纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用.     

基于多种群差分进化算法的分子动力学模拟体系中局部晶体结构识别

为了研究晶体形成的相变过程,提出了一种基于多种群差分进化算法的分子动力学模拟体系中局部晶体结构识别算法.首先,结合模拟体系原子/离子间连通性及其与晶体结构的几何相似度,构造出表示两者间重合程度的目标函数.然后,利用多种群差分进化算法获得目标函数最优解,进而确定模拟体系中排列方式与晶体结构相似的原子/离子.最后,利用Al、Mg、Fe、α-Fe₂O₃、Fe₃O₄、α-FeOOH、Fe（OH）₂七个聚集体对该算法进行验证.结果表明,所提算法不仅能够从模拟体系中识别出面心立方、密排六方、体心立方等简单晶体结构,还可识别出排布较为复杂的晶体结构,并可将聚集体直接分割为数个取向不同的晶体区域,适用于晶体成核、生长及相变过程的分子动力学模拟研究.