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161.
研究了自生TiCP/LD7复合材料和基体铝合金的阻尼性能 ,发现随着温度升高和TiC颗粒体积分数增加 ,自生TiCP/LD7复合材料的阻尼性能提高 ,并且明显优于基体合金 .同时发现阻尼性能对频率和温度敏感 .研究认为 :位错阻尼和界面阻尼是提高自生TiCP/LD7复合材料阻尼性能的原因 ,当温度低于 2 0 0℃时 ,是位错阻尼起主要作用 ;当温度高于 2 0 0℃时 ,晶界阻尼和界面阻尼起主要作用 . 相似文献
162.
韦宏利 《南通工学院学报(自然科学版)》2003,2(3):66-68
章阐述了利用编解码器进行无线信号传输,采用单片机和语音芯片进行防盗防火报警的原理和实现过程;其具有报警速度快,报警直观,可靠性好等优点。 相似文献
163.
采用化学沉淀法制备了不同配比的SiC/BiVO_4复合材料,研究了在白炽灯照射下复合材料对亚甲基蓝的光催化降解性能.结果表明:2∶1型SiC/BiVO_4复合材料的光催化降解能力最强,光照60min时亚甲基蓝的降解率达90%;光降解反应速率常数为0.023 1/min,是纯SiC的22倍.采用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见-漫反射光谱(UV-Vis DRS)表征了SiC/BiVO_4复合材料的结构和形貌特征,初步分析了亚甲基蓝的光催化降解机理. 相似文献
164.
文化遗产是人类文明创造的见证,研究文化遗产的空间演化及其成因对于加强文化遗产保护与传承具有极其重要的意义。运用ArcGIS工具对安徽省文物保护单位时空分布进行分析,探讨文化遗产时空演变特征与地理环境的关系。研究发现:安徽省文化遗产空间分布类型趋于凝聚型,且聚集的程度较高;但不同类型的文化遗产具有不同的集聚形态。不同历史发展阶段文化遗产演化特征各异。文化遗产分布重心随着时间的推移呈现西北—西北—东南—东南迂回向南推移的态势,文化遗产演化格局经历了先分散后极化的空间过程。随后,进一步从地形地貌、水系河流、交通基础、历史积淀等4个方面探究文化遗产分布形态与地理环境的相关性,结果表明:文化遗产空间分布具有明显的平原指向性特征;与河流水系和主要交通线的距离远近关系呈幂指数递减趋势,且拟合方程的相关系数分别达0. 98和0. 99,说明文化遗产整体上呈现出较为显著的河流和交通"指向性"规律特征。 相似文献
165.
为进一步研究新型抗乙肝病毒活性药物,根据活性片段拼接原理设计了一系列新型结构的去氢胆酸肟类衍生物,并预测其抗乙肝病毒活性。以去氢胆酸为原料经过酯化(或酰胺化)、肟化等反应合成8种新化合物和1种已知化合物,其中,肟类3种,肟醚类6种,均为E构型。以1H NMR、13C NMR和MS测定其结构,发现肟化反应均发生在去氢胆酸3位的羰基上。体外抗乙肝病毒活性测试结果表明部分目标产物对乙肝e型抗原HBe Ag的分泌具有抑制活性,其中,化合物2a和2c的活性较好,其半数抑制浓度IC50分别为170.36μmol/L和97.34μmol/L。初步分析化合物的构效关系,发现甲氧肟醚类化合物活性最好。研究结果为该类结构的新药的研究提供了理论依据。 相似文献
166.
【目的】系统研究电解铝企业氟化物排放对企业周边土壤的累积影响。【方法】基于电解铝企业电解烟气的监测结果,采用ADMS模式预测企业周围大气中固态氟和气态氟的年平均落地浓度,通过土壤累积预测模式预测出不同年份氟化物在土壤氟污染关心点和区域土壤中的累积影响。【结果】固态氟、气态氟的年平均落地浓度与气象、地形和距离等因素有密切的关系。土壤中氟化物的累积与企业投产运行时间密切相关,随着企业运营时间的持续,土壤中氟化物含量的不断递增,电解铝企业运行30年后,厂区四周土壤中氟化物的累积量均出现了超出100mg·kg-1的区域,该区域最远距离可达1 640m,总区域面积高达4 487 411m2。【结论】电解铝企业生产对周围土壤的影响不容忽视,电解铝企业应提高污染防治措施,减少氟化物的排放。 相似文献
167.
为了突破有限元法在微观尺度下界面接触特性分析中的局限性,采用分子动力学方法研究纳米级粗糙峰的法向接触行为。利用大规模原子/分子并行模拟器(LAMMPS)建立3种不同半径的Cu单粗糙峰与金刚石刚性平面法向接触的分子动力学模型,从原子尺度模拟纳米级粗糙峰法向接触动态过程,分析法向接触力、实际接触面积、接触应力等参量的动态变化特性。结果表明:粗糙峰半径一定时,法向接触力、接触应力、实际接触面积与接触变形率正相关;接触变形率一定时,法向接触力、接触应力、实际接触面积均随粗糙峰半径的增大而递增;不同于宏观接触行为,由于原子间相互作用力,纳米级粗糙峰在法向初始接触阶段出现负的法向接触力以及非零的实际接触面积;粗糙峰的接触变形过程伴随着原子位错以及应力集中。 相似文献
168.
本文从分析建筑与周围环境的关系入手,就当今建筑界中,注重的建筑艺术问题,进行了深入的探讨。对建筑形象进行了较为系统的论述。 相似文献
169.
III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注.然而,几乎所有直接生长的InN薄膜都是”型的,薄膜中氧含量相当高,氧含量最高接近10%,体材料被严重污染.近年来,自从San—droff发现通过S对GaAs(001)进行简单的化学处理以后,使GaAs表面的电子性质得到了很大的改善. 相似文献
170.