网络安全——防火墙技术浅析

计算机的安全性历来就是人们热衷的话题之一。21世纪Internet的广泛应用,网络安全的内涵也就发生了根本的变化。它不仅从一般性的防卫变成了一种非常普通的防范,而且还从一种专门的领域变成了无处不在。本文就网络安全方面的防火墙技术作了简要的探讨。     

压性雁列构造变形过程中热场演化的实验研究

在实验室利用铂电阻接触测温系统和红外热像仪两种仪器,观测了含压性雁列断层结构的岩石标本在变形过程中的温度分布．两种方法的测量结果都显示了热场在时间上和空间上与应力、应变场的关系．实验显示,在岩石标本的不同构造部位的增温速率不同,反映了不同部位的应力分布不同．实验过程中标本变形可分3个阶段:弹性阶段、粘滑阶段、以及破裂阶段．温度变化过程也分为3个阶段,各阶段的温度上升速率不同,热辐射场也发生了相应的变化,反映了不同阶段的主导增温机制发生了改变．实验结果对利用卫星热红外波段资料研究断层现今活动提供了物理依据．     

基于MapInfo的矿山地理信息系统的研究

本文基于 ＭａｐＩｎｆｏ研制开发的矿山地理信息系统，采用图形与数据相结合的方式，充分利用矿山的数据资料和地理方位、地形、周围环境等图形信息，对数据进行管理、查询和分析，为企业、部门、组织以及决策者提供完备而直观的信息。     

有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性

采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜, 并对薄膜的结构和光电性质进行了研究. 制备的薄膜为非晶结构, 薄膜与衬底有良好的附着性. 性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10^−2 Ω∙cm, 载流子浓度为4.4×10¹⁹ cm^−3, Hall迁移率为12.4 cm²∙V^−1∙s^−1. 薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82%.     

摩擦处理的取向膜表面液晶分子取向度

液晶取向问题是液晶器件中的最关键问题. 定量分析了摩擦取向处理后, 取向膜表面的液晶分子取向度, 用红外二向色性吸收实验证实了取向膜表面的液晶分子取向度是液晶体内部的1/3~1/2.     

Al_2O_3对镍电炉渣粘度的影响

用内旋转式粘度计测定研究了向某炼镍厂电炉渣和模拟镍电炉熔炼的原料中添加质量分数为6946%Al2O3和475%Ni的高铝镍物料时,对炉渣粘度的影响·结果表明,该炼镍厂电炉渣在1340℃时粘度为0538Pa·s;电炉渣在不添加任何其他试剂的情况下,渣中w(Al2O3)不宜高于9%;加入添加剂后,炉渣粘度降低,当在配料中加入20%的此种含镍物料时,添加剂加入量7%为宜,此时炉渣粘度为074Pa·s(1350℃),满足电炉熔炼对炉渣粘度的要求·     

Win2000 Server入侵监测

系统安全是一个连续的过程,随着新漏洞的出现和服务器应用的变化,系统的安全状况也在不断变化着;本文讨论了通过Win2000服务器配置技术手段,来保证正在提供服务的服务器长时间不被入侵.     

基于DSI测井横波分裂的水平井压裂缝检测研究

利用偶极横波测井检测水平井压裂缝不同于直井压裂缝检测,目前还存在较多的理论和技术问题。针对直井、斜井和水平井等不同情况,给出了三维TTI介质中SH波和SV波的相速度和各向异性系数计算公式,从理论方面研究其横波各向异性系数与裂缝倾角、裂缝方位角、井斜方位角、井斜角之间的关系,开展水平井横向压裂缝的DSI实验模拟研究,并在实际水平井QP52井中进行压裂缝检测应用。研究发现,DSI可以检测水平井的纵向缝和斜交缝,但无法检测水平井的横向正交压裂缝。横波各向异性系数随裂缝倾角的增大而减小,随裂缝方位角与井斜方位角之差的增大而减小;而井斜角的改变不会影响横波分裂速度和各向异性系数的检测与计算。研究结果可为工区水平井实施压裂缝检测的DSI项目提供重要理论指导和依据,即通过压前、压后近井地带的横波各向异性对比来检测压裂缝与识别压开层段。     

二元复合驱温度界限研究

二元复合体系中,聚合物的黏度和表面活性剂的油水界面张力是影响二元复合驱驱油效果的主要因素。温度对这两个因素都有很大的影响。目前,二元复合驱在国内已进入矿场试验阶段。针对国内几个二元复合驱试验区块,通过实验研究温度对二元复合体系黏度和油水界面张力的影响,确定温度对二元复合驱矿场试验的影响,对二元复合驱矿场试验进行指导。对比几个试验区块的实验结果,通过研究温度对二元复合体系黏度和油水界面张力的影响,确定温度界限,对矿场试验有一定的指导意义。综合各区块实验结果,在国内首次确定二元复合驱温度界限为<80℃。     

完整PbWO4晶体偏振性质的模拟计算

利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,计算了完整的PbWO4(PWO)晶体的电子结构,模拟计算了复数折射率、介电函数及吸收光谱的偏振特性．分析了各个吸收光谱的峰值所对应的可能的电子跃迁以及PWO晶体的偏振特性．