烧结温度对BaCu3Ti4O12介电性能的影响

利用固相反应法在950℃预烧结、不同烧结温度条件下制备了BaCu3Ti4O12（BCTO）陶瓷样品,测量了各样品在不同频率下的介电常数和介电损耗随温度的变化关系,发现BCTO的介电常数比BaCu3Ti4O12的介电常数小。容差因子计算发现BCTO的晶体结构容易畸变,XRD图分析表明样品中除了舍有BCTO晶相外,还舍有Cu3TiO5和Cu3TiO4等杂质,从而大大降低了BCTO的介电常数。     

MgⅡ280hm线的共振逃逸因子和跃迁概率的理论计算

基于已得到的佛克脱线型的精确表达式,对于高斯线型和洛伦兹线型,理论计算了组成MgⅡ280nm两条共振线的共振逃逸因子和跃迁概率,在计算过程中,对镁原子的上下能级的碰撞强度、基态数密度和镁等离子体在谱线中心的光学深度进行了分析讨论．计算结果和报道的实验结果相一致。     

梯度应力对BaTiO3薄膜电性质的影响

通过求解弹性力学方程而得到薄膜的应力分布形式,并将其用于朗道热力学理论,以解释生长于张应力衬底BaTiO3薄膜的电性质.结果表明：在生长于镀铂硅衬底的BaTiO3薄膜中,a和aa相共存,但由于两相的自发极化均平行于薄膜表面而无法观测到其电滞回线;随着温度升高,BaTiO3薄膜的等效介电常数呈现出弥散特征,其理论结果与实验结果较吻合.     

弥散铁电陶瓷的峰值介电常数对频率的依赖关系研究

采用传统固相合成法制备了锆掺杂的钛酸钡陶瓷Ba(Zr0.15Ti0.85)O3(BZT),并对其介电性能进行了研究.发现1 280℃烧结的BZT陶瓷的介电性能呈现明显的弥散性相变和弛豫特点.用Smolenski成分起伏理论结合德拜弛豫理论计算了BZT的介电常数峰值εrm与频率的关系,与实验结果吻合较好.     

入境废纺织品pH值测定方法选用及其影响因子的探讨

为入境废纺织品环境指标之pH检测（表征废物原料的腐蚀性）找到快速有效检测方法．通过比对确定采用平头电极测定废纺织品的表面pH值的方法．经过对各影响因子的讨论，废纺织品表面pH值检测方法具有快速有效准确特点，可以替代水萃取液pH值测定．建议使用表面pH值检测方法作为检验检疫行业标准推荐的测试方法．     

半导体SiC材料研究进展及其应用

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽,热导率高、电子的饱和漂移速度大,临界击穿电场高和介电常数低,化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温,抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。     

金刚石纳米粉引晶方法制备金刚石薄膜方法

利用金刚石纳米粉引晶法和常规研磨方法分别在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜,并采用扫描电镜、激光拉曼方法对所制备样品进行表征,通过SEM和拉曼谱分析,与研磨法生长金刚石薄膜相比,利用金刚石纳米粉引晶方法可以大大提高金刚石薄膜的成核速度,生长速率达到2μm/h以上。对相同碳源浓度下生长的金刚石薄膜样品的SEM和拉曼谱分析,采用引晶法生长的金刚石薄膜质量明显高于研磨法。     

应力对外延Pb(Zr,Ti)O3薄膜铁电性能的影响

应用朗道热力学理论研究了应力对Pb(Zr,Ti)O3陶瓷薄膜的相结构及介电特性的影响。结果表明:应力诱导结构相变,居里温度随应变(压应变或张应变)作用的增大而升高,有利于铁电相的稳定;讨论了极化-电场的滞回现象,剩余极化达50μC/cm2,计算结果与实验结果符合较好。     

车路协同环境下信号交叉口车速引导策略

为降低车辆需停车通过信号交叉口的可能性,减少停车时间,针对在三、四线城市交叉口区域实时的车辆排队长度数据不易或无法获得这一实际情况,提出车路协同环境下的车速引导策略。搭建了车载交通灯提醒系统,并对安徽省芜湖市衡山路-凤鸣湖北路交叉口的交通灯进行了数据采集。在实际数据的基础上,运用VISSIM软件进行仿真验证,结果表明,在高峰和平峰流量时车速引导策略均能有效降低单车行程时间,平均降低比率分别为9.2%和13.0%,且改善效果在平峰流量时优于高峰流量时。该车速引导策略提高了信号交叉口的交通效率,为车路协同环境下车速引导的实际有效运用提供了思路。     

黏胶短纤维线密度测试结果不确定度的评定

采用中段称重法、振动法测试黏胶短纤维的线密度.并分别对其进行测量不确定度的评定,给出了评定过程及带有不确定度的完整测试结果;并通过评定测量不确定度来分析影响测量结果的主要因素,时比分析了这两种常用的测试方法,得出两者优缺点及适用场合.