用变角XPS技术定量计算超薄SiO2层厚度

采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。     

铁的γ射线康普顿轮廓

用活度为210mCi (241)~Am放射源发出的γ射线测量铁的康普顿轮廓。由此求出铁的费米动量是0.98±0.04a.u.这一结果与自由电子气模型计算结果相一致。     

对金割效应物理摆周期公式的讨论

介绍了自制的可优选周期极植的金割效应物理摆,以及摆的振动周期公式的特点。