基于VB钻孔基本信息数据采集系统的研究与应用

本文介绍了利用VB和Microsoft Access数据库开发完成的钻孔基本信息数据采集系统的总体设计方案和系统各部分功能。该系统的设计开发为顺利完成全国钻孔基本信息清查工作提供了重要保证。     

GPS快速静态定位技术在地质测量中的应用

通过GPS快速静态定位技术在地质测量中的应用,阐述了该技术应用的原理、方法和注意的问题.     

七星河湿地微生物数量与理化性质相关性研究

为了探究黑龙江省七星河湿地微生物数量与土壤理化性质的关系,采集2014年7月、10月和2015年5月的七星河湿地中退耕还湿(RFW)土壤为主要的研究对象,并以2014年10月退耕还林(RFF2)和自然湿地(NW2)土壤作为对照,通过传统微生物方法对微生物进行测定.微生物数量分析表明:细菌的数量最多,真菌的数量最少,放线菌的数量位于二者之间.理化性质分析表明:RFW1、RFW2、RFW3、NW2和RFF2的土壤OM含量变化范围为9. 38%~17. 5%;土壤pH的变化范围在6. 8~7. 3;土壤TN含量变化范围为0. 35%~0. 73%;土壤TP含量变化范围为0. 067%~0. 154%;土壤TS含量变化范围为0. 565~2. 07 g/kg;土壤SWC含量变化范围为22. 3%~44. 3%.微生物数量与土壤理化性质相关性分析表明,二者具有一定的正负相关性,表明土壤养分对微生物数量的提高具有一定的促进或抑制作用.     

Nb对低碳微合金钢连续冷却相变行为的影响

结合膨胀法和金相观察绘制了无Nb和添加质量分数0042%Nb的实验钢的动态CCT曲线,阐明了Nb对低碳微合金钢相变行为和相变组织的影响规律.结果表明,添加Nb可显著细化铁素体晶粒,抑制铁素体形成,促进贝氏体形成,使CCT曲线移向右下方,缩小铁素体和珠光体相变区,显著扩大贝氏体相变区.此外,添加Nb可显著增强细晶强化、析出强化和相变强化效果,使实验钢维氏硬度显著提高.     

赵庄煤矿3~#煤层水文地质类型划分探讨

根据国家新颁布的煤矿防治水规定,对赵庄煤矿矿井3#煤层水文地质条件、矿井充水因素、矿井涌水量、矿井受水害影响程度及防治水难易程等方面分析,以实际资料为依据,遵循就高不就低原则,提出赵庄矿井3#煤层水文地质类型为中等型的结论,为经济合理地搞好矿井防治水工作提供了基础资料。     

十字形截面方钢管混凝土组合异形柱轴压承载力试验

在钢筋混凝土异形柱和异形钢管混凝土柱的基础上，提出了一种异形柱形式——十字形截面方钢管混凝土组合异形柱，通过理论计算和有限元分析得到了异形柱的破坏形态及极限承载力，并采用叠加理论推导了其换算长细比计算公式．通过轴压试验得到了计算模型的荷载位移曲线、单肢挠度曲线以及单肢荷载应变曲线．分析结果可知，叠加理论计算、有限元分析以及轴压试验的结果一致表明异形柱的破坏形态为扭转屈曲，同时3种方法得到的屈服荷载吻合较好，验证了采用叠加理论计算异形柱承载力的可行性．     

泸定百合普洱居群遗传与变异研究

从居群生物学的角度出发,对泸定百合普洱居群在形态、染色体和分子3个层次的遗传与变异进行了调查研究,统计近20个性状,其结果为:①形态性状在居群内具有丰富的多态性.营养性状的变异大于生殖性状;②泸定百合核型变异在居群内的差异不大.普洱居群核型公式为2n=24=4m(2SAT) 8st(4SAT) 12t.染色体变异主要以个体和细胞间的结构变异为主;③泸定百合普洱居群RAPD分析结果显示出较高的遗传变异水平,5个RAPD引物的多态条带比率(PPB)平均为56.4%.     

稻草栽培平菇培养基配方的研究

文中比较了自然发酵法、水煮处理法、牛粪处理法、石灰处理法对新鲜稻草的软化效果,并研究了用软化稻草和棉籽壳为主要原料,以玉米粉或大米为辅助材料的不同配方培养基的出菇情况。结果显示,稻草软化的最佳处理方式为石灰处理法;以软化后的稻草（占79%）、棉籽壳（占20%）、玉米粉或大米（占1%）配制的平菇培养基质能够很好的出菇,可以取得较好的经济效益。     

低轨星座传感器实时调度模型

针对低轨星座目标连续跟踪传感器资源调度问题,通过提取跟踪精度、资源松弛度和资源分配均衡因子这三个优化参数,建立了传感器实时调度模型;并通过对跟踪精度及其影响因素的分析,提出了一种基于卫星目标几何关系的简化模型.仿真实验表明,简化模型有效降低了实时调度模型的运算量,且调度传感器对目标的跟踪精度没有明显降低,因而是一种更加高效的传感器调度模型.     

采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件

本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结合,研制成功AlGaN/GaN凹栅槽结构MIS HEMT器件,在提高器件栅控能力的同时,降低栅极漏电,提高击穿电压。器件栅长0.8μm,栅宽60μm,测得栅压为＋5V时最大饱和输出电流为832mA/mm,最大跨导达到210mS/mm,栅压为-15V时栅极反向漏电为6nA/mm。