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111.
超精密表面抛光材料去除机理研究进展 总被引:15,自引:2,他引:15
化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration, 简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提出了材料去除机理的研究方法. 相似文献
112.
113.
运用微分方程理论对具有Holling Ⅱ功能反应的捕食系统进行研究.在适当的假设条件下,采用Routh-Hurwitz判别法证明了系统正平衡点是局部渐进稳定的,通过构造Liapunov函数证明了系统正平衡点是全局渐进稳定的,同时应用Pantryagin's最大值原理给出了资源种群可持续生存的最优收获策略. 相似文献
114.
115.
针对技能优化算法(Skill Optimization Algorithm,SOA)寻优精度不高、收敛速度慢等缺点,本研究提出一种多策略集成的改进技能优化算法(Multi Strategy integrated Skill Optimization Algorithm,MSSOA)。MSSOA采用佳点集策略初始化种群,提高初始种群在解空间内的分布质量;根据算法特点在全局搜索阶段采用自适应权重,改进个体行进的步长;根据不同个体采用不同的t-分布扰动方式,平衡全局搜索和局部搜寻的关系,增强算法后期局部搜寻能力。通过12个测试函数、2个工程应用问题对其性能进行测试,测试结果表明MSSOA有着理想的寻优精度和收敛速度,能够解决复杂的工程问题。 相似文献
116.
TD-SCDMA测试仪中Iub接口实现RLC层信令解码 总被引:1,自引:0,他引:1
为了更精确地完成TD-SCDMA测试仪中相关信令的解码测试工作,对TD-SCDMA系统的Uu接口RLC
层信令在Iub接口实现的解码进行了深入分析和研究,给出了RLC层的信令消息结构和流程,提出了”RLC解码的
一种算法,并且应用到TD-SCDMA测试仪中,经调试并实际测试后,得到了预期的良好效果。经过再改进,完全可
以满足市场需要。 相似文献
117.
118.
介绍了工程竣工图编制的一些方法与技巧,以及其整理归档的一般要求,使工程竣工图能真实、完整地反映出已完工程的实际情况,为工程维修、管理、改建、扩建提供依据。 相似文献
119.
在硫酸铁水合物催化下,分别测定了七种取代乙醛缩二乙醇在不同温度下的水解反应速率常数;求出了不同温度的Ingold-Taft线性自由能方程及反应的活化能。 相似文献
120.