润楠雄配子体发育的超微结构研究——Ⅰ.生殖细胞壁的形成和发育

在单核小孢子有丝分裂的赤道面上,有大量径向排列的微管和少量聚集在赤道板上而被横切的成膜体微管,许多小囊泡充填在成膜体微管之间并与其融合成初期的细胞板。推测大部分小囊泡衍生自高尔基体,少部分囊泡可能来自于一些较大的液泡。在进一步的发育中,细胞板逐渐增厚并向两端扇状延伸抵达花粉内壁,同时靠近生殖细胞壁的生殖和营养细胞的胞质中出现较多的粗面内质网,粗面内质网的行为与位置说明它与生殖细胞壁的进一步发育可能有较密切的关系。一些较大的液泡似乎也能直接释放内含物参予壁的组成。分别用醋酸铀和柠檬酸铅及0.5％的高锰酸钾液处理的生殖细胞壁和花粉内壁的电子染色强度呈现一定差异。在生殖细胞壁逐渐与花粉内壁分离的过程中,生殖细胞通过其内陷的壁和花粉内壁不规则节段增厚而形成的一个网状结构附着在花粉内壁上一段时期后再逐渐脱离。在近成熟的花粉粒中,游离在营养细胞质中的生殖细胞尚有一较薄并有相当多胞间连丝的壁,细胞质中有较多的高尔基体和一些粗面内质网及少量的小液泡。 对生殖细胞壁的本质及壁形成在发育生殖生理上的意义进行了简短的讨论。     

山西省农村实用人才资源综合开发研究

对山西省农村实用人才资源的现状进行了分析,指出农村实用人才存在着总量不足、结构不平衡、效能低、发展环境有待改善等问题,并提出了山西省农村实用人才队伍发展的对策。     

聚氨酯石墨抗静电防腐涂层在高硫原油中的耐蚀性研究

针对高硫油对原油储存设备腐蚀严重的实际,选用聚氨酯树脂为成膜物质,石墨为导电介质制备抗静电防腐涂层,采用失重法研究了石墨含量、硫浓度、温度对涂层耐蚀性的影响.结果表明:不含石墨及w(石墨)在25%时,涂层质量的增加主要是由聚氨酯活性基团与介质中的硫反应引起,w(石墨)在55%时涂层质量的增加主要是由渗透引起;不含石墨及w(石墨)为25%时涂层增重较大,w(石墨)为55%时涂层增重最大.硫含量增加使不含石墨的涂层质量增加,当w(石墨)在25%~45%时,涂层质量增加与硫含量无关.温度升高使不含石墨的涂层质量增加,当w(石墨)为25%~45%时,温度升高涂层质量变化较小.因此,聚氨酯石墨抗静电防腐涂层w(石墨)为35%~45%时,其耐蚀性最好.     

复合离子聚合物调剖剂深部调剖机理研究

对复合离子聚合物调剖剂的组成和化学反应原理进行了研究,根据大庆油田目前所用的配方,通过室内实验得到了相对分子质量不同的多种配方调剖剂,并对其成胶特点、在岩心中物理堵塞作用的大小、以及用量对调剖效果的影响进行了分析.研究结果表明,复合离子聚合物调剖剂的交联时间可以控制,成胶时间从2天到十几天不等.成胶后强度大,粘度大于20 Pa\5s且有效期长,在实验观察9个月的时间里,冻胶的粘度没有明显降低.另外,复合离子聚合物调剖剂对地层的堵塞作用大,地层条件下可使渗透率降低60%以上.该调剖剂已在大庆油田进行了矿场试验,并取得了良好的调剖效果.     

1,3-偶极环加成反应在他唑巴坦合成中的应用

分析了以6－氨基青霉烷酸为原料合成他唑巴坦的反应，并重点对其中的环合反应进行了研究。在此步反应中成功地以醋酸乙烯代替乙炔及其衍生物作为环合试剂进行了1，3－偶极环加成反应，得到了目标产物。同时，对反应条件如溶剂、反应温度等进行了研究，使其色谱收率达70%以上。     

软件扩展槽技术

软件扩展槽就是在软件成品中预留便于扩展的结构 ,目的是便于软件维护和升级。文章在面向对象、基于组件的软件工程与产品线工程基础上 ,讨论了软件扩展槽的实现原理、方法和对软件开发过程的影响     

分子间相互作用的理论化学研究进展

分子间相互作用是分子中一类重要的作用，分子间相互作用的研究已引起科学界的广泛关注并逐渐成为化学科学研究领域中最为活跃的科技前沿热点之一。本文综述了分子间作用的理论化学研究的内容和进展，并对该领域的研究前景作了展望。     

冠醚配合物:[K(DB18C6)]2[Co(NCS)4]C3H6O的合成与结构研究

合成了二苯并18冠6冠醚配合物:[K（DB18C6）]2[Co（NCS）4]C3H6O,并通过元素分析、红外光谱及X-射线单晶衍射对结构进行了分析.配合物为:单斜晶系、空间群C2/C.晶体学数据:a=2.051（8）,b=1.517 4（7）,c=1.912 5（8）nm,β=92.422（8）°,V=5.927（4）nm3,Z=4,Dcalc=1.352 g·cm-3,F（000）=2 516,R1=0.061,wR=0.126 5.配合物由两个[K（DB18C6）]+配阳离子、一个[Co（NCS）4]2-配阴离子和一个C3H6O分子组成.四个硫氰酸根的氨原子与钴原子配位,[Co（NCS）4]2-为四面体构型.K+除与冠醚环6个氧原子成键外还与丙酮氧原子配位成键.     

软件扩展槽技术

介绍了I^2C总线及通讯协议，给出了基于I^2C总线的串行E^2PROM在单片机系统中的实际应用中存在的通讯可靠性问题进行了分析，提出了串行E^2PROM在系统应用中提高通讯可靠性的有效解决方法。     

二极管反向恢复时间的一种测定方法

通过对二极管反向恢复过程特性的研究 ,给出了反向恢复时间的测定方法 ,运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量 ,提高了测量精度。