(1987)等提出的广义预测控制,采用1步预报避步递推的方法,代替原文中递推求解丢番图方程进行大范围预测,在此基础上得到改进型的广义预测控制。新的控制算法节省了计算时间,便于微机实现。仿真结果证明了本方法的可行性。     

LC_4合金超塑拉伸时的力学行为和空洞形成

研究了细晶LC_4铝合金在400—520℃温度范围内,初始应变速率为10~(-2)—10~(-4)S~(-1)条件下拉伸时的力学行为及显微空洞的变化。结果表明材料呈现出良好的各向同性。平行及垂直于轧向拉伸到相同应变时空洞分布相同,并且空洞总是沿平行于拉仲轴的方向排列。进一步分析可以说明空洞不是在形变热处理当中大的Fe,Si夹杂物处形核,空洞形核主要发生在超塑变形中。