两种六元瓜环与钆(Ⅲ)离子的超分子自组装

本文利用X射线单晶衍射方法测定了六元瓜环(Q[6])和对称四甲基取代六元瓜环(TMeQ[6])与钆(Ⅲ)离子形成的配合物的结构。结果表明,Q[6]-Gd(Ⅲ)离子和TMeQ[6]-Gd(Ⅲ)离子都形成1∶2的配合物,配合物通过氢键网络形成超分子链。     

新型三氮烯类化合物的合成与表征

通过重氮盐的偶联反应以及Claisen-Schmidt反应合成了5个新型三氮烯类化合物,目标化合物的结构通过MS、1H-NMR、13C-NMR等方法得到证实.利用MTT法对所合成的化合物进行体外抗癌活性的筛选,发现5个新化合物均具有抗癌活性.     

论水利勘测设计单位的管理创新思路构建

在新的技术条件以及社会背景下,水利勘测设计单位会面临诸多复杂问题,如何在多变的形势下抓住发展有利时机,更新观念,提高工作效率是一项紧迫的工作。提高水利勘测设计单位的管理水平和质量是应该长期坚持的任务,这是增强竞争力,为水利工程项目建设做好服务的内在要求。水利勘测设计单位管理制度应该有利于科技创新,在拓展经营管理方法以及提高工作效率等方面,有积极促进作用。     

山区桥梁桩基冲刷及防护设计分析

随着经济的快速发展,公路路网修建工程不断往山区推进,桥梁作为跨越障碍物的建筑物,在山区修建公路的工程中发挥着至关重要的作用.跨越山区河流的桥梁结构,在施工及建成使用中都会遇到水流冲刷的问题.文章结合具体的工程实例,针对分析水流冲刷对山区桥梁桩基的损害以及防护措施.     

0～2周龄肉用仔鸭饲料优化配方研究

本研究在第一次试验基础上,将筛选出肉用仔鸭０～２周龄阶段的基础日粮优化配方与两个不同类型的预混料配方进行组合,采用饲养试验方法,研究出０～２周龄阶段肉用仔鸭预混料及全价日粮优化配方。试验表明：预混料中以配方Ｉ为最优,全价日粮配方中以第２组即优化基础配方＋预混料配方Ｉ是０～２周龄肉用仔鸭全价饲料优化配方。     

早熟禾的组织培养和基因枪介导的基因转化体系的初步建立

分析了不同质量浓度的２,４－二硝基苯酚对早熟禾愈伤组织诱导和愈伤组织分化成苗的影响,３ｍｇ／Ｌ和０．１ｍｇ／Ｌ２,４－Ｄ分别是本试验所用早熟禾基因型诱导形成愈伤组织和愈伤组织分化成勒的最适度量浓度。利用基因针ＧＵＳ基因的ｐＧＡ４７０和ｐＡｃｔ１－Ｄ质粒导入愈伤组织,通过组织染色法检测到Ｇｕｓ基因的瞬时表达。     

129小鼠CgA基因cDNA5‘端部分片段及CgA基因的克隆

通过ＲＴ－ＰＣＲ方法,从１２９小鼠脑组织中克隆到ＣｇＡ基因ｃＤＮＡ５‘端部分片段,序列分析结果表明：所克隆到的片段序列与文献中完全一致,以此片段为探针,从１２９小鼠基因组库中筛选获得阳性噬菌体１－１,克隆了ＣｇＡ基因,并与文献中的小鼠ＣｇＡ基因限制性内切酶图谱进行了比较分析。     

洪泽湖湿地多样性特征分析

洪泽湖湿地是淮河流域最大的湖泊型湿地.本文对洪泽湖湿地资源的多样性进行了系统归类,认为多样性特征主要表现为:地貌类型的多样性,景观多样性,生态系统多样性,物种多样性,功能多样性和价值多样性等6个方面.对其多样性进行了较详细描述,可作为湿地资源开发利用的有用参考.     

智慧水资源管理与调配应用评价指标体系构建

为了推进智慧水资源管理与调配应用的发展,根据水利业务应用中预报、预警、预演、预案的特点,按照可获取性、可量测性、可代表性的原则,结合《“十四五”智慧水利建设规划》中水资源管理与调配应用的主要内容,构建由3个一级指标、 9个二级指标和24个三级指标构成的智慧水资源管理与调配应用评价指标体系,提出指标计算方法,并对南水北调中线工程进行实例研究。结果表明,南水北调中线工程智慧水资源管理与调配应用的总得分为84.9分,为良好等级,一级指标中水资源管理应用得分最高,为95.3分,水资源调度应用得分为81.5分,数字化场景应用得分偏低,为70.8分,亟需改进。     

超光滑光学表面的磁性类Bingham流体确定性抛光

利用磁性抛光介质在梯度磁场作用下呈现出具有粘塑性的类Bingham流体的特点, 实现了对具有超光滑表面精度要求(表面粗糙度一般低于0.5 nm)的光学元件, 特别是应用于接近衍射极限的短波段光学元件的确定性抛光. 磁流体与被抛光工件间的相对运动导致工件表面抛光区域产生较强的剪切力, 从而去除工件表面材料. 通过控制梯度磁场的敏感参量如磁场强度、磁极间距等获得磁场中类Bingham流体形成柔性抛光带的形状及工作状态的实时响应. 去除函数和去除率曲线反映了磁流体抛光符合经典Preston抛光模型, 并突出体现确定性去除这一特点. 磁流体抛光全过程中去除函数向外周呈稳定的高斯分布状光滑渐变化趋势. 抛光结果表明, 配制成功的初始粘度0.5 Pa·s的标准磁流体抛光液可实现对超光滑光学元件确定性抛光, 弥补传统接触式或压力式光学抛光呈现较大下表面破坏层、去除确定性不高等缺点, 抛光35 min后工件表面粗糙度由最初17.58 nm收敛到0.43 nm.