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291.
提出了一种综合设计微带带通滤波器的方法, 除了设计微带线的结构, 还综合考虑了屏蔽盒结构对滤波器技术指标的影响. 利用该方法设计了X波段高温超导(HTS)微带滤波器. 使用生长于0.5 mm厚的 LaAlO3 介质上的TI-2212高温超导薄膜, 实现了一个6阶带通滤波器, 中心频率为9500 MHz, 带宽为500 MHz. 该滤波器具有极低的带内插入损耗——小于0.2 dB, 以及阻带抑制高达90 dB以上. 在未经调谐的情况下, 测试结果与仿真结果基本一致. 相似文献
292.
L波段低噪声放大器的仿真和设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍使用Agnent公司的微波电路CAD进行仿真和优化设计L波段低噪声放大器的方法和过程,并对制成品在工作频段为1.7~1.9 GHz,噪声系数0.9 dB,增益为22 dB,带内平坦度0.5 dB进行实际测试和调试,结果表明,此放大器基本达到预定的技术指标,并对放大器低温测试结果进行探讨. 相似文献
293.
4-香豆酸:辅酶A连接酶是杨树木质素合成途径的关键酶之一,催化维管植物木质素合成羟基肉桂酸及其衍生物辅酶A酯化合物的形成.对毛白杨的重组Pt4CL1蛋白的不同肉桂酸衍生物底物的酶促动力学进行了分析,Pt4CL1对肉桂酸、4-香豆酸、咖啡酸、阿魏酸具有催化活性,其中的4-香豆酸、咖啡酸、阿魏酸,Km(μM)值分别为55.02±3.5、52.94±6、44.62±4,Vmax(nM.S-1)值分别为4.23±0.27、4.12±0.11、2.16±0.07;4-香豆酸,咖啡酸,阿魏酸的Kcat(S-1)值分别为44.73×10-3、43.57×10-3、7.61×10-3;对4-香豆酸,咖啡酸,阿魏酸的Kenz(M-1.S-1)值分别为823、812.98、170.55.Pt4CL1对肉桂酸的催化能力很弱,而对芥子酸没有催化活性.结果表明,Pt4CL1对4-香豆酸的催化效率最高,对咖啡酸的催化效率略低于4-香豆酸,而对阿魏酸的催化效率最低,对咖啡酸的催化效率略有很高的转化效率. 相似文献
294.
295.
两型豆同一植株上同时产生3种类型的花,即地上开放花、地上闭锁花和地下闭锁花。它们分别发育成熟于地上和地下。利用常规的石蜡切片和扫描电镜技术对地上和地下花的形态及胚胎学过程进行了研究。结果表明:1)地上开放花的花药4室,绒毡层为腺质型,小孢子四分体四面体型,胞质分裂同时型,二细胞型花粉,胚珠弯生,双珠被,厚珠心,胚囊发育为单孢蓼型,胚发育为柳叶菜型,核型胚乳;2)地下花的胚胎学特征与地上花基本相同,主要差异表现在花药2室,小孢子四分体以四面体型为主(可见左右对称型),胞质分裂同时型与连续型共存。同时,结合已有资料,对豆科蝶形花亚科植物的胚胎学特征进行了比较分析,探讨了两型豆属植物的系统位置。 相似文献
296.
Xingdi,Argan,Loulan Yizhi和Lop Nur为我国新发现的4个陨石富集区,位于新疆塔克拉玛干沙漠以东的罗布泊地区.新富集区的地质、地形条件非常有利于陨石的野外搜寻工作,发现并确认13块均为平衡型普通球粒陨石.相比于其他典型沙漠陨石,罗布泊陨石风化更为强烈,这可能与较高空气湿度和蒸发盐曾经共存有关.与南极陨石相比,在国内沙漠富集区回收陨石具有诸多优势.新富集区的确立为国内沙漠陨石的回收工作提供了理论依据和前提保障,我国的沙漠陨石回收工作亟待进行. 相似文献
297.
由于油田开发程度的不断加深及地震资料分辨率偏低的限制,常规波阻抗反演方法很难满足油田精细开发对储层描述的要求。M油田为碳酸盐岩礁滩相储层,上覆巨厚膏盐层广泛发育,深层目的层地震主频衰减较快、频带较窄,部分储层段较薄也低于地震分辨率,且井壁垮塌现象普遍存在。针对上述难题,本文创新应用压缩地震子波方法提高地震分辨率,引入神经网络方法修正井垮塌段密度曲线。最终,综合井点及地震波阻抗信息,采用“井-震”波形类比方法实现了对薄储层孔隙度的预测。相比常规方法,该方法首次应用于礁滩相碳酸盐岩薄储层的预测,显著改善薄储层段的地震分辨率,并充分结合了地震和测井的波形信息,提高了孔隙度反演精度,揭示了储层纵横向展布规律,指导了M油田储量复算及薄储层段的新井部署实施。 相似文献
298.
通过引入复正则变量,给出了RLC并联电路的量子化方案。作为应用,研究了激发相干态下电压和电流的量子效应。结果表明,观测量的量子涨落不仅取决于电路所处的量子态,而且取决于电路参数,阻尼对量子涨落的影响在欠阻尼和过阻尼情形下是正好相反的。 相似文献
299.
用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围. 相似文献
300.