团簇V3BP电子自旋密度的研究

基于密度泛函理论,对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V₃BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明：团簇V₃BP最稳定构型1^（4）外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8^（2）外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V₃BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成,且α电子所占比例较大;构型2^（4）、1^（2）、4^（2）、8^（2）内部原子间成键后均为β电子过剩,其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。