基于荧光猝灭的氧传感器的研制(Ⅱ)——氧传感器的设计及影响其性能的因素

提出了一种新的氧感应膜的制备方法,大大提高了氧感应膜的信号强度和对氧的灵敏度,以钌的邻菲咯啉络合物为感应指示剂,根据荧光猝灭原理研制了一种氧传感器,该传感器采用非接触式设计,能在计算机控制下同时对大批样品进行扫描检测,具有灵敏度高、响应快、稳定性好、效率高等优点,文中还对影响氧传感器性能的因素进行了分析。     

掺铈铌酸锶钡晶体中光致光散射的研究 Ⅰ.单光束入射导致的光散射

本文研究了单光束照射下 Ce:SBN 晶体的光致光散射,给出了散射光光强的相对分布的理论结果,实验结果与理论基本相符。     

籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体

本文报导籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体的过程。测定了生长过程中的出水量——焦磷酸浓度曲线,设计的生长装置能有效地控制溶液中水的蒸发速率,从稀土氧化物与磷酸溶液中生长出外形完整、光学均匀性好的五磷酸镧钕大晶体,其尺寸为36.6×27.2×15.2mm。通过大量实验,获得了用籽晶法生长大晶体的良好条件。在室温下用不同泵浦方式均能使晶体实现激光运转,其结果与文献报导数据相符。     

铁电单晶K_xNa_(1-x)Sr_(1.22)Ba_(0.78)Nb_5O_(15)的相变特性

测量 K_xNa_(1-x)Sr_(1.22)Ba_(0.78)Nb_5O_(15)(0≤x≤1) 单晶介电常数的温度依赖性以及居里点附近介电常数随直流偏置电场的变化表明,该系列晶体的铁电一顺电相变特性依赖于其成分。对于 x=0的样品相变是连续的,其特征是:⊿T(居里温度与居里-外斯温度之差)近似为零,C/C~1<4(C 和 C'分别是相变温度以上和以下的居里常数),εE(T)-ε_0(T)为负(εE(T)和ε_0(T)分别为温度T时有直流偏置和无直流偏置时的介电常数)。对于 x=1. 0的样品,相变是一级的,⊿T 较大,C/C>4,εE(T)-ε_0(T)为正。x=0. 5的成分相应于三临界点,其     

掺杂铌酸锶钡单晶的喇曼散射

本文测定了不同掺杂(Cd)浓度的Sr_(0.61) Ba_(0.39) Nb_2O_6单晶在不同几何配置、不同温度下的偏振喇曼光谱.实验证明,随着温度的升高和掺杂浓度的增加,总的趋势是光谱加宽,谱峰红移,峰强度减小,但基本峰形不变.说明铌酸锶钡单晶的喇曼散射中NbO_6氧八面体内模起重要作用.     

铌酸锂钠晶体的介电与铁电性能

研究了Li_xNa_(1-x)NbO_3系统中x=0.09,0.12及0.16的三种组份晶体的介电与铁电性能。根据x光衍射及铁电测量,确定了在室温时晶体的点群。通过测量介电系数的温度依赖性和电滞回线,得出了此三种组份晶体的转变温度T_c,居里——外斯温度T_0,居里——外斯常数c,自发极化强度P_z,矯顽场E_c以及强场损耗正切tgδ_H。T_C和T_O之间的显著差别表示此种转变的一级相变特性。三种组份中,x=0.12的晶体具有最大的P_s,最小的E_c,可望发展成为性能优异的新铁电材料。介电系数的频率特性显示,介电系数虚部在较低频率时呈现极小值,这表明晶体中存在缺陷和空间电荷极化。