不同产地中药材的近红外光谱初步研究

运用基线校正和方差技术处理了不同产地的相同种类中药材的近红外光谱，基线校正有效地扣除了基线漂移对近红外光谱信号的影响，方差技术确定了近红外光谱的富信息区域与贫泛信息区域，通过方差的变化率可以初步确定富信息区域中的强信息区间。     

基态SiC(X~1Σ~ )分子势能函数的研究

运用Gaussian 94程序 ,由从头计算方法计算了基态SiC(X1Σ )分子的平衡结构和离解能 ,利用单点计算的结果 ,采用Murrell Sorbie函数形式 ,拟合出了SiC分子的分析势能函数 ,并计算出SiC分子的光谱常数ωe,ωeχe,Be,αe的值 .     

C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^＋）体系的反应碰撞轨迹

使用经典轨迹法研究了反应C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^＋,V=0,J=0）碰撞轨迹．碳化硅合成反应C（^3Pg）＋SiO（X^1∑^1,V=0,1;J=0）→SiC（X^1∑^1）＋O（^3Pg）存在阈能,反应截面存在一个极大值和最佳反应能量．在SiC最佳产率区,通过反应物的振动激发并不能使SiC产率明显提高,基态下SiC合成反应的最佳能区为该反应的最佳产率区．