微机械陀螺仪反馈控制器鲁棒性分析及闭环接口检测电路设计

在分析微机械陀螺仪静电力反馈检测结构的基础上,提出了一种对现有Sigma-Delta静电力反馈检测方式的改进设计.对微机械陀螺仪闭环检测系统进行了离散化处理.基于Lyapunov稳定性原理,构造了一类能够使系统有限时间稳定的输出反馈控制器,并对其鲁棒性能进行了分析.该电路系统在Cadence平台下使用AMS 0.35 ...     

充液航天器试验的三维数值分析

对自旋充液航天器地面气浮台试验的动力学特性进行了分析和计算。以刚体系统的动量矩定理和流体运动的基本方程为基础，考虑液体晃动、涡旋、重力、离心力及Ｃｏｒｉｏｌｉｓ力等因素的影响，并运用Ｐｆｅｉｆｆｅｒ推广的关于流体均匀涡旋运动的理论，导出了液体晃动的边值问题和流固耦合旋转系统运动的联立微分方程组。运用边界元方法求解了重力场中部分充液偏置贮箱内液体晃动的三维边值问题，并将系统运动的联立微分方程组交换后化为广义特征值问题来求解。从而求得液体晃动的能量耗散率和系统的章动时间常数。     

双随机动态模型(DM)及预测

本文研究了一类比比动态线性模型(DLM)适用性更广的动态非线性模型(简称DM),给出了它的一步预测分布,通过二元泰勒展式,得到了DM的一类逼近模型,较完整地给出了参数的概率表达式及作为概率分布得到的预测。     

柴油机排气稀释过程中挥发性纳米颗粒形成和变化特性

建立了描述柴油机排气稀释过程中挥发性纳米颗粒形成和变化的H2SO4-H2O二元均相成核和气溶胶动力学耦合模型.利用该模型模拟计算H2SO4-H2O二元均相成核作用下分子团簇的生成率和团簇粒径等参数,以及分子团簇向挥发性纳米颗粒转化过程的气溶胶动力学作用;并考察了燃料硫含量和实验室内稀释采样条件变化对柴油机排气中挥发性纳米颗粒数浓度粒径分布的影响.研究表明:H2SO4-H2O二元均相成核作用产生大量分子团簇,燃料硫、温度、湿度对分子团簇的生成率和团簇粒径产生显著影响.凝并作用使成核作用产生的分子团簇由单分散系向多分散系转化,形成挥发性纳米颗粒;凝结作用进一步促进颗粒向大粒子方向迁移,排气中碳烟粒子会抑制挥发性纳米颗粒的形成;燃料硫含量和稀释参数(初级通道内混合气稀释比、温/湿度和停留时间)等均显著影响挥发性纳米颗粒的数浓度粒径分布.     

低硫柴油直喷燃烧超细颗粒排放特性研究

对比研究了燃用普通柴油和低硫柴油其排气超细颗粒数量浓度分布及化学成分特征. 结果表明, 相对于燃用普通柴油, 燃用低硫柴油其排气总颗粒质量浓度略有降低, 而数量浓度显著降低, 且降幅随负荷和转速增大. 燃用普通柴油和低硫柴油其排气微粒数浓度粒径分布曲线形状基本相似, 同一测试工况下, 相对于燃用普通柴油, 燃用低硫柴油其排气积聚模态微粒数量浓度变化较小, 而核模态微粒排放显著降低. 发动机排气微粒主要由C, O, Cl, S, Si, Ca, Na, Al, K元素组成, 燃用普通柴油和低硫柴油其排气微粒元素组成基本相似, 但燃用低硫柴油排气微粒中没有发现S元素. 排气微粒中挥发性有机物(SOF)主要成分有饱和烷烃(碳原子数为C15~C26)、有机酸酯和多环芳烃等. 燃用低硫柴油时微粒采样中未发现多环芳烃.     

锅炉模型简化及烟管受力计算

探讨和论述了D4.20.7/95/70AⅡ型热水锅炉在利用有限元计算时模型的简化与分析,并利用弹塑性结构分析程序,对该型号锅炉进行了有限元弹塑性分析,给出了管板上各烟管的受力分析,并提出了改进意见,为该型号锅炉结构的合理设计提供了较为可靠的理论依据.     

经理私人利益与过度投资

由于委托代理关系的存在,企业投资行为通常很难达到最优状态.文章研究了经理私人利益与企业投资行为的关系.通过建立模型,我们发现经理私人利益是企业过度投资行为产生的决定因素,显性报酬只是影响经理的努力水平而与投资行为无关,进一步分析发现当股东知道经理会过度投资时,经理的行为会受到惩罚.文章认为,合理的负、完善的监督以及人力资本产权化等是解决过度投资行为的有效措施.     

企业战略投资的期权研究

首先分析传统方法在评价不可逆可延迟战略项目方面存在的弊端,然后运用实物期权理论对战略投资建立投资决策模型,通过对模型的分析来衡量项目投资与否,并确定最佳的投资时机.最后用实例检验各种参数对模型结果的影响.     

美天均之作 崇淡泊之风——纵谈汉乐府《江南》诗格

汉代乐府诗里有一首《江南》古辞,辞曰:江南可采莲,莲叶何田田,鱼戏莲叶间.鱼戏莲叶东,鱼戏莲叶西,鱼戏莲叶南,鱼戏莲叶北.初看起来,这首诗似乎词陋意浅,枯淡无味.然稍加咀嚼,便有清香爽快之     

钨渗硅层的抗氧化性

鎢上滲硅层在1500—1700℃范圍內有效地防止鎢的氧化.滲层主要是WSi_2相.高溫氧化时,滲层表面形成玻璃体,WSi_2与W扩散反应形成貧硅的W_3Si_2相.氧化时間增加,W_3Si_2层厚度增加.